সিলিকন / সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফারচার-পর্যায়ের লিঙ্কড পলিশিং অটোমেশন লাইন (ইন্টিগ্রেটেড পোস্ট-পলিশ হ্যান্ডলিং লাইন)

সংক্ষিপ্ত বিবরণ

এই চার-পর্যায়ের লিঙ্কড পলিশিং অটোমেশন লাইন একটি সমন্বিত, ইন-লাইন সমাধান যা তৈরি করা হয়েছে পোস্ট-পলিশ / পোস্ট-সিএমপি সিলিকন এবং সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফারের জন্য। সিরামিক ক্যারিয়ার (সিরামিক প্লেট) এর চারপাশে তৈরি, এই সিস্টেমটি একাধিক ডাউনস্ট্রিম কাজকে একত্রিত করে একটি সমন্বিত লাইনে পরিণত করে—যা ফ্যাক্টরিগুলিকে ম্যানুয়াল হ্যান্ডলিং কমাতে, ট্যাক্ট টাইম স্থিতিশীল করতে এবং দূষণ নিয়ন্ত্রণকে শক্তিশালী করতে সহায়তা করে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এ, কার্যকর পোস্ট-সিএমপি ক্লিনিং পরবর্তী প্রক্রিয়াকরণের আগে ত্রুটি কমাতে একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ হিসেবে ব্যাপকভাবে স্বীকৃত, এবং উন্নত পদ্ধতি (যেমন মেগাসনিক ক্লিনিং) কণা অপসারণের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে সাধারণত আলোচনা করা হয়।

বিশেষ করে SiC-এর জন্য, এর উচ্চ কঠোরতা এবং রাসায়নিক নিষ্ক্রিয়তা পলিশিংকে চ্যালেঞ্জিং করে তোলে (প্রায়শই কম উপাদান অপসারণের হার এবং পৃষ্ঠ/সাবসারফেস ক্ষতির উচ্চ ঝুঁকির সাথে যুক্ত), যা স্থিতিশীল পোস্ট-পলিশ অটোমেশন এবং নিয়ন্ত্রিত ক্লিনিং/হ্যান্ডলিংকে বিশেষভাবে মূল্যবান করে তোলে।

লাইনটি কী করে (মূল কার্যাবলী)

একটি একক সমন্বিত লাইন যা সমর্থন করে:

• ওয়েফার পৃথকীকরণ এবং সংগ্রহ (পলিশিং-এর পরে)

• সিরামিক ক্যারিয়ার বাফারিং / স্টোরেজ

• সিরামিক ক্যারিয়ার বাফারিং/স্টোরেজ (ট্যাক্ট-টাইম ডিকাপলিং)

• সিরামিক ক্যারিয়ারে ওয়েফার মাউন্টিং (পেস্ট করা)

• সমন্বিত, এক-লাইনের অপারেশন ৬–৮ ইঞ্চি ওয়েফার

এর জন্য

• 

   

  প্রধান সুবিধাইন্টিগ্রেটেড অটোমেশন

• : পৃথকীকরণ → বাফারিং → ক্লিনিং → একটি লাইনে মাউন্টিং, যা আলাদা স্টেশন এবং অপারেটর নির্ভরতা হ্রাস করে।পরিষ্কার, আরো ধারাবাহিক পোস্ট-পলিশ প্রবাহ

• : স্থিতিশীল পোস্ট-সিএমপি / পোস্ট-পলিশ পরিচ্ছন্নতা এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্য মাউন্টিং গুণমান সমর্থন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। (শিল্প সাহিত্য ত্রুটি কমাতে পোস্ট-সিএমপি ক্লিনিং-এর গুরুত্ব তুলে ধরে)।অটোমেশন দূষণ নিয়ন্ত্রণকে সমর্থন করে

• : ওয়েফার হ্যান্ডলিং-এর গবেষণা ওয়েফার পৃষ্ঠের সংস্পর্শ প্রতিরোধ এবং স্থানান্তরের সময় কণা দূষণ কমাতে কৌশলগুলির উপর জোর দেয়; ক্লিনরুম রোবট ডিজাইনগুলিও কণা নির্গমন কমানোর উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।৬–৮ ইঞ্চি প্রস্তুতি: ৬-ইঞ্চিতে কাজ করা এবং ৮-ইঞ্চির জন্য প্রস্তুতি নিতে সহায়তা করে। শিল্প ২০০ মিমি (৮-ইঞ্চি) SiC

