সিলিকন কার্বাইড (SiC) সিরামিক ট্রে​ সেমিকন্ডাক্টর এচিং এবং ফটোভোলটাইক ওয়েফার হ্যান্ডলিং

Introduction Of SIC সিরামিক ট্রে​​
​​

SIC সিরামিক ট্রে (Silicon Carbide Ceramic Tray) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ট্রে (সিআইসি সিরামিক ট্রে) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ট্রে (সিআইসি সিরামিক ট্রে) is a high-performance industrial carrier tool based on silicon carbide (SiC) material. It is widely used in semiconductor manufacturing,ফোটোভোলটাইক, লেজার প্রক্রিয়াকরণ, এবং অন্যান্য ক্ষেত্র. Leveraging SiC's exceptional properties like high-temperature resistance, corrosion resistance,এবং উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা it serves as an ideal replacement for traditional materials like graphite and metals in advanced industrial scenarios.

মূল নীতিমালাSIC Ceramic Tray​​
 

(1) উপাদান বৈশিষ্ট্য

উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধেরঃ গলনাঙ্ক ২৭০০°C পর্যন্ত, 1800°C এ স্থিতিশীল অপারেশন, উচ্চ তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের জন্য উপযুক্ত (যেমন, আইসিপি ইটচিং, এমওসিভিডি) ।
হাই থার্মাল কন্ডাক্টিভিটিঃ 140 ¢ 300 W/m·K (গ্রাফাইট এবং সিন্টারড SiC এর চেয়ে উচ্চতর), অভিন্ন তাপ বিতরণ নিশ্চিত করা এবং তাপীয় চাপ-প্ররোচিত বিকৃতি হ্রাস করা।
ক্ষয় প্রতিরোধেরঃ শক্তিশালী অ্যাসিড (যেমন, HF, H2SO4) এবং ক্ষার প্রতিরোধী, দূষণ বা কাঠামোগত ক্ষতি এড়ানো।
নিম্ন তাপীয় সম্প্রসারণঃ তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ (4.0×10−6/K) সিলিকনের কাছাকাছি, তাপমাত্রা পরিবর্তনের সময় warpage হ্রাস করে।

(2) স্ট্রাকচারাল ডিজাইন

উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং ঘনত্বঃ SiC content ≥99.3%, porosity ≈0, high-temperature sintering (2250 ∼ 2450°C) to prevent particle shedding এর মাধ্যমে গঠিত।
কাস্টমাইজযোগ্য আকারঃ বড় ব্যাসার্ধ সমর্থন করে (যেমন, φ600mm) and integrated features (vacuum holes, grooves) for wafer handling and vacuum sputtering

মূল অ্যাপ্লিকেশনSIC Ceramic Tray​​
​​

(1) সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং

ওয়েফার প্রসেসিংঃ ওয়েফার পজিশনিং স্থিতিশীল করার জন্য আইসিপি ইচিং এবং সিভিডি (কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন) ব্যবহার করা হয়।
MOCVD Equipment: Act as a carrier for GaN (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) growth in high-brightness LEDs, enduring 1100~1200°C temperatures.

২) সৌরবিদ্যুৎ

সিলিকন ক্রিস্টাল গ্রোথ : কোয়ার্টজ ক্রাইগলস প্রতিস্থাপন করে polycrystalline সিলিকন উত্পাদন, melt temperatures tolerating >1420°C.

(3) লেজার এবং যথার্থ যন্ত্রপাতি

Etching/Cutting: উচ্চ-শক্তির বিম প্রভাব প্রতিরোধ, লেজার-এচড উপকরণ জন্য একটি প্ল্যাটফর্ম হিসাবে কাজ করে।

(4) রাসায়নিক ও পরিবেশগত প্রকৌশল

ক্ষয় প্রতিরোধী সরঞ্জামঃ পাইপলাইন এবং রাসায়নিকের জন্য ব্যবহার করা হয়

প্রশ্নোত্তর SIC Ceramic Tray
​​

প্রশ্ন 1: SIC গ্রাফাইট ট্রেগুলির সাথে কীভাবে তুলনা করে?
A: SIC উচ্চ তাপমাত্রা (1800°C vs. ~1000°C) সহ্য করে এবং লেপ delamination এড়ায়। Its thermal conductivity is 2×3× higher, reducing wafer warpage.

Q2: SIC trays reused হতে পারে?
উত্তরঃ হ্যাঁ, কিন্তু যান্ত্রিক প্রভাব এবং চরম তাপমাত্রা এড়াতে।

প্রশ্ন ৩ঃ Common failure modes?
উঃ তাপীয় শক বা যান্ত্রিক চাপ থেকে ফাটল।

প্রশ্ন 4: ভ্যাকুয়াম পরিবেশের জন্য উপযুক্ত?
উঃ হ্যাঁ। উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং কম আউটগ্যাসিং তাদের ভ্যাকুয়াম স্পটারিং এবং সেমিকন্ডাক্টর ইটিংয়ের জন্য আদর্শ করে তোলে।

প্রশ্ন 5: কিভাবে স্পেসিফিকেশন নির্বাচন করবেন?
A: Process temperature, load capacity, and compatibility (যেমন, φ600mm trays for large wafers) বিবেচনা করুন

সংশ্লিষ্ট পণ্য

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার ৩০০ মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার কন্ডাকটিভ ডামি গ্রেড এন-টাইপ রিসার্চ গ্রেড

4H/6H পি-টাইপ সিক ওয়েফার 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি জেড গ্রেড পি গ্রেড ডি গ্রেড অফ অক্ষ 2.0°-4.0° দিকে পি-টাইপ ডোপিং