|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| ব্যাসার্ধ: | 99.5 মিমি~100.0 মিমি | বেধ: | 350 μm ± 25 μm |
|---|---|---|---|
| ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন: | অফ অক্ষ: 2.0°-4.0° দিকে [110] ± 0.5° 4H/6H-P এর জন্য, অক্ষে: 3C-N এর জন্য 〈111〉± 0.5° | মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব: | 0 সেমি-2 |
| p-টাইপ 4H/6H-P: | ≤0.1 Ωꞏসেমি | n-টাইপ 3C-N: | ≤0.8 mΩꞏ সেমি |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য: | 32.5 মিমি ± 2.0 মিমি | সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য: | 18.0 মিমি ± 2.0 মিমি |
| উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা হেক্স প্লেট: | ক্রমবর্ধমান এলাকা ≤0.05% | ||
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | অ্যাক্সিস ছাড়াই সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,৫*৫ সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,৩সি-এন সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 3C-N টাইপ 5*5 & 10*10mm ইঞ্চি ব্যাসার্ধ বেধ 350 μm±25 μm
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 3C-N টাইপ এর বিমূর্ত
এই সংক্ষিপ্ত বিবরণে সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) 3 সি-এন টাইপ ওয়েফারগুলি চালু করা হয়েছে, যা 5x5 মিমি এবং 10x10 মিমি আকারে 350 μm ± 25 μm এর বেধের সাথে উপলব্ধ।এই ওয়েফারগুলি অপটোইলেকট্রনিক্সের উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির সুনির্দিষ্ট চাহিদা মেটাতে ডিজাইন করা হয়েছে, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, এবং এআর প্রযুক্তি। তাদের উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক শক্তি, এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য সঙ্গে, SiC 3C-N ওয়েফার উন্নত স্থায়িত্ব এবং তাপ dissipation প্রস্তাব,উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং দক্ষ শক্তি ব্যবস্থাপনা প্রয়োজন এমন ডিভাইসের জন্য তাদের আদর্শ করে তোলেনির্দিষ্ট মাত্রা এবং বেধ উন্নত শিল্প এবং গবেষণা অ্যাপ্লিকেশন বিস্তৃত জুড়ে সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত।
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 3C-N টাইপ এর উইন্ডোজিন
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 3C-N টাইপের বৈশিষ্ট্য এবং ডেটা চার্ট
উপাদান প্রকার: ৩সি-এন সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি)
এই স্ফটিক আকারে চমৎকার যান্ত্রিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।
আকার:
দুটি স্ট্যান্ডার্ড আকারে পাওয়া যায়ঃ 5x5mm এবং 10x10mm।
বেধ:
বেধঃ ৩৫০ μm ± ২৫ μm
সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রিত বেধ যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং বিভিন্ন ডিভাইস প্রয়োজনীয়তার সাথে সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত করে।
তাপ পরিবাহিতা:
সিআইসি উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা প্রদর্শন করে, দক্ষ তাপ অপসারণের অনুমতি দেয়, এটিকে তাপীয় ব্যবস্থাপনা প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে, যেমন এআর গ্লাস এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স।
যান্ত্রিক শক্তি:
সিআইসি একটি উচ্চ কঠোরতা এবং যান্ত্রিক শক্তি আছে, যা দীর্ঘস্থায়ীতা এবং পরিধান এবং বিকৃতি প্রতিরোধের প্রদান করে, যা চাহিদাপূর্ণ পরিবেশে অপরিহার্য।
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য:
