|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| পলিটাইপ: | 4H 6H | প্রতিরোধ ক্ষমতা (RT) পৃষ্ঠের রুক্ষতা: | >1E5 Ω.cm |
|---|---|---|---|
| পৃষ্ঠের রুক্ষতা: | 0.5 এনএম (সি-ফেস সিএমপি ইপি-রেডি) | FWHM: | A<30 arcsec |
| টিটিভি: | 25um | নম: | 25um |
| ওয়ার্প: | 25um | প্রাথমিক সমতল অভিযোজন: | <11-20>+5.0° |
| পৃষ্ঠতল সমাপ্তি: | একক বা ডবল মুখ পালিশ করা | ব্যবহারযোগ্য এলাকা: | ≥ 90% |
| লক্ষণীয় করা: | উচ্চ যান্ত্রিক কঠোরতা সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি,ক্রিস্টাল কাঠামো 4H-SiC,সেমি-ইনসোলিং সিআইসি ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
সংক্ষিপ্তসার
৪-এইচসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিসাবস্ট্র্যাট একটি উচ্চ-কার্যকারিতা অর্ধপরিবাহী উপাদান যা বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন সহ। এটি 4H স্ফটিক কাঠামোর উপর তার বৃদ্ধি থেকে এর নাম প্রাপ্ত।এই স্তরটি ব্যতিক্রমী বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, উচ্চ প্রতিরোধের এবং কম ক্যারিয়ার ঘনত্ব সহ, এটি রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ), মাইক্রোওয়েভ এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।
4-এইচ এর মূল বৈশিষ্ট্যসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিসাবস্ট্রেট অত্যন্ত অভিন্ন বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য, কম অমেধ্য ঘনত্ব, এবং অসামান্য তাপ স্থিতিশীলতা অন্তর্ভুক্ত।এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি আরএফ পাওয়ার ডিভাইসগুলির উত্পাদন জন্য এটি উপযুক্ত করে তোলে, উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক সেন্সর এবং মাইক্রোওয়েভ ইলেকট্রনিক সরঞ্জাম।এর উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্র শক্তি এবং চমৎকার তাপ পরিবাহিতা উচ্চ ক্ষমতা ডিভাইসের জন্য পছন্দসই স্তর হিসাবে এটি অবস্থান.
উপরন্তু, 4-এইচসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিস্তরটি চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, এটি ক্ষয়কারী পরিবেশে কাজ করার অনুমতি দেয় এবং এর অ্যাপ্লিকেশন পরিসীমা প্রসারিত করে।এটি অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের মতো শিল্পে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, টেলিযোগাযোগ, প্রতিরক্ষা, এবং উচ্চ-শক্তি পদার্থবিজ্ঞান পরীক্ষা।
সংক্ষেপে, ৪-এইচসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিসুপারস্ট্রেট, যার অসাধারণ বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য রয়েছে,সেমিকন্ডাক্টর ক্ষেত্রে উল্লেখযোগ্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ এবং উচ্চ-কার্যকারিতা ইলেকট্রনিক ডিভাইস উৎপাদনের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য ভিত্তি প্রদান করে.
বৈশিষ্ট্য
উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস:সেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএটি উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য আদর্শ কারণ এর উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা। এটি পাওয়ার MOSFETs, ডায়োড এবং IGBTs ব্যবহার করা হয়
আরএফ ডিভাইসঃ এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং কম ক্ষতির কারণে,সেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএইচআর ডিভাইস যেমন মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার এবং আরএফ ট্রানজিস্টরগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস:সেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএছাড়াও এটি চমৎকার অপটোইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, যা এটি এলইডি, লেজার এবং ফটোডেটেক্টর তৈরির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে ইলেকট্রনিক ডিভাইসঃ উপাদানটির উচ্চ গলনাঙ্ক এবং চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতাসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিউচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করে এমন ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন এয়ারস্পেস, অটোমোটিভ এবং শিল্প প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণে।
রেডিয়েশন-হার্ডেড ডিভাইসঃসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএটি বিকিরণে অত্যন্ত প্রতিরোধী, যা পারমাণবিক চুল্লি এবং মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বিকিরণ-শক্ত ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য উপযুক্ত।
