 |
6 এইচ-এন সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্টার্ট / ওয়েফার MOSFETs、JFETs BJTs এর জন্য উচ্চ প্রতিরোধের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMSH |
| মডেল নম্বার: | 4H সেমি-ইনসুলেটিং SiC সাবস্টার্ট/ওয়েফার |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 1 |
|---|---|
| ডেলিভারি সময়: | 2-4 সপ্তাহ |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| গ্রেড: | উৎপাদন গ্রেড গবেষণা গ্রেড ডামি গ্রেড | ব্যাসার্ধ: | 100.0 মিমি +/- 0.5 মিমি |
|---|---|---|---|
| বেধ: | 500 um +/- 25 um (অর্ধ-নিরোধক প্রকার), 350 um +/- 25 um (N প্রকার) | ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন: | অক্ষে: <0001> +/- 4H-SI অফ অক্ষের জন্য 0.5 ডিগ্রি: 4H-N এর জন্য 4.0 ডিগ্রি <11-20> +/-0. |
| বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা (ওহম-সিএম): | 4H-N 0.015~0.028 4H-SI>1E5 | ডোপিং ঘনত্ব: | এন-টাইপ: ~ 1E18/cm3 SI-টাইপ (V-ডোপড): ~ 5E18/cm3 |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট: | 32.5 মিমি +/- 2.0 মিমি | সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য: | 18.0 মিমি +/- 2.0 মিমি |
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন: | সিলিকন মুখোমুখিঃ 90 ডিগ্রি সিডব্লিউ থেকে প্রাথমিক সমতল +/- 5.0 ডিগ্রি | ||
| লক্ষণীয় করা: | 6H-N সেমি-ইনসুলেটিং SiC Substarte,6H-N সেমি-ইনসুলেটিং SiC ওয়েফার,ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্টার্ট |
||
পণ্যের বর্ণনা
6H-N MOSFETs,JFETs BJTs,উচ্চ প্রতিরোধের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপের জন্য আধা-বিচ্ছিন্ন SiC সাবস্টার্ট/ওয়েফার
সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্টার্ট/ওয়েফারের সংক্ষিপ্তসার
উন্নত ইলেকট্রনিক ডিভাইসের ক্ষেত্রে সেমি-ইনসুলেটিং সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) সাবস্ট্র্যাট/ওয়েফারগুলি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে।উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, এবং রাসায়নিক স্থায়িত্ব তাদের বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অত্যন্ত পছন্দসই করে তোলে। এই সংক্ষিপ্তসারটি অর্ধ-বিচ্ছিন্নকারী সিআইসি সাবস্ট্র্যাট / ওয়েফারের বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশনগুলির একটি ওভারভিউ সরবরাহ করে।এটি তাদের আধা-বিচ্ছিন্ন আচরণ নিয়ে আলোচনা করে, যা ইলেকট্রনের অবাধ চলাচলকে বাধা দেয়, যার ফলে ইলেকট্রনিক ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং স্থিতিশীলতা বৃদ্ধি পায়।SiC এর বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ উচ্চ ইলেকট্রন ড্রাইভ এবং স্যাচুরেশন ড্রাইভ গতি সক্ষম, উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন জন্য অপরিহার্য। উপরন্তু, SiC এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা দক্ষ তাপ dissipation নিশ্চিত করে,এটিকে কঠোর অপারেটিং পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে. SiC এর রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং যান্ত্রিক কঠোরতা বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এর নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থায়িত্বকে আরও উন্নত করে।সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্ট্রেট/ওয়েফারগুলি উন্নত পারফরম্যান্স এবং নির্ভরযোগ্যতার সাথে পরবর্তী প্রজন্মের ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য একটি আকর্ষণীয় সমাধান সরবরাহ করে.
সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্টার্ট/ওয়েফারের উইন্ডোজিন
সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবসার্ট/ওয়েফারের ডেটা চার্ট (অংশিক)
| প্রধান পারফরম্যান্স পরামিতি | |
|
পণ্যের নাম
|
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্র্যাট, সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার, সিআইসি ওয়েফার, সিআইসি সাবস্ট্র্যাট
|
|
বৃদ্ধি পদ্ধতি
|
এমওসিভিডি
|
|
স্ফটিক গঠন
|
৬টা, ৪টা
|
|
গ্রিজ প্যারামিটার
|
6H ((a=3.073 Å c=15.117 Å),
4H ((a=3.076 Å c=10.053 Å) |
|
স্ট্যাকিং সিকোয়েন্স
|
6H: ABCACB,
4H: ABCB |
|
গ্রেড
|
উৎপাদন গ্রেড, গবেষণা গ্রেড, ডামি গ্রেড
|
|
পরিবাহিতা প্রকার
|
এন-টাইপ বা সেমি-ইনসোলিং |
|
ব্যান্ড-গ্যাপ
|
3.23 eV
|
|
কঠোরতা
|
9.2 ((মহ)
|
|
তাপ পরিবাহিতা @300K
|
3.২-৪.৯ W/cm.K
|
|
ডায়েলেক্ট্রিক ধ্রুবক
|
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
|
|
প্রতিরোধ ক্ষমতা
|
4H-SiC-N: 0.015 ~ 0.028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0.02 ~ 0.1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm |
|
প্যাকিং
|
ক্লাস ১০০ ক্লিন ব্যাগ, ক্লাস ১০০০ ক্লিন রুমে
|
