logo
ভালো দাম  অনলাইন

পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার
Created with Pixso.

৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স

৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স

ব্র্যান্ডের নাম: ZMSH
মডেল নম্বর: 4 ইঞ্চি
MOQ.: ১০
মূল্য: 5 USD
প্যাকেজিংয়ের বিবরণ: কাস্টম কার্টন
অর্থ প্রদানের শর্তাবলী: টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
চীন
সাক্ষ্যদান:
by case
গ্রেড:
জিরো এমপিডি গ্রেড, উত্পাদন গ্রেড, গবেষণা গ্রেড, ডামি গ্রেড
প্রতিরোধ ক্ষমতা 4 এইচ-এন:
0.015 ~ 0.028 ω • সেমি
প্রতিরোধ ক্ষমতা 4/6 এইচ-সি:
≥1e7 ω · সেমি
প্রাথমিক ফ্ল্যাট:
{10-10} ± 5.0 ° বা বৃত্তাকার আকার
টিটিভি/বো/ওয়ার্প:
≤10μm /≤10μm /≤15μm
রুক্ষতা:
পোলিশ রা RA≤1 এনএম / সিএমপি RA≤0.5 এনএম
যোগানের ক্ষমতা:
কেস দ্বারা
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

ইপিট্যাক্সিয়াল সিআইসি ওয়েফার

,

8 ইঞ্চি সিআইসি ইপিটাসিয়াল ওয়েফার

পণ্যের বিবরণ

সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারের ওভারভিউ

৮ ইঞ্চি (২০০ মিমি) সিআইসি এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার এখন সিআইসি শিল্পের সবচেয়ে উন্নত ফর্ম ফ্যাক্টর হিসাবে আবির্ভূত হচ্ছে।8 ′′ সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি প্রতি ডিভাইসের ব্যয় হ্রাস করার সময় পাওয়ার ডিভাইস উত্পাদনকে স্কেল আপ করার জন্য অতুলনীয় সুযোগ সরবরাহ করে.

বৈদ্যুতিক যানবাহন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি এবং শিল্প শক্তি ইলেকট্রনিক্সের চাহিদা বিশ্বব্যাপী বৃদ্ধি পাচ্ছে, 8 ′′ ওয়েফারগুলি একটি নতুন প্রজন্মের সিআইসি মোসফেট, ডায়োড,এবং উচ্চতর থ্রুপুট সহ ইন্টিগ্রেটেড পাওয়ার মডিউল, আরও ভাল ফলন, এবং কম উত্পাদন খরচ।

বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ বৈশিষ্ট্য, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং ব্যতিক্রমী ভাঙ্গন ভোল্টেজ সহ, 8 ′′ সিআইসি ওয়েফারগুলি উন্নত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের নতুন স্তরের কর্মক্ষমতা এবং দক্ষতা আনলক করছে।

 

৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স 0৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স 1

 


 

কিভাবে 8 ¢ সিআইসি ইপিটাসিয়াল ওয়েফার তৈরি করা হয়

 

8 ′′ সিআইসি এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার তৈরির জন্য পরবর্তী প্রজন্মের সিভিডি রিঅ্যাক্টর, সুনির্দিষ্ট স্ফটিক বৃদ্ধির নিয়ন্ত্রণ এবং অতি সমতল স্তর প্রযুক্তি প্রয়োজনঃ

  1. সাবস্ট্র্যাট তৈরি
    একক স্ফটিক 8 ′′ সিআইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি উচ্চ তাপমাত্রা সুব্লিমেশন কৌশলগুলির মাধ্যমে উত্পাদিত হয় এবং পরবর্তীকালে সাব-ন্যানোমিটার রুক্ষতা পর্যন্ত পোলিশ করা হয়।

  2. সিভিডি ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি
    উন্নত বৃহত আকারের সিভিডি সরঞ্জামগুলি উচ্চমানের সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলিকে 8 ′′ সাবস্ট্র্যাটের উপরে জমা দেওয়ার জন্য ~ 1600 °C এ কাজ করে, বৃহত্তর অঞ্চল পরিচালনা করার জন্য অনুকূল গ্যাস প্রবাহ এবং তাপমাত্রা অভিন্নতার সাথে।

  3. কাস্টমাইজড ডোপিং
    এন-টাইপ বা পি-টাইপ ডোপিং প্রোফাইলগুলি পুরো 300 মিমি ওয়েফারে উচ্চ অভিন্নতার সাথে তৈরি করা হয়।

  4. যথার্থ পরিমাপ
    অভিন্নতা নিয়ন্ত্রণ, স্ফটিক ত্রুটি পর্যবেক্ষণ এবং ইন-সাইট প্রক্রিয়া পরিচালনা ওয়েফারের কেন্দ্র থেকে প্রান্ত পর্যন্ত ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করে।