সিআইসি ওয়েফারগুলির উচ্চ বৈদ্যুতিক ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং কম তাপীয় প্রসার রয়েছে, যা উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
অপটিক্যাল ক্লারিটি:
সিআইসির কিছু অপটিক্যাল তরঙ্গদৈর্ঘ্যের মধ্যে চমৎকার স্বচ্ছতা রয়েছে, যা এটিকে অপটোইলেকট্রনিক্স এবং এআর প্রযুক্তিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
উচ্চ স্থিতিশীলতা:
তাপীয় এবং রাসায়নিক চাপের প্রতিরোধের জন্য SiC কঠোর অবস্থার মধ্যে দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।
এই বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির পাশাপাশি পরবর্তী প্রজন্মের এআর প্রযুক্তিতে ব্যবহারের জন্য সিআইসি 3 সি-এন টাইপ ওয়েফারগুলিকে অত্যন্ত বহুমুখী করে তোলে।
৫*৫ & ১০*১০মিমি ইঞ্চি সিআইসি 晶片产品标准
৫*৫ & ১০*১০ মিমি ইঞ্চি ব্যাসার্ধ সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি)
|
等级 গ্রেড |
গবেষণা স্তর গবেষণা গ্রেড (র গ্রেড) |
试片级 ডামি গ্রেড (ডি গ্রেড) |
||||
|
উৎপাদন গ্রেড (পি গ্রেড) |
||||||
| দৈর্ঘ্য ব্যাসার্ধ | 5*5mm±0.2mm & 10*10mm±0.2mm | |||||
| 厚度 বেধ | ৩৫০ μm±২৫ μm | |||||
| 晶片方向 ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন | অক্ষের বাইরেঃ ২.০°-৪.০° দিকে [১১]2 | 0] 4H/6H-P এর জন্য ± 0.5°, অক্ষঃ ₹111 ₹ 3C-N এর জন্য ± 0.5° | ||||
| 微管密度 মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব | ০ সেমি-২ | |||||
| 电阻率 ※প্রতিরোধ | 4H/6H-P | ≤0.1 Ω.cm | ||||
| ৩সি-এন | ≤0.8 mΩ•cm | |||||
| 主定位边方向 প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | 4H/6H-P | {10-10} ±5.0° | ||||
| ৩সি-এন | {1-10} ±5.0° | |||||
| 主定位边长度 প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 15.9 মিমি ±1.7 মিমি | |||||
| 次定位边长度 সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | 8.0 মিমি ±1.7 মিমি | |||||
| 次定位边方向 সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | সিলিকন মুখোমুখিঃ 90° সিডব্লিউ. প্রাইম ফ্ল্যাট থেকে ±5.0° | |||||
| 边缘除除 এজ এক্সক্লুশন | ৩ মিমি | ৩ মিমি | ||||
| 总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 টিটিভি/বাউ/ওয়ার্প | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |||||
| 表面粗度※ রুক্ষতা | পোলিশ Ra≤1 nm | |||||
| CMP Ra≤0.2 nm | ||||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) এজ ফাটল উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা | কোনটিই | 1 অনুমোদিত, ≤1 মিমি | ||||
| 六方空洞 ((强光灯观测) ※ উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা হেক্স প্লেট | সমষ্টিগত এলাকা ≤১% | সমষ্টিগত আয়তন ≤3 % | ||||
| বহু প্রকারের আলোকসজ্জা | কোনটিই | সমষ্টিগত এলাকা ≤2 % | সমষ্টিগত এলাকা≤৫% | |||
|
সি 面划痕 ((强光灯观测) # সিলিকন পৃষ্ঠ উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা scratches |
কোন 3 অনুমোদিত নয়, প্রতিটি ≤0.5 মিমি 5 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤1 মিমি
|
1xওয়েফারে 5 টি স্ক্র্যাচ ব্যাসার্ধ সমষ্টি দৈর্ঘ্য |
8 স্ক্র্যাচ থেকে 1 × ওয়েফারের ব্যাসার্ধের সমষ্টিগত দৈর্ঘ্য | |||
| 崩边 ((强光灯观测) এজ চিপস উচ্চ তীব্রতা দ্বারা হালকা আলো | কোনটিই | 3 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤0.5 মিমি | 5 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤1 মিমি | |||
|
মুখের দূষণকারী পদার্থ (শক্তিমান আলোর আলো) সিলিকন পৃষ্ঠ দূষণ উচ্চ তীব্রতা দ্বারা |
কোনটিই | |||||