সেন্সর: এর অনন্য বৈশিষ্ট্যসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএই উপাদানটি বিভিন্ন ধরনের সেন্সর যেমন তাপমাত্রা সেন্সর, চাপ সেন্সর এবং রাসায়নিক সেন্সর তৈরির জন্য উপযুক্ত।
বৈশিষ্ট্যঃ
উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতাঃসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিখুব উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, যার অর্থ এটি কার্যকরভাবে বৈদ্যুতিক স্রোতের প্রবাহকে বাধা দিতে পারে, এটিকে উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে একটি নিরোধক স্তর হিসাবে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে
উচ্চ তাপ পরিবাহিতাঃসিআইসিউপাদানটির তাপ পরিবাহিতা খুব বেশি, যা দ্রুত এবং দক্ষতার সাথে ডিভাইস থেকে তাপ ছড়িয়ে দিতে সহায়তা করে, যার ফলে ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধি পায়।
উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজঃসেমি-ইসোলেটিং সিআইসিএটির খুব উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ রয়েছে, যার অর্থ এটি উচ্চ ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বৈদ্যুতিক ভাঙ্গনের অভিজ্ঞতা ছাড়াই কাজ করতে পারে।
চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা:সিআইসিএটি বিভিন্ন তাপমাত্রায় রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল থাকে এবং বেশিরভাগ অ্যাসিড এবং বেসের প্রতি অত্যন্ত প্রতিরোধী।
উচ্চ গলনাঙ্কঃসিআইসিএর গলন পয়েন্ট প্রায় ২,৭৩০° সেলসিয়াস (৪,৯৪৬° ফারেনহাইট), যা অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে সক্ষম করে।
বিকিরণ সহনশীলতাঃ সেমি-ইনসুলেটিংসিআইসিএটি বিকিরণের প্রতি উচ্চ সহনশীলতা প্রদর্শন করে, যা পারমাণবিক চুল্লি এবং মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এটিকে চমৎকারভাবে সম্পাদন করে।
চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যঃসিআইসিএটি একটি খুব শক্ত উপাদান, যা দুর্দান্ত পরিধান প্রতিরোধের এবং উচ্চ শক্তি প্রদর্শন করে।
ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর:সিআইসিএটি একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর, যার উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং কম ফুটো প্রবাহ রয়েছে, যার ফলে উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে অসামান্য পারফরম্যান্স রয়েছে।
| সম্পত্তি | বর্ণনা |
| উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা | খুব উচ্চ বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে কার্যকর বিচ্ছিন্নকারী হিসাবে কাজ করে। |
| উচ্চ তাপ পরিবাহিতা | দ্রুত এবং দক্ষতার সাথে তাপ ছড়িয়ে দেয়, ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধি করে। |
| উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | বৈদ্যুতিক ভাঙ্গন ছাড়াই উচ্চ-ভোল্টেজ অবস্থার অধীনে কাজ করতে পারে। |
| চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা | তাপমাত্রার বিস্তৃত পরিসরে স্থিতিশীল থাকে এবং বেশিরভাগ অ্যাসিড এবং বেসের প্রতি অত্যন্ত প্রতিরোধী। |
| উচ্চ গলনাঙ্ক | এটি অত্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে স্থিতিশীলতা বজায় রাখে, যার গলনাঙ্ক প্রায় 2,730বন্দীসি (৪,946বন্দীF) । |
| বিকিরণ সহনশীলতা | এটি বিকিরণে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদর্শন করে, পারমাণবিক চুল্লি এবং মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত। |
| চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য | খুব শক্ত উপাদান, অসামান্য পরিধান প্রতিরোধের এবং উচ্চ শক্তি প্রদান করে। |
| ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর | উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং কম ফুটো প্রবাহের কারণে ভাল কাজ করে। |
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফারগুলি প্রধানত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য ব্যবহৃত অর্ধপরিবাহী উপাদানগুলির পাতলা স্লাইস। শিপিংয়ের সময় ওয়েফারগুলি ক্ষতিগ্রস্থ না হয় তা নিশ্চিত করার জন্য,সঠিক প্যাকেজিং এবং শিপিং নির্দেশাবলী অনুসরণ করা গুরুত্বপূর্ণ.
প্যাকেজ
- ওয়েফারগুলিকে একটি ESD নিরাপদ প্যাকেজে পাঠানো উচিত।
- প্রতিটি ওয়েফারকে ESD নিরাপদ উপাদান যেমন ESD ফোম বা বুদবুদ আবরণ দিয়ে আবৃত করা উচিত।
- প্যাকেজটি ESD সুরক্ষা টেপ দিয়ে সিল করা উচিত।
- প্যাকেজটি ESD নিরাপদ প্রতীক এবং "Fragile" স্টিকার দিয়ে লেবেল করা উচিত।