পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

সকল বিভাগ

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

যোগাযোগ করুন

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

এখনই যোগাযোগ করুন

সকল বিভাগ

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

ব্র্যান্ডের নাম:	ZMSH
মডেল নম্বর:	4 ইঞ্চি 4H-সেমি SiC ওয়েফার
MOQ.:	10 পিস
প্যাকেজিংয়ের বিবরণ:	কাস্টমাইজযোগ্য প্যাকেজ
অর্থ প্রদানের শর্তাবলী:	টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্যের বিবরণ

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

চীন

সাক্ষ্যদান:

RoHS

ব্যাস:

4 ইঞ্চি, 99.5 মিমি~ 100.0 মিমি

গ্রেড:

ডামি/গবেষণা/উৎপাদন গ্রেড

প্রকার:

SiC উচ্চ বিশুদ্ধতা একক ক্রিস্টাল 4H-সেমি টাইপ

বেধ:

500 μm±25 μm

ওয়ার্প:

≤40 μm

রুক্ষতা:

Ra≤1 nm

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

4H-Semi HPSI SiC wafer

4inch silicon carbide wafer

SiC wafer for semiconductor

পণ্যের বিবরণ

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

Silicon Carbide (SiC) wafers are semiconductor substrates made from a compound of silicon and carbon. SiC is a wide bandgap semiconductor, unlike wafer manufacturing with simple silicon, which means it can operate under extreme conditions, including high temperatures, high voltages, and high frequencies. This makes SiC wafers ideal for demanding electronic applications.

Introduction of 4H Semi-Insulating SiC Wafer

4H Semi-Insulating Silicon Carbide (SiC) wafers are high-purity, high-resistivity single-crystal substrates made from the 4H polytype of silicon carbide. They are designed primarily for radio frequency (RF), microwave, 5G communication, and power electronics isolation applications, where excellent electrical insulation, low loss, and high thermal conductivity are essential.

4H Semi-Insulating SiC wafers combine wide bandgap energy, high thermal conductivity, and high resistivity, making them ideal substrates for RF, microwave, and high-frequency communication devices. Their excellent isolation performance and thermal stability enable the production of next-generation high-power and high-frequency systems, supporting industries such as 5G, aerospace, and advanced electronics.

Specification of ZMSH 4inch 4H-Semi Sic Substrates

Parameter	Specification
Grade	Zero MPD
Production	Standard Production
Diameter	99.5 mm~ 100.0 mm
Thickness (4H-Semi)	500 μm±15 μm \| 500 μm±25 μm
Wafer Orientation	Off axis: 4.0° toward <1120> ±0.5° for 4H-N, On axis: <0001>±0.5° for 4H-SI
Micropipe Density (4H-Semi)	≤ 1cm-2 \| ≤ 5 cm-2 \| ≤15 cm-2
Resistivity (4H-Semi)	≥1E10 Ωcm \| ≥1E5 Ωcm
Primary Flat Orientation	{10-10} ±5.0°
Primary Flat Length	32.5 mm ± 2.0 mm
Secondary Flat Length	18.0 mm ± 2.0 mm
Edge Exclusion	3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp	≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm \| ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Roughness	Polish Ra≤1 nm \| CMP Ra≤0.2 nm \| Ra≤0.5 nm

Key Advantages of Sic Wafers and Substrates

Wider Bandgap: The bandgap of silicon carbide (SiC) is about three times wider than that of silicon, allowing a theoretical operating temperature above 400°C.
High Critical Breakdown Field: SiC's critical breakdown field is about ten times higher than that of silicon, enabling it to withstand higher voltages.
Excellent Thermal Conductivity: SiC's high thermal conductivity allows efficient heat dissipation, reducing device temperature and maintaining stable operation.
High Saturated Electron Drift Velocity: SiC's drift velocity is about twice that of silicon, which helps achieve higher operating frequencies and enables device miniaturization.

Application of 4H Semi-insulating SiC Crystal Substrate and Wafer

Silicon carbide (SiC) crystals have unique physical and electronic properties. SiC-based devices have been used for short-wavelength photoelectric, high-temperature, and anti-radiation applications. High power and high frequency electronic devices made from semi-insulating silicon carbide substrates are superior to those based on Si and GaAs, and 4H semi-insulating SiC wafers are mainly used in Power device and RF device. Moreover, it can be used as carriers for temporary bonding.

ZMSH Related SiC Wafer Recommendation

High Purity Silicon Carbide Wafer Prime/Dummy/Ultra Grade 4H-Semi SiC Wafers For 5G Device

Q & A

Q: What is a SiC wafer?

A: A SiC wafer is a single-crystal substrate made from silicon (Si) and carbon (C) atoms. It is one of the most important wide-bandgap semiconductor materials used in next-generation power electronics, RF devices, and high-temperature applications.

Q: What is the difference between SI wafer and SiC wafer?

A: Silicon wafers are ideal for general-purpose electronics, while SiC wafers excel in high-power, high-voltage, and high-temperature environments, enabling faster, smaller, and more efficient power electronics.

Q: Which is better, SiC or GaN?

A: SiC is best for high-power, high-voltage, high-temperature applications such as electric vehicles and renewable energy. GaN excels in high-frequency, low-to-medium voltage applications like fast chargers and 5G systems.

ট্যাগ:

নীলকান্তমণি স্তর

নীলকান্তমণি অপটিক্যাল উইন্ডোজ

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

নীলা টিউব

সেমিকন্ডাক্টর স্তর

সিন্থেটিক জেম স্টোন

সিরামিক অংশ

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ওয়েফার

বৈজ্ঞানিক ল্যাব সরঞ্জাম

নীলকান্তমণি স্ফটিক ঘড়ি কেস

ওয়েফার ক্যারিয়ার বক্স

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

নীলকান্তমণি স্তর

নীলকান্তমণি অপটিক্যাল উইন্ডোজ

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

নীলা টিউব

সেমিকন্ডাক্টর স্তর

সিন্থেটিক জেম স্টোন

সিরামিক অংশ

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ওয়েফার

বৈজ্ঞানিক ল্যাব সরঞ্জাম

নীলকান্তমণি স্ফটিক ঘড়ি কেস

ওয়েফার ক্যারিয়ার বক্স

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

পণ্যের বিবরণ

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

নীলকান্তমণি স্তর

নীলকান্তমণি অপটিক্যাল উইন্ডোজ

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

নীলা টিউব

সেমিকন্ডাক্টর স্তর

সিন্থেটিক জেম স্টোন

সিরামিক অংশ

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ওয়েফার

বৈজ্ঞানিক ল্যাব সরঞ্জাম

নীলকান্তমণি স্ফটিক ঘড়ি কেস

ওয়েফার ক্যারিয়ার বক্স

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

নীলকান্তমণি স্তর

নীলকান্তমণি অপটিক্যাল উইন্ডোজ

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

নীলা টিউব

সেমিকন্ডাক্টর স্তর

সিন্থেটিক জেম স্টোন

সিরামিক অংশ

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ওয়েফার

বৈজ্ঞানিক ল্যাব সরঞ্জাম

নীলকান্তমণি স্ফটিক ঘড়ি কেস

ওয়েফার ক্যারিয়ার বক্স

Superconducting পাতলা Monocrystalline সাবস্ট্রট

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

4H-Semi HPSI SiC wafer

4inch silicon carbide wafer

SiC wafer for semiconductor