  5. ব্যাপক গুণমান নিশ্চিতকরণ
    প্রতিটি ওয়েফারের বৈধতাঃ

    • এএফএম, রামান, এবং এক্সআরডি

    • পূর্ণ-ওয়েফারের ত্রুটি ম্যাপিং

    • পৃষ্ঠের রুক্ষতা এবং ওয়ার্প বিশ্লেষণ

    • বৈদ্যুতিক সম্পত্তি পরিমাপ


বিশেষ উল্লেখ

  গ্রেড   8 ইঞ্চি এন টাইপ সিআইসি সাবস্ট্র্যাট
1 পলিটাইপ -- ৪এইচএসআইসি
2 পরিবাহিতাপ্রকার -- এন
3 ব্যাসার্ধ মিমি 200.00±0.5 মিমি
4 বেধ উমম ৭০০±৫০ মাইক্রোমিটার
5 ক্রিস্টাল সারফেস ওরিয়েন্টেশন অক্ষ ডিগ্রী 4.0° ±0.5° দিকে
6 নটচ গভীরতা মিমি ১-১.২৫ মিমি
7 নট-অরিয়েন্টেশন ডিগ্রী ±5°
8 প্রতিরোধ ক্ষমতা (গড়) ওম সেমি NA
9 টিটিভি উমম NA
10 এলটিভি উমম NA
11 নমস্কার উমম NA
12 ওয়ার্প উমম NA
13 এমপিডি cm-2 NA
14 টিএসডি cm-2 NA
15 বিপিডি cm-2 NA
16 TED cm-2 NA
17 ইপিডি cm-2 NA
18 বিদেশীপলিটিপস -- NA
19 SF ((BSF) ((২x২ মিমি গ্রিডসাইজ) % NA
20 TUA ((TotalUsableArea) ((২x২ মিমি গ্রিড আকার) % NA
21 নামমাত্র এজ এক্সক্লুশন মিমি NA
22 ভিজ্যুয়াল স্ক্র্যাচ -- NA
23 স্ক্র্যাচ-কুমুলেটেড দৈর্ঘ্য ((SiSurface) মিমি NA
24 SiFace -- সিএমপিপোলিশ
25 CFace -- সিএমপিপোলিশ
26 পৃষ্ঠের রুক্ষতা (Siface) এনএম NA
27 পৃষ্ঠের রুক্ষতা (face) এনএম NA
28 লেজার মার্কিং -- সি-ফেস, নোচের উপরে
29 এজচিপ ((ফ্রন্ট অ্যান্ড ব্যাক সারফেস) -- NA
30 হেক্সপ্লেট -- NA
31 ফাটল -- NA
32 কণা ((≥0.3um) -- NA
33 এলাকা দূষণ (ম্লান) -- কোনটিই নেই: উভয় মুখ
34 অবশিষ্ট ধাতু দূষণ ((ICP-MS) পরমাণু/সেমি২ NA
35 এজপ্রফাইল -- চ্যামফার, আর-ফর্ম
36 প্যাকেজ -- মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট অথবা সিঙ্গল-ওয়েফার কনটেইনার

 

 


অ্যাপ্লিকেশন

8 ¢ সিআইসি এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি নিম্নলিখিত ক্ষেত্রগুলির মধ্যে নির্ভরযোগ্য শক্তি ডিভাইসগুলির ভর উত্পাদন সক্ষম করেঃ

  • বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি)
    ট্র্যাকশন ইনভার্টার, বোর্ড চার্জার, এবং DC/DC কনভার্টার।

  • পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি
    সোলার স্ট্রিং ইনভার্টার, বায়ু শক্তি রূপান্তরকারী.

  • শিল্প ড্রাইভ
    দক্ষ মোটর ড্রাইভ, সার্ভো সিস্টেম।

  • ৫জি/আরএফ অবকাঠামো
    পাওয়ার এম্প্লিফায়ার এবং আরএফ সুইচ।

  • ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স
    কমপ্যাক্ট, উচ্চ দক্ষতা শক্তি সরবরাহ।


প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী (FAQ)

18 ¢ সিআইসি ওয়েফারের উপকারিতা কী?
তারা প্রসেসর এলাকা এবং প্রক্রিয়া ফলন বৃদ্ধির মাধ্যমে চিপ প্রতি উৎপাদন খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে।

2৮ ০ সিআইসি উৎপাদন কতটা পরিপক্ক?
8 ′′ নির্বাচিত শিল্প নেতাদের সাথে পাইলট উত্পাদনে প্রবেশ করছে। আমাদের ওয়েফারগুলি এখন গবেষণা ও উন্নয়ন এবং ভলিউম র্যাম্পের জন্য উপলব্ধ।

3. ডোপিং এবং বেধ কাস্টমাইজ করা যাবে?
হ্যাঁ, ডোপিং প্রোফাইল এবং ইপি বেধের সম্পূর্ণ কাস্টমাইজেশন পাওয়া যায়।

4বিদ্যমান ফ্যাক্টরিগুলো কি ৮ ̊ সিআইসি ওয়েফারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ?
সম্পূর্ণ 8 ′′ সামঞ্জস্যের জন্য ছোট সরঞ্জাম আপগ্রেড প্রয়োজন।

5সাধারণ লিড টাইম কত?
প্রাথমিক অর্ডারের জন্য ৬-১০ সপ্তাহ; পুনরাবৃত্তি ভলিউমের জন্য আরও কম।

6কোন কোন শিল্পে ৮ ০ সিসি দ্রুত প্রয়োগ করা হবে?
অটোমোবাইল, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি এবং গ্রিড অবকাঠামো খাত।

 


 

সংশ্লিষ্ট পণ্য

 

 

৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স 2

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার ৩০০ মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার কন্ডাকটিভ ডামি গ্রেড এন-টাইপ রিসার্চ গ্রেড

৮ ইঞ্চি সিআইসি ইপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদন ও দক্ষতা স্কেলযোগ্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স 3

 

4H/6H পি-টাইপ সিক ওয়েফার 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি জেড গ্রেড পি গ্রেড ডি গ্রেড অফ অক্ষ 2.0°-4.0° দিকে পি-টাইপ ডোপিং

সম্পর্কিত পণ্য