|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উদ্দেশ্য: | 6 8 12 ইঞ্চি সিক একক স্ফটিক বৃদ্ধি চুল্লি জন্য | মাত্রা (L × W × H): | মাত্রা (L × W × H) |
|---|---|---|---|
| চাপ পরিসীমা: | 1–700 এমবার | তাপমাত্রা পরিসীমা: | 900–3000 ° C |
| চুল্লির সর্বোচ্চ তাপমাত্রা: | 2500°C | ঘূর্ণন খাদ ব্যাস: | 50 মিমি |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 12 ইঞ্চি সিআইসি ইঙ্গোট বৃদ্ধি চুলা,সিক ইনগট গ্রোথ ফার্নেস |
||
পণ্যের বর্ণনা
সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিক বৃদ্ধি চুল্লি প্রতিরোধের পদ্ধতি 6 8 12 ইঞ্চি সিআইসি ইঙ্গোট বৃদ্ধি চুল্লি
ZMSH সিআইসি সিঙ্গল ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেসঃ উচ্চমানের সিআইসি ওয়েফারগুলির জন্য নির্ভুলতা ইঞ্জিনিয়ারিং
জেডএমএসএইচ গর্বের সাথে তার সিআইসি সিঙ্গল ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস উপস্থাপন করে, উচ্চ-কার্যকারিতা সিআইসি ওয়েফার উত্পাদনের জন্য ডিজাইন করা একটি উন্নত সমাধান।আমাদের চুল্লি কার্যকরভাবে 6 ইঞ্চি মধ্যে SiC একক স্ফটিক উত্পাদন করে, ৮ ইঞ্চি এবং ১২ ইঞ্চি আকারের, বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি), পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি এবং উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক্সের মতো শিল্পের ক্রমবর্ধমান চাহিদা পূরণ করে।
সিআইসি সিঙ্গল ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নের বৈশিষ্ট্য
- অ্যাডভান্স রেজিস্ট্যান্স হিটিং টেকনোলজিঃ ফার্নেসটি অভিন্ন তাপমাত্রা বিতরণ এবং অনুকূল স্ফটিক বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য সর্বশেষতম প্রতিরোধ তাপীকরণ প্রযুক্তি ব্যবহার করে।
- তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ যথার্থতাঃ সমগ্র স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়া জুড়ে ± 1 °C সহনশীলতার সাথে তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ অর্জন করে।
- বহুমুখী অ্যাপ্লিকেশনঃ পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ডিভাইসের জন্য বৃহত্তর ওয়েফার উত্পাদন করতে সক্ষম, 12 ইঞ্চি পর্যন্ত ওয়েফারের জন্য সিআইসি স্ফটিক বৃদ্ধি করতে সক্ষম।
- ভ্যাকুয়াম এবং চাপ ব্যবস্থাপনাঃ আদর্শ বৃদ্ধির শর্ত বজায় রাখার জন্য একটি উন্নত ভ্যাকুয়াম এবং চাপ সিস্টেমের সাথে সজ্জিত, ত্রুটি হার হ্রাস এবং ফলন উন্নত।
টেকনিক্যাল স্পেসিফিকেশন
| স্পেসিফিকেশন | বিস্তারিত |
|---|---|
| মাত্রা (L × W × H) | 2500 × 2400 × 3456 মিমি অথবা কাস্টমাইজ করুন |
| ক্রুজিবল ব্যাসার্ধ | ৯০০ মিমি |
