 |
পলি-ক্রিস্টালিন সিসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে ৬ ইঞ্চি কন্ডাক্টিভ সিঙ্গল-ক্রিস্টাল সিস
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMSH |
প্রদান:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
|---|---|
| মূল্য: | undetermined |
| Packaging Details: | foamed plastic＋carton |
| Delivery Time: | 4weeks |
| Payment Terms: | T/T |
| যোগানের ক্ষমতা: | 1 পিসি/মাস |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| পণ্যের ধরন: | একক-ক্রিস্টাল SiC Epitaxial Wafer (সমষ্টিগত স্তর) | Wafer Size: | 6 inches (150 mm) |
|---|---|---|---|
| সাবস্ট্রেট টাইপ: | পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট | Crystal Structure: | 4H-SiC or 6H-SiC Single Crystal |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | ৬ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,একক ক্রিস্টাল সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে 6 ইঞ্চি পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল সিআইসি
পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে 6 ইঞ্চি পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল সিআইসির সংক্ষিপ্তসারই
দ্য
পলিক্রিস্টাল উপর 6 ইঞ্চি পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল SiCলাইন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাট একটি নতুন ধরণের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট কাঠামো।
এর মূলটি একটি পলিক্রিস্টালিন সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) সাবস্ট্র্যাটের উপর একক-ক্রিস্টাল পরিবাহী সিআইসি পাতলা ফিল্মের লিঙ্কিং বা এপিট্যাক্সিয়ালভাবে বৃদ্ধি করা।তার কাঠামো একক-ক্রিস্টাল সিআইসির উচ্চ পারফরম্যান্স (যেমন উচ্চ ক্যারিয়ার গতিশীলতা এবং কম ত্রুটি ঘনত্ব) কম খরচে এবং পলিক্রিস্টালিন সিআইসি সাবস্ট্র্যাটের বড় আকারের সুবিধার সাথে একত্রিত করে।
এটি উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস উত্পাদন করার জন্য উপযুক্ত এবং ব্যয়-কার্যকর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বিশেষভাবে প্রতিযোগিতামূলক।পলি-ক্রিস্টালিন সিআইসি সাবস্ট্রেটগুলি সিন্টারিং প্রক্রিয়া দ্বারা প্রস্তুত করা হয়, যা খরচ কমিয়ে দেয় এবং বৃহত্তর আকারের (যেমন 6 ইঞ্চি) অনুমতি দেয়, তবে তাদের স্ফটিকের গুণমান খারাপ এবং সরাসরি উচ্চ-কার্যকারিতা ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত নয়।
অ্যাট্রিবিউট টেবিল, প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য, এবং সুবিধাপলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে 6 ইঞ্চি পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল সিআইসি
অ্যাট্রিবিউট টেবিল
| পয়েন্ট | স্পেসিফিকেশন |
| পণ্যের ধরন | একক-ক্রিস্টাল SiC Epitaxial Wafer (সমষ্টিগত স্তর) |
| ওয়েফারের আকার | ৬ ইঞ্চি (১৫০ মিমি) |
| সাবস্ট্র্যাটের ধরন | পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট |
| সাবস্ট্র্যাটের বেধ | ৪০০-৬০০ মাইক্রোমিটার |
| সাবস্ট্র্যাটের প্রতিরোধ ক্ষমতা | <০.০২ ও.সি.এম. (পরিবাহী প্রকার) |
| পলিক্রিস্টালিন শস্যের আকার | 50 ¢ 200 μm |
| ইপিট্যাক্সিয়াল স্তর বেধ | ৫.১৫ মাইক্রোমিটার (কাস্টমাইজযোগ্য) |
| ইপিট্যাক্সিয়াল স্তর ডোপিং টাইপ | এন-টাইপ / পি-টাইপ |
| ক্যারিয়ার কনসেন্ট্রেশন (Epi) | 1×1015 1×1019 সেমি−3 (ঐচ্ছিক) |
| ইপিট্যাক্সিয়াল পৃষ্ঠের রুক্ষতা | <১ এনএম (এএফএম, ৫ মাইক্রোম × ৫ মাইক্রোম) |
| পৃষ্ঠের দিকনির্দেশনা | 4° অক্ষের বাইরে (4H-SiC) অথবা ঐচ্ছিক |
