| ব্র্যান্ডের নাম: | ZMSH |
| MOQ.: | 11 |
| প্যাকেজিংয়ের বিবরণ: | একক ওয়েফার ধারক |
| অর্থ প্রদানের শর্তাবলী: | টি/টি |
সিআইসি ওয়েফার 12 ইঞ্চি 300 মিমি বেধ 750 ± 25um প্রাইম ডামি রিসার্চ গ্রেড সেমিকন্ডাক্টরের জন্য
১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার
১২ ইঞ্চি (৩০০ মিমি)সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার,750 ± 25 মাইক্রন বেধের সাথে, এটি তার ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং উচ্চতর যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি সমালোচনামূলক উপাদান।এই ওয়েফারগুলি উচ্চ-কার্যকারিতা অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনগুলির কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য উন্নত কৌশলগুলির সাথে উত্পাদিত হয়. সিআইসি এর অন্তর্নিহিত বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে পাওয়ার ডিভাইস এবং উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্সের জন্য আদর্শ করে তোলে, যা ঐতিহ্যগত সিলিকন ভিত্তিক অর্ধপরিবাহীগুলির তুলনায় উচ্চতর দক্ষতা এবং স্থায়িত্ব সরবরাহ করে।
১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের তথ্য শীট
| 12 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) সাবস্ট্র্যাট স্পেসিফিকেশন | |||||
| গ্রেড | জিরো এমপিডি উৎপাদন গ্রেড ((Z গ্রেড) |
স্ট্যান্ডার্ড উৎপাদন গ্রেড ((পি গ্রেড) |
ডামি গ্রেড (ডি গ্রেড) |
||
| ব্যাসার্ধ | 3 0 0 মিমি ~ 1305 মিমি | ||||
| বেধ | ৪ এইচ-এন | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| ৪এইচ-এসআই | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন | অক্ষের বাইরেঃ 4H-N এর জন্য <1120 >±0.5° দিকে 4.0°, অক্ষের উপরেঃ 4H-SI এর জন্য <0001>±0.5° | ||||
| মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব | ৪ এইচ-এন | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤২৫ সেন্টিমিটার-২ | |
| ৪এইচ-এসআই | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤২৫ সেন্টিমিটার-২ | ||
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | ৪ এইচ-এন | 0০১৫-০.০২৪ ও.সি. | 0.০১৫-০.০২৮ ও.সি. | ||
| ৪এইচ-এসআই | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | {10-10} ±5.0° | ||||
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | ৪ এইচ-এন | N/A | |||
| ৪এইচ-এসআই | খাঁজ | ||||
| এজ এক্সক্লুশন | ৩ মিমি | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 | |||
| 1 রুক্ষতা | পোলিশ Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| উচ্চ তীব্রতার আলোর কারণে প্রান্তের ফাটল উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা 1 হেক্স প্লেট 1 উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা পলিটাইপ এলাকা ভিজ্যুয়াল কার্বন অন্তর্ভুক্তি সিলিকন পৃষ্ঠ উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা scratches |
কোনটিই সমষ্টিগত এলাকা ≤০.০৫% কোনটিই সমষ্টিগত এলাকা ≤০.০৫% কোনটিই |
সমষ্টিগত দৈর্ঘ্য ≤ ২০ মিমি, একক দৈর্ঘ্য ≤ ২ মিমি সমষ্টিগত এলাকা ≤0.1% সমষ্টিগত এলাকা≤৩% সমষ্টিগত এলাকা ≤৩% সমষ্টিগত দৈর্ঘ্য ≤ 1 × ওয়েফারের ব্যাসার্ধ |
|||
| উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা এজ চিপ | কোনটিই অনুমোদিত নয় ≥0.2 মিমি প্রস্থ এবং গভীরতা | 7 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤ 1 মিমি | |||
| থ্রেডিং স্ক্রু লস | ≤500 সেমি-2 | N/A | |||
| বেস প্লেনের বিকৃতি | ≤1000 সেমি-2 | N/A | |||
উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা সিলিকন পৃষ্ঠ দূষণ |
কোনটিই | ||||
| প্যাকেজ | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট বা সিঙ্গল ওয়েফার কনটেইনার | ||||
১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের ছবি
![]()
![]()
১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের বৈশিষ্ট্য
প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে ১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার ব্যবহারের সুবিধা কী?
উত্তরঃ ১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার ব্যবহারের প্রধান সুবিধা হলঃ
প্রশ্ন: উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন সিস্টেমে ১২ ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারের প্রধান ব্যবহার কি?
A:12-ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফারগুলি বিশেষত উচ্চ-শক্তির অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত যেমনঃ
ট্যাগঃ ১২ ইঞ্চি সিসি ওয়েফার সিসি ওয়েফার ৩০০ মিমি সিসি ওয়েফার