| চূড়ান্ত ভ্যাকুয়াম চাপ | ৬ × ১০-৪ পা (১.৫ ঘন্টা ভ্যাকুয়ামের পর) |
| ফুটোর হার | ≤5 Pa/12h (বেক-আউট) |
| ঘূর্ণন শ্যাফ্ট ব্যাসার্ধ | ৫০ মিমি |
| ঘূর্ণন গতি | 0.৫ ০৫ ঘন্টা |
| গরম করার পদ্ধতি | বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ গরম |
| সর্বাধিক চুলা তাপমাত্রা | ২৫০০°সি |
| গরম করার ক্ষমতা | ৪০ কিলোওয়াট × ২ × ২০ কিলোওয়াট |
| তাপমাত্রা পরিমাপ | ডুয়াল কালার ইনফ্রারেড পাইরোমিটার |
| তাপমাত্রা পরিসীমা | ৯০০-৩০০০°সি |
| তাপমাত্রা নির্ভুলতা | ± 1°C |
| চাপ পরিসীমা | ১ ¢ ৭০০ এমবিআর |
| চাপ নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতা | 1 ¢ 10 এমবিআরঃ ± 0.5% এফ.এস. ১০-১০০ এমবিআরঃ ±০.৫% এফ.এস. ১০০-৭০০ এমবিআরঃ ±০.৫% এফ.এস |
| অপারেশন টাইপ | নীচের লোডিং, ম্যানুয়াল/স্বয়ংক্রিয় নিরাপত্তা বিকল্প |
| ঐচ্ছিক বৈশিষ্ট্য | ডাবল তাপমাত্রা পরিমাপ, একাধিক গরম করার অঞ্চল |
ফলাফল: নিখুঁত স্ফটিক বৃদ্ধি
আমাদের সিআইসি সিঙ্গল ক্রিস্টাল গ্রোথ ফর্নেসের মূল শক্তি হচ্ছে এর উচ্চমানের, ত্রুটিমুক্ত সিআইসি ক্রিস্টাল উৎপাদনের ক্ষমতা।উন্নত ভ্যাকুয়াম ব্যবস্থাপনা, এবং কাটিয়া প্রান্ত প্রতিরোধ তাপীকরণ প্রযুক্তি, আমরা ন্যূনতম ত্রুটি সঙ্গে ত্রুটিহীন স্ফটিক বৃদ্ধি নিশ্চিত। এই নিখুঁততা অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ,যেখানে এমনকি সামান্য ত্রুটিগুলি চূড়ান্ত ডিভাইসের কার্যকারিতাকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করতে পারে.
অর্ধপরিবাহী মান পূরণ
আমাদের চুল্লিতে উৎপাদিত সিআইসি ওয়েফারগুলো কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উভয় ক্ষেত্রেই শিল্পের মানদণ্ড অতিক্রম করে।এবং উচ্চ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতাএই গুণাবলী পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য অপরিহার্য, বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি) -এ ব্যবহৃতগুলি সহ,পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম, এবং টেলিযোগাযোগ সরঞ্জাম।
| পরিদর্শন বিভাগ | গুণমানের পরামিতি | অনুমোদনের মানদণ্ড | পরিদর্শন পদ্ধতি |
|---|---|---|---|
| 1. ক্রিস্টাল কাঠামো | ডিসলোকেশন ঘনত্ব | ≤ ১ সেমি−২ | অপটিক্যাল মাইক্রোস্কোপি / এক্স-রে ডিফ্রাকশন |
| ক্রিস্টালিন পরিপূর্ণতা | কোন দৃশ্যমান ত্রুটি বা ফাটল নেই | ভিজ্যুয়াল ইন্সপেকশন / এএফএম (আণবিক শক্তি মাইক্রোস্কোপ) | |
| 2. মাত্রা | ইঙ্গট ব্যাসার্ধ | ৬ ইঞ্চি, ৮ ইঞ্চি বা ১২ ইঞ্চি ±০.৫ মিমি | ক্যালিপার পরিমাপ |
| ইঙ্গোটের দৈর্ঘ্য | ±1 মিমি | রুলার / লেজার পরিমাপ | |
| 3পৃষ্ঠের গুণমান | পৃষ্ঠের রুক্ষতা | Ra ≤ ০.৫ μm | সারফেস প্রোফাইলোমিটার |
