 |
আইএনওআই ওয়েফার লিথিয়াম নিওবেট অন আইসোলেটর 2/3/4/6/8 ইঞ্চি এলএন সাবস্ট্র্যাট
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMSH |
| মডেল নম্বার: | 2 "/3"/4 "/6"/8 " |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 2 |
|---|---|
| মূল্য: | 200 USD |
| Packaging Details: | custom cartons |
| Delivery Time: | 2-3 weeks |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি |
| Supply Ability: | by case |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| Material: | LiNbO3 | Diameter/size: | 2”/3”/4”/6“/8” |
|---|---|---|---|
| Cutting Angle: | X/Y/Z etc | TTV: | <3μm |
| Bow: | -30| Warp: |
<40μm |
|
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 2 ইঞ্চি লিথিয়াম নিওবেট আইসোলেটর উপর,4 ইঞ্চি লিথিয়াম নিওবেট আইসোলেটর উপর,8 ইঞ্চি লিথিয়াম নিওবেট আইসোলেটর উপর |
||
পণ্যের বর্ণনা
LNOI ওয়েফার (ইনসুলেটরের উপর লিথিয়াম নিওবেট)2/3/4/6/8 ইঞ্চি Si/LN সাবস্ট্রেট
ভূমিকা
LNOI ওয়েফারগুলি সাধারণত সিলিকন-এর মতো একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ লিথিয়াম নিওবেটের (LiNbO₃) একটি পাতলা স্তর নিয়ে গঠিত। লিথিয়াম নিওবেট স্তরটি চমৎকার অপটিক্যাল এবং পাইজোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, যা এটিকে বিভিন্ন উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
LNOI (ইনসুলেটরের উপর লিথিয়াম নিওবেট) ওয়েফারগুলি উন্নত ফোটোনিক এবং কোয়ান্টাম ডিভাইসগুলির বিকাশে ব্যবহৃত একটি অত্যাধুনিক উপাদান। এই ওয়েফারগুলি আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং ওয়েফার বন্ডিংয়ের মতো বিশেষ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে সাধারণত সিলিকন-এর মতো একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে পাতলা লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO₃) স্তরকে বন্ধন করে তৈরি করা হয়। LNOI ওয়েফারগুলি লিথিয়াম নিওবেটের ব্যতিক্রমী অপটিক্যাল এবং পাইজোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি উত্তরাধিকার সূত্রে লাভ করে, যা তাদের ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্স, টেলিযোগাযোগ এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তিতে উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অপরিহার্য করে তোলে। এই নিবন্ধটি LNOI ওয়েফার সম্পর্কে মৌলিক নীতি, মূল অ্যাপ্লিকেশন এবং প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী নিয়ে আলোচনা করে।
LNOI ওয়েফার তৈরির নীতি:
LNOI ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়াটি জটিল এবং চূড়ান্ত পণ্যের উচ্চ গুণমান এবং কার্যকারিতা নিশ্চিত করার জন্য বেশ কয়েকটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ জড়িত। এখানে মূল পর্যায়গুলির একটি বিস্তারিত বিবরণ দেওয়া হলো:
-
আয়ন ইমপ্লান্টেশন:
উৎপাদন প্রক্রিয়াটি একটি বাল্ক লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টাল দিয়ে শুরু হয়। উচ্চ-শক্তির হিলিয়াম (He) আয়ন ক্রিস্টালের পৃষ্ঠে স্থাপন করা হয়। আয়নগুলির শক্তি এবং গভীরতা লিথিয়াম নিওবেট স্তরের পুরুত্ব নির্ধারণ করে। এই আয়ন ইমপ্লান্টেশন ক্রিস্টালের মধ্যে একটি ভঙ্গুর তল তৈরি করে, যা প্রক্রিয়ার পরবর্তী পর্যায়ে আলাদা করা যেতে পারে এবং এর ফলে একটি পাতলা, উচ্চ-মানের লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম তৈরি হয়। -
সাবস্ট্রেটের সাথে বন্ধন:
আয়ন ইমপ্লান্টেশন প্রক্রিয়া সম্পন্ন হওয়ার পরে, লিথিয়াম নিওবেট স্তর (যা আয়ন দ্বারা দুর্বল হয়েছে) একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে বন্ধন করা হয়, সাধারণত সিলিকন। এটি সরাসরি ওয়েফার বন্ডিং কৌশল ব্যবহার করে করা হয়, যেখানে পৃষ্ঠগুলিকে উচ্চ চাপ এবং তাপমাত্রায় একসাথে চাপ দেওয়া হয়। এর ফলে পাতলা লিথিয়াম নিওবেট স্তর এবং সমর্থনকারী সাবস্ট্রেটের মধ্যে একটি স্থিতিশীল ইন্টারফেস তৈরি হয়। -
