| ব্র্যান্ডের নাম: | ZMSH |
| MOQ.: | 2 |
| মূল্য: | by case |
| প্যাকেজিংয়ের বিবরণ: | কাস্টম কার্টন |
| অর্থ প্রদানের শর্তাবলী: | টি/টি |
12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারগুলি উন্নত অর্ধপরিবাহী এবং অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উত্পাদিত অতি-বড় ব্যাসাকার একক-ক্রিস্টাল সাফাইর সাবস্ট্র্যাট।ঐতিহ্যগত 2 ¢ 6 ইঞ্চি sapphire wafers সঙ্গে তুলনা, ১২ ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফার উৎপাদন দক্ষতা, উপাদান ব্যবহার এবং ডিভাইস অভিন্নতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে, তাদের পরবর্তী প্রজন্মের এলইডি, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স,এবং উন্নত প্যাকেজিং প্রযুক্তি.
আমাদের ১২ ইঞ্চি সাফিরের ওয়েফার তৈরি হয় উচ্চ বিশুদ্ধতার Al2O3 একক স্ফটিক থেকে উন্নত স্ফটিক বৃদ্ধির পদ্ধতি দ্বারা উত্পাদিত, তারপরে সুনির্দিষ্ট slicing, lapping, পলিশিং,এবং কঠোর মান পরিদর্শন. ওয়েফারগুলি চমৎকার পৃষ্ঠের সমতা, কম ত্রুটি ঘনত্ব এবং উচ্চ অপটিক্যাল এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতার বৈশিষ্ট্যযুক্ত, যা বড় এলাকার ডিভাইস উত্পাদনের কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
![]()
সাফায়ার (একক-ক্রিস্টাল অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড, Al2O3) এর অসামান্য শারীরিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য সুপরিচিত।12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফার একটি অনেক বড় ব্যবহারযোগ্য পৃষ্ঠতল প্রদান করার সময় সাফাইর উপাদান সব সুবিধা উত্তরাধিকার.
মূল উপাদান বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
অত্যন্ত উচ্চ কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধের
চমৎকার তাপ স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ গলনাঙ্ক
অ্যাসিড এবং ক্ষারগুলির জন্য উচ্চতর রাসায়নিক প্রতিরোধের
ইউভি থেকে আইআর তরঙ্গদৈর্ঘ্য থেকে উচ্চ অপটিকাল স্বচ্ছতা
চমৎকার বৈদ্যুতিক নিরোধক বৈশিষ্ট্য
এই বৈশিষ্ট্যগুলি 12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারকে কঠোর প্রক্রিয়াজাতকরণ পরিবেশ এবং উচ্চ তাপমাত্রা অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
১২ ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফার উৎপাদনের জন্য উন্নত স্ফটিক বৃদ্ধির এবং অতি-নির্ভুলতা প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির প্রয়োজন।
একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি
উচ্চ বিশুদ্ধতা সাফাইর স্ফটিকগুলি কেওয়াই বা অন্যান্য বড় ব্যাসের স্ফটিক বৃদ্ধির প্রযুক্তির মতো উন্নত পদ্ধতি ব্যবহার করে উত্থিত হয়, অভ্যন্তরীণ চাপ কম এবং অভিন্ন স্ফটিকের দিকনির্দেশনা নিশ্চিত করে।
স্ফটিকের আকৃতি এবং কাটা
নীল রত্ন থেকে তৈরি এই রত্নটি সুনির্দিষ্টভাবে আকৃতির হয় এবং উচ্চ নির্ভুলতার কাটার সরঞ্জাম ব্যবহার করে ভূগর্ভস্থ ক্ষয়ক্ষতি কমাতে 12 ইঞ্চি ওয়েফারে কাটা হয়।
ল্যাপিং এবং পলিশিং
মাল্টি-স্টেপ ল্যাপিং এবং রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (সিএমপি) প্রক্রিয়াগুলি চমৎকার পৃষ্ঠের রুক্ষতা, সমতলতা এবং বেধ অভিন্নতা অর্জনের জন্য প্রয়োগ করা হয়।
পরিষ্কার ও পরিদর্শন
প্রতিটি ১২ ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারকে পুঙ্খানুপুঙ্খভাবে পরিষ্কার এবং কঠোর পরিদর্শন করা হয়, যার মধ্যে রয়েছে পৃষ্ঠের গুণমান, টিটিভি, নম, ওয়ার্প এবং ত্রুটি বিশ্লেষণ।
12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারগুলি উন্নত এবং উদীয়মান প্রযুক্তিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে রয়েছেঃ
উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ উজ্জ্বলতা LED সাবস্ট্রেট
GaN-ভিত্তিক পাওয়ার ডিভাইস এবং RF ডিভাইস
