পণ্য পরিচিতি 3C-SiC ওয়েফার-এর

3C-SiC ওয়েফার, যা কিউবিক সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার নামেও পরিচিত, ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর পরিবারের একটি গুরুত্বপূর্ণ সদস্য। তাদের অনন্য কিউবিক ক্রিস্টাল গঠন এবং ব্যতিক্রমী ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের সাথে, 3C-SiC ওয়েফারগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস, উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং আরও অনেক কিছুতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। প্রচলিত সিলিকন এবং অন্যান্য SiC পলিটাইপ যেমন 4H-SiC এবং 6H-SiC-এর তুলনায়, 3C-SiC উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং সিলিকনের কাছাকাছি একটি ল্যাটিস ধ্রুবক প্রদান করে, যা উন্নত এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির সামঞ্জস্যতা এবং হ্রাসকৃত উৎপাদন খরচ সক্ষম করে।

তাদের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজের কারণে, 3C-SiC ওয়েফারগুলি উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির মতো চরম পরিস্থিতিতে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা বজায় রাখে, যা তাদের পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-দক্ষতা এবং শক্তি-সাশ্রয়ী ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য আদর্শ করে তোলে।

বৈশিষ্ট্য3C-SiC ওয়েফার-এর

3C-SiC ওয়েফার-এর উৎপাদন প্রক্রিয়া
 

সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি
3C-SiC ওয়েফারগুলি সাধারণত সিলিকন (Si) বা সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেটের উপর তৈরি করা হয়। সিলিকন সাবস্ট্রেটগুলি খরচ সুবিধা প্রদান করে তবে ল্যাটিস এবং তাপীয় প্রসারণের অমিলগুলির কারণে সমস্যা দেখা দেয়, যা ত্রুটিগুলি কমাতে সতর্কতার সাথে পরিচালনা করতে হয়। SiC সাবস্ট্রেটগুলি আরও ভাল ল্যাটিস ম্যাচিং প্রদান করে, যার ফলে উচ্চ-মানের এপিট্যাক্সিয়াল স্তর তৈরি হয়।

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি
উচ্চ-মানের 3C-SiC একক-ক্রিস্টাল ফিল্মগুলি রাসায়নিক বাষ্প জমা করার মাধ্যমে সাবস্ট্রেটের উপর তৈরি করা হয়। মিথেন (CH4) এবং সিলেন (SiH4) বা ক্লোরোসিलेन (SiCl4)-এর মতো বিক্রিয়ক গ্যাসগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় (~1300°C) বিক্রিয়া করে 3C-SiC ক্রিস্টাল তৈরি করে। গ্যাস প্রবাহের হার, তাপমাত্রা, চাপ এবং বৃদ্ধির সময়ের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের ক্রিস্টাল অখণ্ডতা এবং বেধের অভিন্নতা নিশ্চিত করে।

ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ এবং স্ট্রেস ম্যানেজমেন্ট
Si সাবস্ট্রেট এবং 3C-SiC-এর মধ্যে ল্যাটিস অমিলের কারণে, স্থানচ্যুতি এবং স্ট্যাকিং ফল্টের মতো ত্রুটিগুলি বৃদ্ধির সময় তৈরি হতে পারে। বৃদ্ধির পরামিতিগুলির অপটিমাইজেশন এবং বাফার স্তর ব্যবহার করা ত্রুটির ঘনত্ব কমাতে এবং ওয়েফারের গুণমান উন্নত করতে সহায়তা করে।

ওয়েফার ডাইসিং এবং পলিশিং
এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির পরে, উপাদানটিকে স্ট্যান্ডার্ড ওয়েফার আকারে কাটা হয়। এর পরে একাধিক গ্রাইন্ডিং এবং পলিশিং ধাপ অনুসরণ করা হয়, যা ন্যানোমিটার স্কেলের নিচে প্রায়শই পৃষ্ঠের রুক্ষতা সহ শিল্প-গ্রেডের মসৃণতা এবং সমতলতা অর্জন করে, যা সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য উপযুক্ত।

ডোপিং এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য টিউনিং
N-টাইপ বা P-টাইপ ডোপিং নাইট্রোজেন বা বোরনের মতো ডোপ্যান্ট গ্যাসের ঘনত্ব সামঞ্জস্য করে বৃদ্ধির সময় প্রবর্তন করা হয়, যা ডিভাইস ডিজাইন প্রয়োজনীয়তা অনুসারে ওয়েফারের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে তৈরি করে। সুনির্দিষ্ট ডোপিং ঘনত্ব এবং অভিন্নতা ডিভাইস পারফরম্যান্সের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