| পৃষ্ঠের ত্রুটি | কোন ক্ষুদ্র ফাটল, গর্ত, বা scratches | চাক্ষুষ পরিদর্শন / মাইক্রোস্কোপিক পরীক্ষা | |
| 4. বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য | প্রতিরোধ ক্ষমতা | ≥ ১০৩ Ω·cm (উচ্চ মানের SiC এর জন্য আদর্শ) | হল প্রভাব পরিমাপ |
| ক্যারিয়ার মোবিলিটি | > 100 সেমি2/ভোল্টস (উচ্চ পারফরম্যান্স সিআইসির জন্য) | ফ্লাইটের সময় (টিওএফ) পরিমাপ | |
| 5. তাপীয় বৈশিষ্ট্য | তাপ পরিবাহিতা | ≥ ৪.৯ W/cm·K | লেজার ফ্ল্যাশ বিশ্লেষণ |
| 6. রাসায়নিক গঠন | কার্বন সামগ্রী | ≤ ১% (উত্তম পারফরম্যান্সের জন্য) | আইসিপি-ওইএস (ইন্ডাক্টিভলি কপলড প্লাজমা অপটিক্যাল ইমিশন স্পেকট্রোস্কোপি) |
| অক্সিজেন অশুচি | ≤ ০.৫% | সেকেন্ডারি আইওন মাস স্পেকট্রোমিট্রি (সিআইএমএস) | |
| 7. চাপ প্রতিরোধের | যান্ত্রিক শক্তি | ফাটলে ছাড়াই চাপ পরীক্ষা সহ্য করতে হবে | সংকোচন পরীক্ষা / বাঁক পরীক্ষা |
| 8. অভিন্নতা | ক্রিস্টালাইজেশন অভিন্নতা | ইনগট জুড়ে ≤ 5% বৈচিত্র্য | এক্স-রে ম্যাপিং / এসইএম (স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ) |
| 9. ইঙ্গোটের একরূপতা | মাইক্রোপোর ঘনত্ব | একক ভলিউম ১% | মাইক্রোস্কোপ / অপটিক্যাল স্ক্যানিং |
ZMSH সহায়তা সেবা
- কাস্টমাইজযোগ্য সমাধানঃ আমাদের সিআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধি চুলা আপনার নির্দিষ্ট উত্পাদন প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে, উচ্চ মানের সিআইসি স্ফটিক নিশ্চিত।
- সাইট ইনস্টলেশনঃ আমাদের টিম সাইট ইনস্টলেশন পরিচালনা করে এবং সর্বোত্তম পারফরম্যান্সের জন্য আপনার বিদ্যমান সিস্টেমের সাথে মসৃণ সংহতকরণ নিশ্চিত করে।
- বিস্তৃত প্রশিক্ষণঃ আমরা আপনার দলকে কার্যকর স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য সজ্জিত করার জন্য চুল্লি অপারেশন, রক্ষণাবেক্ষণ এবং ত্রুটি সমাধানের জন্য গ্রাহক প্রশিক্ষণ প্রদান করি।
- বিক্রয়োত্তর রক্ষণাবেক্ষণঃ আপনার চুল্লি সর্বোচ্চ পারফরম্যান্সে কাজ করে তা নিশ্চিত করার জন্য ZMSH রক্ষণাবেক্ষণ এবং মেরামত পরিষেবা সহ নির্ভরযোগ্য বিক্রয়োত্তর সহায়তা সরবরাহ করে।
প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইডের স্ফটিক বৃদ্ধি কত?
উত্তরঃ সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) স্ফটিকের বৃদ্ধিতে উচ্চমানের সিআইসি স্ফটিক তৈরি করা জড়িত, যেমন সিজোক্রালস্কি বা ফিজিক্যাল বাষ্প পরিবহন (পিভিটি), যা পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের জন্য প্রয়োজনীয়।
মূলশব্দ:
সিআইসি সিঙ্গল ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস সিআইসি ক্রিস্টালসেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রযুক্তি