অর্ধপরিবাহী সরঞ্জাম বহনকারী এবং নিরোধক স্তর
অপটিক্যাল উইন্ডো এবং বড় আকারের অপটিক্যাল উপাদান
উন্নত অর্ধপরিবাহী প্যাকেজিং এবং বিশেষ প্রক্রিয়া বাহক
বৃহত্তর ব্যাসার্ধের ফলে ভর উৎপাদন ক্ষেত্রে উচ্চতর থ্রুপুট এবং উন্নত খরচ দক্ষতা সম্ভব হয়।
প্রতি ওয়েফারে উচ্চতর ডিভাইস আউটপুটের জন্য বৃহত্তর ব্যবহারযোগ্য অঞ্চল
প্রক্রিয়াগুলির সামঞ্জস্য এবং অভিন্নতার উন্নতি
উচ্চ-ভলিউম উত্পাদনে ডিভাইস প্রতি ব্যয় হ্রাস
বড় আকারের হ্যান্ডলিংয়ের জন্য চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি
বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য কাস্টমাইজযোগ্য স্পেসিফিকেশন
![]()
আমরা 12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারের জন্য নমনীয় কাস্টমাইজেশন অফার করি, যার মধ্যে রয়েছেঃ
ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন (সি-প্লেন, এ-প্লেন, আর-প্লেন ইত্যাদি)
বেধ এবং ব্যাসার্ধের অনুমোদন
একপাশের বা ডাবল-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং
প্রান্তের প্রোফাইল এবং চ্যামফার ডিজাইন
পৃষ্ঠের রুক্ষতা এবং সমতলতার প্রয়োজনীয়তা
| প্যারামিটার | স্পেসিফিকেশন | নোট |
|---|---|---|
| ওয়েফারের ব্যাসার্ধ | ১২ ইঞ্চি (৩০০ মিমি) | স্ট্যান্ডার্ড বড় ব্যাসার্ধের ওয়েফার |
| উপাদান | একক-ক্রিস্টাল সাফাইর (Al2O3) | উচ্চ বিশুদ্ধতা, ইলেকট্রনিক/অপটিক্যাল গ্রেড |
| ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন | সি-প্লেন (0001), এ-প্লেন (11-20), আর-প্লেন (1-102) | বিকল্প দিকনির্দেশনা উপলব্ধ |
| বেধ | ৪৩০-৫০০ মাইক্রোমিটার | অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টম বেধ উপলব্ধ |
| বেধ সহনশীলতা | ±10 μm | উন্নত ডিভাইসের জন্য কঠোর সহনশীলতা |
| মোট বেধের পরিবর্তন (টিটিভি) | ≤10 μm | ওয়েফার জুড়ে অভিন্ন প্রক্রিয়া নিশ্চিত করে |
| নমস্কার | ≤50 μm | পুরো ওয়েফারের উপর পরিমাপ করা |
| ওয়ার্প | ≤50 μm | পুরো ওয়েফারের উপর পরিমাপ করা |
| পৃষ্ঠতল সমাপ্তি | একপাশের পোলিশ (এসএসপি) / ডাবল সাইড পোলিশ (ডিএসপি) | উচ্চ অপটিক্যাল মানের পৃষ্ঠ |
| পৃষ্ঠের রুক্ষতা (Ra) | ≤০.৫ এনএম (পোলিশ) | এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য পারমাণবিক স্তরের মসৃণতা |
| এজ প্রোফাইল | চ্যামফার / গোলাকার প্রান্ত | হ্যান্ডলিংয়ের সময় চিপিং প্রতিরোধ করার জন্য |
| ওরিয়েন্টেশন নির্ভুলতা | ±0.5° | যথাযথ ইপিট্যাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি নিশ্চিত করে |
| ত্রুটি ঘনত্ব | < ১০ সেমি−২ | অপটিক্যাল পরিদর্শন দ্বারা পরিমাপ |
| সমতল | ≤2 μm / 100 মিমি | অভিন্ন লিথোগ্রাফি এবং ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে |
| পরিচ্ছন্নতা | ক্লাস ১০০ ∙ ক্লাস ১০০০ | ক্লিনরুম সামঞ্জস্যপূর্ণ |
| অপটিক্যাল ট্রান্সমিশন | > ৮৫% (ইউভি-আইআর) | তরঙ্গদৈর্ঘ্য এবং বেধ উপর নির্ভর করে |
প্রশ্ন ১ঃ ১২ ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারের স্ট্যান্ডার্ড বেধ কত?
উত্তরঃ স্ট্যান্ডার্ড বেধ 430 μm থেকে 500 μm পর্যন্ত। গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টম বেধও তৈরি করা যেতে পারে।
প্রশ্ন ২ঃ ১২ ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারের জন্য কোন ক্রিস্টালের দিকনির্দেশনা পাওয়া যায়?
উত্তরঃ আমরা সি-প্লেন (0001), এ-প্লেন (11-20), এবং আর-প্লেন (1-102) ওরিয়েন্টেশন অফার করি। অন্যান্য ওরিয়েন্টেশন নির্দিষ্ট ডিভাইসের প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে।
প্রশ্ন ৩ঃ ওয়েফারের মোট বেধের বৈচিত্র্য (টিটিভি) কত?
উত্তরঃ আমাদের 12 ইঞ্চি সাফাইর ওয়েফারগুলির সাধারণত একটি টিটিভি ≤10 μm থাকে, যা উচ্চ মানের ডিভাইস উত্পাদনের জন্য পুরো ওয়েফার পৃষ্ঠ জুড়ে অভিন্নতা নিশ্চিত করে।
সংশ্লিষ্ট পণ্য
![]()