| স্ফটিক গঠন | 4H-SiC অথবা 6H-SiC একক ক্রিস্টাল |
| থ্রেডিং স্ক্রু ডিসলোকেশন ঘনত্ব (টিএসডি) | <5×104 সেমি−2 |
| বেসাল প্লেন ডিসলোকেশন ডেন্সটি (বিপিডি) | <5×103 সেমি−2 |
| স্টেপ-ফ্লো মর্ফোলজি | স্পষ্ট এবং নিয়মিত |
| সারফেস ট্রিটমেন্ট | পোলিশ (ইপি-প্রস্তুত) |
| প্যাকেজ | একক ওয়েফার ধারক, ভ্যাকুয়াম সিলড |
প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা
উচ্চ পরিবাহিতাঃ
একক-ক্রিস্টাল সিআইসি ফিল্মগুলি ডোপিংয়ের মাধ্যমে কম প্রতিরোধের (<10−3 Ω·cm) অর্জন করে (উদাহরণস্বরূপ, এন-টাইপের জন্য নাইট্রোজেন ডোপিং), পাওয়ার ডিভাইসের জন্য কম ক্ষতির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
উচ্চ তাপ পরিবাহিতাঃ
সিলিকনের চেয়ে তিনগুণ বেশি তাপ পরিবাহিতা রয়েছে, যা ইভি ইনভার্টারগুলির মতো উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে উপযুক্ত কার্যকর তাপ অপসারণকে সক্ষম করে।
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্যঃ
একক স্ফটিক সিআইসির উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা 5 জি আরএফ ডিভাইস সহ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং সমর্থন করে। খরচ এবং কাঠামোগত উদ্ভাবন
পলিক্রিস্টালিন সাবস্ট্র্যাটের মাধ্যমে খরচ কমানোঃ
পলি-ক্রিস্টালিন সিআইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি গুঁড়া সিন্টারিং দ্বারা উত্পাদিত হয়, যার দাম একক-ক্রিস্টাল সাবস্ট্র্যাটগুলির প্রায় 1/5 থেকে 1/3 এবং 6 ইঞ্চি বা বৃহত্তর আকারের স্কেলযোগ্য।
হেরোজেনেস বন্ডিং টেকনোলজিঃ
উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের বন্ধন প্রক্রিয়া একক-ক্রিস্টাল সিআইসি এবং পলি-ক্রিস্টালিন সাবস্ট্র্যাট ইন্টারফেসের মধ্যে পারমাণবিক স্তরের বন্ধন অর্জন করে।ঐতিহ্যগত ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির ক্ষেত্রে সাধারণ ত্রুটিগুলি এড়ানো.
উন্নত যান্ত্রিক শক্তিঃ
পলিক্রিস্টালিন সাবস্ট্র্যাটগুলির উচ্চ শক্ততা একক-ক্রিস্টাল সিআইসির ভঙ্গুরতার জন্য ক্ষতিপূরণ দেয়, ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।
শারীরিক চিত্র প্রদর্শন
পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটের উপর 6 ইঞ্চি পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল সিআইসি উত্পাদন প্রক্রিয়া
পলি-ক্রিস্টালিন সিআইসি সাবস্ট্র্যাট প্রস্তুতিঃ
সিলিকন কার্বাইড গুঁড়া উচ্চ তাপমাত্রা sintering মাধ্যমে polycrystalline substrates (~ 6 ইঞ্চি) মধ্যে গঠিত হয়।
একক-ক্রিস্টাল সিআইসি ফিল্ম বৃদ্ধিঃ
একক-ক্রিস্টাল সিআইসি স্তরগুলি রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধার (সিভিডি) বা শারীরিক বাষ্প পরিবহন (পিভিটি) ব্যবহার করে পলিক্রিস্টালিন সাবস্ট্র্যাটে এপিট্যাক্সিয়ালভাবে উত্থিত হয়।
বন্ডিং প্রযুক্তিঃ
একক-ক্রিস্টাল এবং পলি-ক্রিস্টালিন ইন্টারফেসে পরমাণু-স্তরের বন্ধন ধাতব বন্ধন (যেমন, সিলভার পেস্ট) বা সরাসরি বন্ধন (ডিবিই) দ্বারা অর্জন করা হয়।
অ্যানিলিং চিকিত্সাঃ
উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যানিলিং ইন্টারফেসের গুণমানকে অনুকূল করে তোলে এবং যোগাযোগের প্রতিরোধকে হ্রাস করে।
প্রধান অ্যাপ্লিকেশন এলাকাপলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে ৬ ইঞ্চি পরিবাহী সিআইসি
নতুন শক্তির যানবাহন
- প্রধান ইনভার্টারঃ পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল SiC MOSFETs ইনভার্টার দক্ষতা উন্নত (5% থেকে 10% হ্রাস ক্ষতি) এবং আকার এবং ওজন কমাতে - অন বোর্ড চার্জার (OBC):উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং বৈশিষ্ট্যগুলি চার্জিংয়ের সময়কে সংক্ষিপ্ত করে এবং 800 ভোল্টেজ উচ্চ-ভোল্টেজ প্ল্যাটফর্মগুলিকে সমর্থন করে.
শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ এবং ফোটোভোলটাইক
- উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইনভার্টারঃ PV সিস্টেমে উচ্চতর রূপান্তর দক্ষতা (> 98%) অর্জন করে, সামগ্রিক সিস্টেম খরচ হ্রাস করে।
- স্মার্ট গ্রিডঃ উচ্চ ভোল্টেজ ধ্রুবক বর্তমান (এইচভিডিসি) ট্রান্সমিশন মডিউলগুলিতে শক্তির ক্ষতি হ্রাস করুন।
এয়ারস্পেস এবং প্রতিরক্ষা
- রেডিয়েশন-হার্ড ডিভাইসঃ একক-ক্রিস্টাল সিআইসি এর রেডিয়েশন প্রতিরোধের উপগ্রহ পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট মডিউলগুলির জন্য উপযুক্ত।
- ইঞ্জিন সেন্সরঃ উচ্চ তাপমাত্রা সহনশীলতা (> 300°C) শীতল সিস্টেম নকশা সহজতর করে।
আরএফ এবং যোগাযোগ
- ৫জি মিলিমিটার ওয়েভ ডিভাইস: একক স্ফটিকযুক্ত সিআইসি ভিত্তিক গ্যান এইচইএমটি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তি আউটপুট সরবরাহ করে।
- স্যাটেলাইট যোগাযোগঃ পলিক্রিস্টালিন সাবস্ট্র্যাটগুলি ভারী মহাকাশের পরিবেশে অভিযোজিত হয়।
প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন:একটি পলিক্রিস্টালিন সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে ৬ ইঞ্চি একক-ক্রিস্টাল সিআইসি কতটা পরিবাহী?
উঃপরিবাহিতা উৎসঃ একক স্ফটিক SiC এর পরিবাহিতা প্রধানত অন্যান্য উপাদান (যেমন নাইট্রোজেন বা অ্যালুমিনিয়াম) সঙ্গে ডোপিং দ্বারা অর্জন করা হয়। ডোপিং টাইপ n- টাইপ বা p- টাইপ হতে পারে,যার ফলে ভিন্ন বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং ক্যারিয়ার ঘনত্ব.
পলিক্রিস্টালিন সিআইসির প্রভাবঃ পলিক্রিস্টালিন সিআইসি সাধারণত তার পরিবাহী বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে গ্রিটস ত্রুটি এবং বিচ্ছিন্নতার কারণে নিম্ন পরিবাহিতা প্রদর্শন করে। অতএব,কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে, পলিক্রিস্টালিন অংশ সামগ্রিক পরিবাহিতা উপর কিছু নিষ্ক্রিয় প্রভাব থাকতে পারে।
কম্পোজিট স্ট্রাকচারের সুবিধা:পলিক্রিস্টালিন সিআইসির সাথে পরিবাহী একক-ক্রিস্টাল সিআইসির সংমিশ্রণ সম্ভাব্যভাবে উপাদানের সামগ্রিক উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের এবং যান্ত্রিক শক্তি উন্নত করতে পারে, কিছু নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনে অপ্টিমাইজড ডিজাইনের মাধ্যমে পছন্দসই পরিবাহিতা অর্জন করে।
প্রয়োগের সম্ভাবনা: This composite structure is often used in high-power electronic devices and high-temperature environments because its excellent thermal and electrical conductivity make it suitable for operation under extreme conditions.
অন্যান্য সংশ্লিষ্ট পণ্য সুপারিশ