12 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 300 মিমি সাবস্ট্র্যাট 750 ± 25um 4H-N টাইপ ওরিয়েন্টেশন 100 উত্পাদন গবেষণা গ্রেড

12 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 300 মিমি 750 ± 25um 4H-N টাইপ ওরিয়েন্টেশন 100 উত্পাদন গবেষণা গ্রেড

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের সংক্ষিপ্তসার

এই ১২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফারটি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যার ব্যাসার্ধ ৩০০ মিমি, বেধ ৭৫০±২৫ মাইক্রোমিটার,এবং 4H-SiC এর একটি পলিটাইপ সহ 4H-N টাইপ ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন. গবেষণার-গ্রেড এবং উত্পাদন পরিবেশের মান পূরণের জন্য উচ্চ মানের উত্পাদন কৌশল ব্যবহার করে ওয়েফারটি উত্পাদিত হয়। এর শক্তিশালী বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে উচ্চ-শক্তির জন্য উপযুক্ত করে তোলে,উচ্চ তাপমাত্রা, এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস, যা প্রায়শই বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি), পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং আরএফ প্রযুক্তির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।ওয়েফারের উচ্চতর কাঠামোগত অখণ্ডতা এবং সুনির্দিষ্ট স্পেসিফিকেশনগুলি ডিভাইস তৈরিতে উচ্চ ফলন নিশ্চিত করে, যা অত্যাধুনিক গবেষণা এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সর্বোত্তম পারফরম্যান্স সরবরাহ করে।

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের ডেটা চার্ট

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের ছবি

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের বৈশিষ্ট্য

1.সিআইসির উপাদান বৈশিষ্ট্যঃ

• প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ: SiC এর একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ (~ 3.26 eV) রয়েছে, যা এটিকে প্রচলিত সিলিকন (Si) এর তুলনায় উচ্চতর ভোল্টেজ, তাপমাত্রা এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করার অনুমতি দেয়।
• উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: SiC এর তাপ পরিবাহিতা সিলিকনের তুলনায় অনেক বেশি (প্রায় 3.7 W/cm·K), এটি উচ্চ-শক্তির অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত যেখানে তাপ অপসারণ সমালোচনামূলক।
• উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: সিআইসি অনেক বেশি ভোল্টেজ (সিলিকনের তুলনায় 10 গুণ বেশি) পরিচালনা করতে পারে, যা এটিকে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য আদর্শ করে তোলে, যেমন পাওয়ার ট্রানজিস্টর এবং ডায়োড।
• উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা: SiC এর ইলেকট্রন গতিশীলতা ঐতিহ্যগত সিলিকনের তুলনায় বেশি, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইসে দ্রুত সুইচিংয়ের সময়কে অবদান রাখে।

2.যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যঃ

• উচ্চ কঠোরতা: সিআইসি খুব কঠিন (মোহস কঠোরতা 9), যা এর পরিধান প্রতিরোধের অবদান রাখে তবে এটি প্রক্রিয়াজাতকরণ এবং মেশিনকে কঠিন করে তোলে।
• শক্ততা: এর উচ্চ ইয়ং মডুলাস রয়েছে, যার অর্থ এটি সিলিকনের তুলনায় আরও শক্ত এবং দীর্ঘস্থায়ী, যা ডিভাইসে এর স্থিতিশীলতা বাড়ায়।
• ভঙ্গুরতা: সিআইসি সিলিকনের চেয়ে বেশি ভঙ্গুর, যা ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ এবং ডিভাইস উত্পাদনের সময় বিবেচনা করা গুরুত্বপূর্ণ।

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন

12 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারগুলি প্রধানত উচ্চ-কার্যকারিতা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, পাওয়ার এমওএসএফইটি, ডায়োড এবং আইজিবিটি সহ ব্যবহৃত হয়, যা শিল্পে দক্ষ শক্তি রূপান্তর সক্ষম করে যেমনবৈদ্যুতিক যানবাহন,পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি, এবংশিল্প শক্তি সিস্টেম. SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এটি অ্যাপ্লিকেশন জন্য আদর্শ করে তোলেঅটোমোবাইল ইলেকট্রনিক্স,পাওয়ার ইনভার্টার, এবংউচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন শক্তি সিস্টেম. এর ব্যবহারউচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির আরএফ ডিভাইসএবংমাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ ব্যবস্থাএছাড়াও এটি টেলিযোগাযোগ, এয়ারস্পেস এবং সামরিক রাডার সিস্টেমের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

অতিরিক্তভাবে, SiC ওয়েফার ব্যবহার করা হয়এলইডি এবং অপটোইলেকট্রনিক্স, এর জন্য স্তর হিসাবে কাজ করেনীল এবং ইউভি এলইডি, যা আলোকসজ্জা, প্রদর্শন এবং জীবাণুমুক্তকরণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। কঠোর পরিবেশে উপাদানটির স্থিতিস্থাপকতা এটিকেউচ্চ তাপমাত্রা সেন্সর,চিকিৎসা সরঞ্জাম, এবংস্যাটেলাইট পাওয়ার সিস্টেম. এর ক্রমবর্ধমান ভূমিকাস্মার্ট গ্রিড,শক্তি সঞ্চয়, এবংবিদ্যুৎ বিতরণসিআইসি বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে দক্ষতা, নির্ভরযোগ্যতা এবং পারফরম্যান্স উন্নত করতে সহায়তা করছে।

১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের প্রশ্নোত্তর

1.১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার কি?

উত্তর দাও: একটি 12 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার একটি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) স্তর যা 12 ইঞ্চি ব্যাসার্ধের, প্রধানত অর্ধপরিবাহী শিল্পে ব্যবহৃত হয়, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ তাপমাত্রা,এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনসিআইসি উপাদানগুলি তাদের চমৎকার বৈদ্যুতিক, তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স এবং শক্তি রূপান্তর ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

2.১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের সুবিধা কি?

উত্তর দাও: ১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের সুবিধার মধ্যে রয়েছে:

• উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীলতা: SiC 600°C বা তার বেশি তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে, যা ঐতিহ্যগত সিলিকন উপকরণগুলির তুলনায় উচ্চ তাপমাত্রায় ভাল পারফরম্যান্স প্রদান করে।
• উচ্চ ক্ষমতা হ্যান্ডলিং: সিআইসি উচ্চ ভোল্টেজ এবং বর্তমান সহ্য করতে পারে, এটি উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশন যেমন বৈদ্যুতিক যানবাহন ব্যাটারি ব্যবস্থাপনা এবং শিল্প শক্তি সরবরাহের জন্য উপযুক্ত।
• উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: সিলিকনের তুলনায় সিআইসির তাপ পরিবাহিতা উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি, যা তাপ অপসারণে সহায়তা করে, ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা এবং দক্ষতা উন্নত করে।