উপাদান নীতি এবং কর্মক্ষমতা সুবিধা
 

ক্রিস্টাল গঠন
3C-SiC-এর একটি কিউবিক ক্রিস্টাল গঠন (স্পেস গ্রুপ F43m) রয়েছে যা সিলিকনের মতো, যা সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি সহজতর করে এবং ল্যাটিস অমিল-প্ররোচিত ত্রুটিগুলি হ্রাস করে। এর ল্যাটিস ধ্রুবক প্রায় 4.36 Å।

ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর
প্রায় 2.3 eV-এর একটি ব্যান্ডগ্যাপ সহ, 3C-SiC সিলিকন (1.12 eV)-কে ছাড়িয়ে যায়, যা তাপীয়ভাবে উত্তেজিত ক্যারিয়ারগুলির কারণে লিকেজ কারেন্ট ছাড়াই উচ্চ তাপমাত্রা এবং ভোল্টেজে কাজ করার অনুমতি দেয়, যা ডিভাইসের তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং ভোল্টেজ সহনশীলতা ব্যাপকভাবে উন্নত করে।

উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং স্থিতিশীলতা
সিলিকন কার্বাইড প্রায় 490 W/m·K তাপ পরিবাহিতা প্রদর্শন করে, যা সিলিকনের চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি, যা ডিভাইস থেকে দ্রুত তাপ অপচয় করতে সক্ষম করে, তাপীয় চাপ কমায় এবং উচ্চ-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ডিভাইসের দীর্ঘায়ু বৃদ্ধি করে।

উচ্চ ক্যারিয়ার গতিশীলতা
3C-SiC-এর প্রায় 800 cm²/V·s ইলেকট্রন গতিশীলতা রয়েছে, যা 4H-SiC-এর চেয়ে বেশি, যা RF এবং উচ্চ-গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য দ্রুত সুইচিং গতি এবং আরও ভাল ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া সক্ষম করে।

জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং যান্ত্রিক শক্তি
উপাদানটি রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধী এবং যান্ত্রিকভাবে শক্তিশালী, যা কঠোর শিল্প পরিবেশ এবং সুনির্দিষ্ট মাইক্রোফ্যাব্রিকশন প্রক্রিয়ার জন্য উপযুক্ত।

3C-SiC ওয়েফার-এর অ্যাপ্লিকেশন

3C-SiC ওয়েফারগুলি তাদের উচ্চতর উপাদান বৈশিষ্ট্যের কারণে বিভিন্ন উন্নত ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়:

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স
উচ্চ-দক্ষতা সম্পন্ন পাওয়ার MOSFETs, শর্টকি ডায়োড এবং ইনসুলেটেড-গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBTs)-এ ব্যবহৃত হয়, 3C-SiC ডিভাইসগুলিকে হ্রাসকৃত শক্তি ক্ষতি সহ উচ্চ ভোল্টেজ, তাপমাত্রা এবং সুইচিং গতিতে কাজ করতে সক্ষম করে।

রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস
5G কমিউনিকেশন বেস স্টেশন, রাডার সিস্টেম এবং স্যাটেলাইট কমিউনিকেশনে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যামপ্লিফায়ার এবং পাওয়ার ডিভাইসের জন্য আদর্শ, যা উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা থেকে উপকৃত হয়।

উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং MEMS
মাইক্রো-ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল সিস্টেম (MEMS) এবং সেন্সরগুলির জন্য উপযুক্ত যা চরম তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিবেশে নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করতে হবে, যেমন স্বয়ংচালিত ইঞ্জিন মনিটরিং এবং মহাকাশ যন্ত্রাংশ।

অপটোইলেকট্রনিক্স
অতিবেগুনী (UV) LED এবং লেজার ডায়োডে ব্যবহৃত হয়, 3C-SiC-এর অপটিক্যাল স্বচ্ছতা এবং বিকিরণ কঠোরতা ব্যবহার করে।

বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি
উচ্চ-পারফরম্যান্স ইনভার্টার মডিউল এবং পাওয়ার কনভার্টারকে সমর্থন করে, যা বৈদ্যুতিক যানবাহন (EVs) এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেমে দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।