অ্যানিলিং এবং স্তর পৃথকীকরণ:
বন্ডিংয়ের পরে, ওয়েফারটি একটি অ্যানিলিং প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়, যা আয়ন ইমপ্লান্টেশন দ্বারা সৃষ্ট কোনো ক্ষতি মেরামত করতে সহায়তা করে। অ্যানিলিং পদক্ষেপটি বাল্ক ক্রিস্টাল থেকে লিথিয়াম নিওবেটের উপরের স্তরটিকে আলাদা করতে সহায়তা করে। এর ফলে সাবস্ট্রেটের উপর একটি উচ্চ-মানের পাতলা লিথিয়াম নিওবেট স্তর তৈরি হয়, যা বিভিন্ন ফোটোনিক এবং কোয়ান্টাম অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য অপরিহার্য। -
রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (CMP):
কাঙ্ক্ষিত পৃষ্ঠের গুণমান এবং সমতলতা অর্জনের জন্য, ওয়েফারটি রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (CMP) এর মধ্য দিয়ে যায়। CMP পৃষ্ঠের যেকোনো রুক্ষতা মসৃণ করে, যা নিশ্চিত করে যে চূড়ান্ত ওয়েফার উচ্চ-কার্যকারিতা ফোটোনিক ডিভাইসগুলিতে ব্যবহারের জন্য কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। এই পদক্ষেপটি সর্বোত্তম অপটিক্যাল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করতে এবং ত্রুটি কমাতে গুরুত্বপূর্ণ।
স্পেসিফিকেশনLNOI ওয়েফার কিসের তৈরি? LNOI ওয়েফারগুলি সাধারণত সিলিকন-এর মতো একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ লিথিয়াম নিওবেটের (LiNbO₃) একটি পাতলা স্তর নিয়ে গঠিত। লিথিয়াম নিওবেট স্তরটি চমৎকার অপটিক্যাল এবং পাইজোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, যা এটিকে বিভিন্ন উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
| উপাদান | অপটিক্যাল গ্রেড LiNbO3 ওয়েফার | |
| কুরি তাপমাত্রা | 1142±0.7℃ | |
| কাটিং এঙ্গেল | X/Y/Z ইত্যাদি | |
| ব্যাস/আকার | 2”/3”/4”/6"/8” | |
| সহ্যসীমা(±) | <0.20 মিমি ±0.005মিমি | |
| পুরুত্ব | 0.18～0.5মিমি বা তার বেশি | |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট | 16মিমি/22মিমি/32মিমি | |
| TTV | <3μm | |
| বক্রতা | -30<বক্রতা<30 | |
| ওয়ার্প | <40μm | |
| দিকনির্দেশনা ফ্ল্যাট | সব উপলব্ধ | |
| পৃষ্ঠ ধরন | একক পার্শ্বযুক্ত পলিশ করা(SSP)/দ্বি-পার্শ্বযুক্ত পলিশ করা(DSP) | |
| পালিশ করা পার্শ্ব Ra | <0.5nm | |
| S/D | 20/10 | |
| এজ শর্তাবলী | R=0.2mm C-টাইপ বা বুলনোজ | |
| গুণমান | ফাটল (বুদবুদ এবং অন্তর্ভুক্তি) মুক্ত | |
| অপটিক্যাল ডোপড | Mg/Fe/Zn/MgO ইত্যাদি অপটিক্যাল গ্রেড LN-এর জন্য< অনুরোধ করা প্রতি ওয়েফার | |
| ওয়েফার পৃষ্ঠ শর্তাবলী | প্রতিসরাঙ্ক | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য/প্রিজম কাপলার পদ্ধতি। |
| দূষণ, | কিছুই না | |
| কণা c>0.3μ m | <=30 | |
| স্ক্র্যাচ, চিপিং | কিছুই না | |
| ত্রুটি | কোন প্রান্তের ফাটল, স্ক্র্যাচ, করাতের চিহ্ন, দাগ নেই | |
| প্যাকেজিং | পরিমাণ/ওয়েফার বক্স | প্রতি বক্সে 25 পিসি |
LNOI ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন:
LNOI ওয়েফারগুলি বিভিন্ন ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, বিশেষ করে যেগুলিতে ফোটোনিক, কোয়ান্টাম এবং উচ্চ-গতির অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উন্নত উপাদানের বৈশিষ্ট্য প্রয়োজন। নিচে সেই প্রধান ক্ষেত্রগুলি উল্লেখ করা হলো যেখানে LNOI ওয়েফার অপরিহার্য:
-
ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্স:
