|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| ঘনত্ব: | 3.21g/সেমি ³ | কঠোরতা: | 2500 ভাইকারদের কঠোরতা |
|---|---|---|---|
| দ্রব্যের আকার: | 2 ~ 10μm | রাসায়নিক বিশুদ্ধতা: | 99.99995% |
| তাপ ধারনক্ষমতা: | 640 জে · কেজি -1 · কে -1 | পরমানন্দ তাপমাত্রা: | 2700℃ |
পণ্যের বর্ণনা
Introduction Of SIC সিরামিক ট্রে
SIC সিরামিক ট্রে (Silicon Carbide Ceramic Tray) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ট্রে (সিআইসি সিরামিক ট্রে) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ট্রে (সিআইসি সিরামিক ট্রে) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing,ফোটোভোলটাইক, লেজার প্রক্রিয়াকরণ, এবং অন্যান্য ক্ষেত্র. Leveraging SiC's exceptional properties like high-temperature resistance, corrosion resistance,এবং উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা it serves as an ideal replacement for traditional materials like graphite and metals in advanced industrial scenarios.
মূল নীতিমালাSIC Ceramic Tray
(1) উপাদান বৈশিষ্ট্য
উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধেরঃ গলনাঙ্ক ২৭০০°C পর্যন্ত, 1800°C এ স্থিতিশীল অপারেশন, উচ্চ তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের জন্য উপযুক্ত (যেমন, আইসিপি ইটচিং, এমওসিভিডি) ।
হাই থার্মাল কন্ডাক্টিভিটিঃ 140 ¢ 300 W/m·K (গ্রাফাইট এবং সিন্টারড SiC এর চেয়ে উচ্চতর), অভিন্ন তাপ বিতরণ নিশ্চিত করা এবং তাপীয় চাপ-প্ররোচিত বিকৃতি হ্রাস করা।
ক্ষয় প্রতিরোধেরঃ শক্তিশালী অ্যাসিড (যেমন, HF, H2SO4) এবং ক্ষার প্রতিরোধী, দূষণ বা কাঠামোগত ক্ষতি এড়ানো।
নিম্ন তাপীয় সম্প্রসারণঃ তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ (4.0×10−6/K) সিলিকনের কাছাকাছি, তাপমাত্রা পরিবর্তনের সময় warpage হ্রাস করে।
(2) স্ট্রাকচারাল ডিজাইন
উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং ঘনত্বঃ SiC content ≥99.3%, porosity ≈0, high-temperature sintering (2250 ∼ 2450°C) to prevent particle shedding এর মাধ্যমে গঠিত।
কাস্টমাইজযোগ্য আকারঃ বড় ব্যাসার্ধ সমর্থন করে (যেমন, φ600mm) and integrated features (vacuum holes, grooves) for wafer handling and vacuum sputtering
মূল অ্যাপ্লিকেশনSIC Ceramic Tray
(1) সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং
ওয়েফার প্রসেসিংঃ ওয়েফার পজিশনিং স্থিতিশীল করার জন্য আইসিপি ইচিং এবং সিভিডি (কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন) ব্যবহার করা হয়।
MOCVD Equipment: Act as a carrier for GaN (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) growth in high-brightness LEDs, enduring 1100~1200°C temperatures.
২) সৌরবিদ্যুৎ
সিলিকন ক্রিস্টাল গ্রোথ : কোয়ার্টজ ক্রাইগলস প্রতিস্থাপন করে polycrystalline সিলিকন উত্পাদন, melt temperatures tolerating >1420°C.
(3) লেজার এবং যথার্থ যন্ত্রপাতি
Etching/Cutting: উচ্চ-শক্তির বিম প্রভাব প্রতিরোধ, লেজার-এচড উপকরণ জন্য একটি প্ল্যাটফর্ম হিসাবে কাজ করে।
(4) রাসায়নিক ও পরিবেশগত প্রকৌশল
ক্ষয় প্রতিরোধী সরঞ্জামঃ পাইপলাইন এবং রাসায়নিকের জন্য ব্যবহার করা হয়
প্রশ্নোত্তর SIC Ceramic Tray
প্রশ্ন 1: SIC গ্রাফাইট ট্রেগুলির সাথে কীভাবে তুলনা করে?
A: SIC উচ্চ তাপমাত্রা (1800°C vs. ~1000°C) সহ্য করে এবং লেপ delamination এড়ায়। Its thermal conductivity is 2×3× higher, reducing wafer warpage.
Q2: SIC trays reused হতে পারে?
উত্তরঃ হ্যাঁ, কিন্তু যান্ত্রিক প্রভাব এবং চরম তাপমাত্রা এড়াতে।
প্রশ্ন ৩ঃ Common failure modes?
উঃ তাপীয় শক বা যান্ত্রিক চাপ থেকে ফাটল।
প্রশ্ন 4: ভ্যাকুয়াম পরিবেশের জন্য উপযুক্ত?
উঃ হ্যাঁ। উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং কম আউটগ্যাসিং তাদের ভ্যাকুয়াম স্পটারিং এবং সেমিকন্ডাক্টর ইটিংয়ের জন্য আদর্শ করে তোলে।
প্রশ্ন 5: কিভাবে স্পেসিফিকেশন নির্বাচন করবেন?
A: Process temperature, load capacity, and compatibility (যেমন, φ600mm trays for large wafers) বিবেচনা করুন
সংশ্লিষ্ট পণ্য
১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার ৩০০ মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার কন্ডাকটিভ ডামি গ্রেড এন-টাইপ রিসার্চ গ্রেড