| স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন | |||||
| পণ্যের নাম | নির্দেশনা | স্ট্যান্ডার্ড সাইজ | বেধ | পলিশিং | |
| ৬এইচ-সিসি সাবস্ট্র্যাট ৪এইচ-সিসি সাবস্ট্র্যাট |
<0001> <0001> <11-20> এর দিকে 4° <১১-২০> <১০-১০> অথবা অন্য অ-কোণ |
১০x১০ মিমি ১০x৫ মিমি ৫x৫ মিমি 20x20 মিমি φ2" x 0.35 মিমি φ3" x 0.35 মিমি φ4" x 0.35 মিমি φ4" x 0.5 মিমি φ6" x 0.35 মিমি অথবা অন্যদের |
0.১ মিমি 0.২ মিমি 0.5 মিমি 1.0 মিমি 2.0 মিমি অথবা অন্যদের |
ভাল মাটি একপাশের পোলিশ ডাবল সাইড পোলিশ রুক্ষতাঃ Ra<3A ((0.3nm) |
তদন্ত Oঅফলাইন |
মূল অ্যাপ্লিকেশনঃ
অর্ধ-নিরোধক সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) সাবস্ট্র্যাট / ওয়েফারগুলি বেশ কয়েকটি উচ্চ-কার্যকারিতা ইলেকট্রনিক ডিভাইসে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়। এখানে কয়েকটি মূল অ্যাপ্লিকেশন রয়েছেঃ
-
পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স:ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি) এর মতো পাওয়ার ডিভাইসগুলির উত্পাদনে আধা-ইনসুলেটিং সিআইসি সাবস্ট্রেট ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়,জংশন ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি), এবং বিপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি) । সিআইসির বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ এই ডিভাইসগুলিকে উচ্চতর তাপমাত্রা এবং ভোল্টেজে কাজ করার অনুমতি দেয়,বৈদ্যুতিক যানবাহনের মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য শক্তি রূপান্তর সিস্টেমে দক্ষতা বৃদ্ধি এবং হ্রাস ক্ষতির ফলে, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি এবং শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ।
-
রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ) ডিভাইস:সিআইসি ওয়েফারগুলি মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার এবং আরএফ সুইচগুলির মতো আরএফ ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়। সিআইসির উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং স্যাচুরেশন গতি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি,ওয়্যারলেস যোগাযোগের মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শক্তির আরএফ ডিভাইস, রাডার সিস্টেম, এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগ।
-
অপটোইলেকট্রনিক্স:আল্ট্রাভায়োলেট (ইউভি) ফটোডেটেক্টর এবং হালকা নির্গত ডায়োড (এলইডি) তৈরিতে অর্ধ-নিরোধক সিআইসি সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করা হয়।ইউভি আলোর প্রতি সিআইসির সংবেদনশীলতা এটিকে অগ্নি সনাক্তকরণের মতো ক্ষেত্রে ইউভি সনাক্তকরণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে, ইউভি নির্বীজন, এবং পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ।
-
উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্সঃসিআইসি ডিভাইসগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করে, যা এয়ারস্পেস, অটোমোটিভ এবং ডাউনহোল ড্রিলিংয়ের মতো উচ্চ তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।সিআইসি সাবস্ট্রেটগুলি সেন্সর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, actuators, এবং নিয়ন্ত্রণ সিস্টেম যা কঠোর অপারেটিং অবস্থার প্রতিরোধ করতে পারে।
-
ফোটনিক্স:সিআইসি সাবস্ট্রেটগুলি অপটিক্যাল সুইচ, মডুলেটর এবং ওয়েভগাইডের মতো ফোটনিক ডিভাইসগুলির বিকাশে ব্যবহৃত হয়।সিআইসির বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা উচ্চ-ক্ষমতা উত্পাদন করতে সক্ষম করে, টেলিযোগাযোগ, সেন্সিং এবং অপটিক্যাল কম্পিউটিংয়ের জন্য উচ্চ গতির ফোটনিক ডিভাইস।
-
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ ক্ষমতা অ্যাপ্লিকেশনঃসিআইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-শক্তি ডিভাইস যেমন শটকি ডায়োড, থাইরিস্টর এবং উচ্চ-ইলেকট্রন গতিশীল ট্রানজিস্টর (এইচইএমটি) উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়।এই ডিভাইসগুলি রাডার সিস্টেমে অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়, ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন ইনফ্রাস্ট্রাকচার এবং পার্টিকল অ্যাক্সিলারেটর।
সংক্ষেপে, অর্ধ-বিচ্ছিন্নকারী সিআইসি সাবস্ট্রেট/ওয়েফার বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, উচ্চতর কর্মক্ষমতা, নির্ভরযোগ্যতা,এবং ঐতিহ্যগত অর্ধপরিবাহী উপকরণ তুলনায় দক্ষতাতাদের বহুমুখিতা তাদের একাধিক শিল্প জুড়ে পরবর্তী প্রজন্মের ইলেকট্রনিক সিস্টেমের জন্য একটি পছন্দসই পছন্দ করে তোলে।
অনুরূপ পণ্যগুলির প্রস্তাব ((পণ্যের বিস্তারিত পৃষ্ঠায় যেতে ছবিতে ক্লিক করুন।
①6 ইঞ্চি Dia153mm 0.5mm একক স্ফটিক SiC
②৮ ইঞ্চি ২০০ মিমি পলিশিং সিলিকন কার্বাইড ইঙ্গট সাবস্ট্র্যাট সিস চিপ
③উচ্চ নির্ভুলতা সিআইসি গোলাকার আয়না ধাতু অপটিক্যাল প্রতিফলক