LNOI ওয়েফারগুলি ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্সে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেখানে তারা মডুলেটর, ওয়েভগাইড এবং রেজোনেটরগুলির মতো ফোটোনিক ডিভাইসগুলির ভিত্তি হিসেবে কাজ করে। এই ডিভাইসগুলি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট স্তরে আলোর নিয়ন্ত্রণ করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ, যা উচ্চ-গতির ডেটা ট্রান্সমিশন, সংকেত প্রক্রিয়াকরণ এবং উন্নত অপটিক্যাল অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে সক্ষম করে। -
টেলিযোগাযোগ:
LNOI ওয়েফারগুলি টেলিযোগাযোগে, বিশেষ করে অপটিক্যাল যোগাযোগ সিস্টেমে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এগুলি অপটিক্যাল মডুলেটর তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়, যা উচ্চ-গতির ফাইবার-অপটিক নেটওয়ার্কগুলির জন্য অপরিহার্য উপাদান। LNOI-এর ব্যতিক্রমী ইলেক্ট্রো-অপটিক বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে সুনির্দিষ্ট আলো মডুলেশন করতে দেয়, যা আধুনিক যোগাযোগ ব্যবস্থার জন্য অপরিহার্য। -
কোয়ান্টাম কম্পিউটিং:
LNOI ওয়েফারগুলি কোয়ান্টাম প্রযুক্তির জন্য একটি আদর্শ উপাদান, কারণ এগুলি জড়িত ফোটন জোড়া তৈরি করতে পারে, যা কোয়ান্টাম কী বিতরণ (QKD) এবং কোয়ান্টাম ক্রিপ্টোগ্রাফির জন্য অপরিহার্য। কোয়ান্টাম কম্পিউটিং সিস্টেমে তাদের সংহতকরণ উন্নত ফোটোনিক সার্কিটগুলির বিকাশের অনুমতি দেয়, যা কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং যোগাযোগ প্রযুক্তির ভবিষ্যতের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। -
সেন্সিং প্রযুক্তি:
LNOI ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল এবং অ্যাকোস্টিক সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও ব্যবহৃত হয়। ওয়েফারগুলির আলো এবং শব্দ উভয়ের সাথেই ইন্টারঅ্যাক্ট করার ক্ষমতা তাদের চিকিৎসা রোগ নির্ণয়, পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ এবং শিল্প পরীক্ষার জন্য ব্যবহৃত সেন্সরগুলির জন্য মূল্যবান করে তোলে। তাদের উচ্চ সংবেদনশীলতা এবং স্থিতিশীলতা সঠিক পরিমাপ নিশ্চিত করে, যা তাদের এই ক্ষেত্রগুলিতে অপরিহার্য করে তোলে।
LNOI ওয়েফারের FAQLNOI ওয়েফার কিসের তৈরি? LNOI ওয়েফারগুলি সাধারণত সিলিকন-এর মতো একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ লিথিয়াম নিওবেটের (LiNbO₃) একটি পাতলা স্তর নিয়ে গঠিত। লিথিয়াম নিওবেট স্তরটি চমৎকার অপটিক্যাল এবং পাইজোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, যা এটিকে বিভিন্ন উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
-
LNOI ওয়েফারগুলি SOI ওয়েফার থেকে কীভাবে আলাদা?
যদিও LNOI এবং SOI উভয় ওয়েফারই একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ একটি পাতলা ফিল্ম নিয়ে গঠিত, LNOI পাতলা ফিল্ম উপাদান হিসেবে লিথিয়াম নিওবেট ব্যবহার করে, যেখানে SOI ওয়েফারগুলি সিলিকন ব্যবহার করে। লিথিয়াম নিওবেট উন্নত ননলাইনার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, যা LNOI ওয়েফারগুলিকে কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং উন্নত ফোটোনিক্সের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আরও উপযুক্ত করে তোলে। -
LNOI ওয়েফার ব্যবহারের প্রধান সুবিধাগুলি কী কী?
LNOI ওয়েফারের প্রধান সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে তাদের উচ্চ ইলেক্ট্রো-অপটিক কোফিসিয়েন্ট, যা দক্ষ আলো মডুলেশন সক্ষম করে, সেইসাথে তাদের যান্ত্রিক শক্তি, যা ডিভাইস পরিচালনার সময় স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি LNOI ওয়েফারগুলিকে উচ্চ-গতির অপটিক্যাল এবং কোয়ান্টাম অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে। -
সম্পর্কিত পণ্য
লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO3) ক্রিস্টাল EO/PO উপাদান টেলিকম প্রতিরক্ষা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি SAW
SiC-on-Insulator SiCOI সাবস্ট্রেট উচ্চ তাপ পরিবাহিতা বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