 
|
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMKJ |
| মডেল নম্বার: | আন-ডোপড dia2x10mmt |
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 10 খানা |
|---|---|
| মূল্য: | by case |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | প্লাস্টিকের বাক্স এবং অন্তরক কাগজ |
| ডেলিভারি সময়: | 2-3 সপ্তাহ |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম |
| যোগানের ক্ষমতা: | 1-50 পিসি/মাস |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উপাদান: | পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন কার্বাইড | কঠোরতা: | 9.2-9.6 |
|---|---|---|---|
| আকৃতি: | নলাকার | সহনশীলতা: | ±0.1 মিমি |
| আবেদন: | অপটিক্যাল | টাইপ: | উচ্চ বিশুদ্ধতা 4h-সেমি |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা: | >1E7 Ω | রঙ: | গাঢ় ধূসর |
| পৃষ্ঠতল: | ডিএসপি | ||
| লক্ষণীয় করা: | হোলো সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,পলিশিং সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,সিরামিক অপটিক্যাল এলিমেন্ট SiC |
||
ডোপড 4 ঘন্টা-আধা উচ্চ বিশুদ্ধতা কাস্টমাইজড সাইজ সিরামিক ক্রিস্টাল রড লেন্স ব্যাস 2 মিমি 10 মিমি দৈর্ঘ্যউচ্চ নির্ভুলতা 1 মিমি 2 মিমি 3 মিমি 4 মিমি 5 মিমি 6 মিমি 24 মিমি ইত্যাদি সিলিকন কার্বাইড সিরামিক বল বিয়ারিং সিক বিডসের জন্য শিল্প কাস্টমাইজড কালো SiC সিলিকন কার্বাইড সিরামিক প্লেট
6 ইঞ্চি উচ্চ-বিশুদ্ধতা আধা-অন্তরক 4H-SiC সাবস্ট্রেট স্পেসিফিকেশন
| সম্পত্তি | UfUhni) গ্রেড |P (Produeben) গ্রেড | আর (গবেষণা) গ্রেড | ডি (ডামি〉শ্রেণী | |
| ব্যাস | 150.0 mmHJ.25 মিমি | |||
| সারফেস অনকনিয়েশন | {0001} ±0.2. | |||
| প্রাইমারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টালিক | <ll-20>±5.0# | |||
| সেকেন্ডারি হ্যাট OrientaUen | N>A | |||
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 47.5 মিমি ±1.5 মিমি | |||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | কোনোটিই নয় | |||
| ওয়া知প্রান্ত | চেম্ফার | |||
| মাইক্রোপিপিসি ঘনত্ব | <1 knr <5 /cm2 | <10/সেমি2 | <50/সেমি2 | |
| উচ্চ-imcnsity আলো দ্বারা Poljlypc এলাকা | কোনোটিই নয় | <10% | ||
| প্রতিহত করা!vit), | >lE7Hcm | (এলাকা75%)>lE7D সেমি | ||
| পুরুত্ব | 350.0 pm ± 25.0 জিম বা 500.0呻±25.C pm | |||
| টিটিভি | S রাত 10 টা | |||
| বাউ<পরম মূল্য) | = 40 টা | |||
| ওয়ার্প | - 60 টা | |||
| সারফেস ফিনিশ | C-focc: অপটিক্যাল পালিশ, Si-focc: CMP | |||
| Roughncss(lC UmXIOu m) | CMP Si-bee Ra<C,5 nm | N/A | ||
| উচ্চ-intcnsity* আলো দ্বারা ক্র্যাক | কোনোটিই নয় | |||
| ডিফিউজ লাইটিং দ্বারা এজ চিপস/lndcnts | কোনোটিই নয় | Qly<2, tbc দৈর্ঘ্য এবং প্রস্থ প্রতিটি V 1 মিমি | ||
| কার্যকরী এলাকা | >90% | >8C% | N/A | |
ZMKJ কোম্পানি সম্পর্কে
ZMKJ ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক শিল্পে উচ্চ মানের একক ক্রিস্টাল SiC ওয়েফার (সিলিকন কার্বাইড) সরবরাহ করতে পারে।সিলিকন ওয়েফার এবং GaAs ওয়েফারের তুলনায় SiC ওয়েফার একটি পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, অনন্য বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং চমৎকার তাপীয় বৈশিষ্ট্য সহ, SiC ওয়েফার উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ শক্তি ডিভাইস প্রয়োগের জন্য আরও উপযুক্ত।SiC ওয়েফার 2-6 ইঞ্চি ব্যাস সরবরাহ করা যেতে পারে, উভয় 4H এবং 6H SiC, N-টাইপ, নাইট্রোজেন ডোপড, এবং আধা-অন্তরক ধরনের উপলব্ধ।আরো পণ্য তথ্যের জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন.