3C-SiC ওয়েফার-এর প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী (FAQ)

প্রশ্ন 1: ঐতিহ্যবাহী সিলিকন ওয়েফারের তুলনায় 3C-SiC ওয়েফারের প্রধান সুবিধা কী?
উত্তর 1: 3C-SiC-এর সিলিকনের (1.12 eV) চেয়ে একটি বৃহত্তর ব্যান্ডগ্যাপ (প্রায় 2.3 eV) রয়েছে, যা ডিভাইসগুলিকে আরও ভাল দক্ষতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতার সাথে উচ্চ তাপমাত্রা, ভোল্টেজ এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে দেয়।

প্রশ্ন 2: 3C-SiC কীভাবে 4H-SiC এবং 6H-SiC-এর মতো অন্যান্য SiC পলিটাইপের সাথে তুলনা করে?
উত্তর 2: 3C-SiC সিলিকন সাবস্ট্রেটের সাথে আরও ভাল ল্যাটিস ম্যাচিং এবং উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা প্রদান করে, যা উচ্চ-গতির ডিভাইস এবং বিদ্যমান সিলিকন প্রযুক্তির সাথে একীকরণের জন্য উপকারী। যাইহোক, 4H-SiC বাণিজ্যিক উপলব্ধতার ক্ষেত্রে আরও পরিপক্ক এবং এর একটি বৃহত্তর ব্যান্ডগ্যাপ (~3.26 eV) রয়েছে।

প্রশ্ন 3: 3C-SiC-এর জন্য কোন ওয়েফার সাইজ পাওয়া যায়?
উত্তর 3: সাধারণ আকারের মধ্যে রয়েছে 2-ইঞ্চি, 3-ইঞ্চি এবং 4-ইঞ্চি ওয়েফার। উৎপাদন ক্ষমতা অনুযায়ী কাস্টম সাইজ পাওয়া যেতে পারে।

প্রশ্ন 4: বিভিন্ন বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের জন্য 3C-SiC ওয়েফারগুলিকে ডোপ করা যেতে পারে?
উত্তর 4: হ্যাঁ, পছন্দসই পরিবাহিতা এবং ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যগুলি অর্জনের জন্য বৃদ্ধির সময় 3C-SiC ওয়েফারগুলিকে N-টাইপ বা P-টাইপ ডোপ্যান্ট দিয়ে ডোপ করা যেতে পারে।

প্রশ্ন 5: 3C-SiC ওয়েফারের সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলি কী কী?
উত্তর 5: এগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, RF ডিভাইস, উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর, MEMS, UV অপটোইলেকট্রনিক্স এবং বৈদ্যুতিক গাড়ির পাওয়ার মডিউলে ব্যবহৃত হয়।

সম্পর্কিত পণ্য

12 ইঞ্চি SiC ওয়েফার 300mm সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার কন্ডাকটিভ ডামি গ্রেড N-টাইপ গবেষণা গ্রেড

4H/6H P-টাইপ Sic ওয়েফার 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি Z গ্রেড P গ্রেড D গ্রেড অফ অ্যাক্সিস 2.0°-4.0° P-টাইপ ডোপিং-এর দিকে

আমাদের সম্পর্কে

ZMSH বিশেষ অপটিক্যাল গ্লাস এবং নতুন ক্রিস্টাল উপাদানের উচ্চ-প্রযুক্তি উন্নয়ন, উৎপাদন এবং বিক্রয়ে বিশেষজ্ঞ। আমাদের পণ্যগুলি অপটিক্যাল ইলেকট্রনিক্স, গ্রাহক ইলেকট্রনিক্স এবং সামরিক ক্ষেত্রে পরিষেবা প্রদান করে। আমরা নীলকান্তমণি অপটিক্যাল উপাদান, মোবাইল ফোনের লেন্স কভার, সিরামিক, LT, সিলিকন কার্বাইড SIC, কোয়ার্টজ এবং সেমিকন্ডাক্টর ক্রিস্টাল ওয়েফার অফার করি। দক্ষ দক্ষতা এবং অত্যাধুনিক সরঞ্জাম সহ, আমরা অ-মানক পণ্য প্রক্রিয়াকরণে পারদর্শী, একটি নেতৃস্থানীয় অপটোইলেকট্রনিক উপকরণ উচ্চ-প্রযুক্তি সংস্থা হওয়ার লক্ষ্য রাখি।