এর দিকে সক্রিয়ভাবে অগ্রসর হচ্ছে, যা ২০২৪–২০২৫ সালের আশেপাশে একাধিক পাবলিক রোডম্যাপ এবং ঘোষণার সাথে রয়েছে।

• প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য (প্রদত্ত ডেটাসheet থেকে)মাউন্টিং ফ্ল্যাটনেস:

• ১৩৬৪৩ × ৫০০৩০ × ২৩০০ মিমিমাউন্টিং ফ্ল্যাটনেস:

• এসি ৩৮০ V, ৫০ Hzমাউন্টিং ফ্ল্যাটনেস:

• ১১৯ kWমাউন্টিং ফ্ল্যাটনেস: ০.৫ μm < ৫০ ea; ৫ μm

• < ১ eaমাউন্টিং ফ্ল্যাটনেস:

≤ ২ μm

থ্রুপুট রেফারেন্স (প্রদত্ত ডেটাসheet থেকে)

• ~৩ মিনিট/ক্যারিয়ার৮-ইঞ্চি ওয়েফার: ক্যারিয়ার , , , ,

• ~৩ মিনিট/ক্যারিয়ার৮-ইঞ্চি ওয়েফার: ক্যারিয়ার , , , ,

• ~২ মিনিট/ক্যারিয়ার৮-ইঞ্চি ওয়েফার: ক্যারিয়ার , , , ,

• ~২ মিনিট/ক্যারিয়ার৮-ইঞ্চি ওয়েফার: ক্যারিয়ার , , , ,

~৩ মিনিট/ক্যারিয়ার

1. সাধারণ লাইন প্রবাহ

2. আপস্ট্রিম পলিশিং এলাকা থেকে ইনফিড / ইন্টারফেস

3. ওয়েফার পৃথকীকরণ ও সংগ্রহ

4. সিরামিক ক্যারিয়ার বাফারিং/স্টোরেজ (ট্যাক্ট-টাইম ডিকাপলিং)

5. সিরামিক ক্যারিয়ার ক্লিনিং

6. ক্যারিয়ারে ওয়েফার মাউন্টিং (পরিচ্ছন্নতা ও ফ্ল্যাটনেস নিয়ন্ত্রণের সাথে)

ডাউনস্ট্রিম প্রক্রিয়া বা লজিস্টিক্সে আউটফিড

• লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনSi এবং SiC ওয়েফার লাইনের জন্য পোস্ট-পলিশ / পোস্ট-সিএমপি ডাউনস্ট্রিম অটোমেশন

• উৎপাদন পরিবেশ যা স্থিতিশীল ট্যাক্ট টাইম, হ্রাসকৃত ম্যানুয়াল অপারেশন এবং নিয়ন্ত্রিত পরিচ্ছন্নতাকে অগ্রাধিকার দেয়

• ৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি ট্রানজিশন প্রকল্প, বিশেষ করে ২০০ মিমি SiC রোডম্যাপের সাথে সারিবদ্ধ

FAQ

প্রশ্ন ১: এই লাইনটি মূলত কোন সমস্যাগুলি সমাধান করে?
উত্তর: এটি ওয়েফার পৃথকীকরণ/সংগ্রহ, সিরামিক ক্যারিয়ার বাফারিং, ক্যারিয়ার ক্লিনিং এবং ওয়েফার মাউন্টিংকে একটি সমন্বিত অটোমেশন লাইনে একত্রিত করে পোস্ট-পলিশ অপারেশনগুলিকে সুসংহত করে—ম্যানুয়াল স্পর্শবিন্দু হ্রাস করে এবং উৎপাদন ছন্দকে স্থিতিশীল করে।

প্রশ্ন ২: কোন ওয়েফার উপাদান এবং আকার সমর্থিত?
উত্তর: সিলিকন এবং SiC, ৬–৮ ইঞ্চি ওয়েফার (প্রদত্ত স্পেসিফিকেশন অনুযায়ী)।

প্রশ্ন ৩: কেন শিল্পে পোস্ট-সিএমপি ক্লিনিং-এর উপর জোর দেওয়া হয়?
উত্তর: শিল্প সাহিত্য উল্লেখ করে যে পরবর্তী ধাপে ত্রুটির ঘনত্ব কমাতে কার্যকর পোস্ট-সিএমপি ক্লিনিং-এর চাহিদা বেড়েছে; কণা অপসারণের উন্নতি করতে মেগাসনিক-ভিত্তিক পদ্ধতিগুলি সাধারণত অধ্যয়ন করা হয়।