| 包装 প্যাকেজিং | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট বা সিঙ্গল ওয়েফার কনটেইনার | |||||
নোটঃ
※দোষের সীমাবদ্ধতা সীমানা ব্যতীত সমস্ত ওয়েফার পৃষ্ঠের জন্য প্রযোজ্য।
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 3C-N প্রকারের অ্যাপ্লিকেশন
সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফার, বিশেষত 3 সি-এন টাইপ, সিআইসির একটি রূপ যা এর ঘনক স্ফটিক কাঠামোর কারণে অনন্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে (3 সি-সিআইসি) ।এই ওয়েফারগুলি মূলত তাদের চমৎকার বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে বিভিন্ন উচ্চ-কার্যকারিতা এবং বিশেষায়িত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যেমন উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং শক্তিশালী যান্ত্রিক শক্তি। 3C-N টাইপ সিআইসি ওয়েফারের কিছু মূল অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
1.পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স
- উচ্চ ভোল্টেজ ডিভাইস: সিআইসি ওয়েফারগুলি পাওয়ার ডিভাইস যেমন এমওএসএফইটি, শটকি ডায়োড এবং আইজিবিটি তৈরির জন্য আদর্শ। এই ডিভাইসগুলি উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে ব্যবহৃত হয়,যেমন বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি), হাইব্রিড বৈদ্যুতিক যানবাহন (এইচইভি) এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তির সিস্টেম (যেমন সৌর ইনভার্টার) ।
- দক্ষ শক্তি রূপান্তর: সিআইসি ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী এবং মোটর ড্রাইভের মতো পাওয়ার রূপান্তর সিস্টেমে উচ্চতর দক্ষতা এবং হ্রাস শক্তি ক্ষতির অনুমতি দেয়।
2.উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস
- আরএফ অ্যাপ্লিকেশন: 3 সি-সিসি তার উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতার কারণে রাডার সিস্টেম, উপগ্রহ যোগাযোগ এবং 5 জি প্রযুক্তি সহ আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।
- উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এম্প্লিফায়ার: গিগাহার্টজ ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জে কাজ করে এমন ডিভাইসগুলি 3C-SiC এর কম শক্তি অপচয় এবং উচ্চ তাপ স্থিতিশীলতার সুবিধা পায়।
3.উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর পরিবেশ সেন্সর
- তাপমাত্রা সেন্সর: সিআইসি ওয়েফারগুলি এয়ারস্পেস, অটোমোটিভ এবং শিল্প প্রক্রিয়াগুলির মতো চরম তাপমাত্রার পরিবেশের জন্য ডিভাইসে ব্যবহার করা যেতে পারে।
- চাপ সেন্সর: 3C-SiC চাপ সেন্সরগুলিতে ব্যবহৃত হয় যা গভীর সমুদ্র অনুসন্ধান বা উচ্চ-ভ্যাকুয়াম চেম্বারের মতো চরম পরিবেশে কাজ করতে হবে।
- রাসায়নিক সেন্সর: 3C-N SiC রাসায়নিকভাবে নিষ্ক্রিয়, যা ক্ষয়কারী পরিবেশে পর্যবেক্ষণের জন্য গ্যাস বা রাসায়নিক সেন্সরগুলিতে এটি কার্যকর করে।
4.এলইডি এবং অপটোইলেকট্রনিক্স
- নীল এবং ইউভি এলইডি: 3 সি-সিসির বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ এটিকে নীল এবং অতিবেগুনী আলোক নির্গত ডায়োড (এলইডি) তৈরির জন্য আদর্শ করে তোলে, যা প্রদর্শন প্রযুক্তি, ডেটা স্টোরেজ (ব্লু-রে) এবং নির্বীজন প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
- ফোটোডিটেক্টর: আল্ট্রাভায়োলেট (ইউভি) ফটোডেটেক্টরগুলিতে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সিআইসি ওয়েফার ব্যবহার করা যেতে পারে, যার মধ্যে রয়েছে শিখা সনাক্তকরণ, পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ এবং জ্যোতির্বিজ্ঞান।
5.কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং গবেষণা
- কোয়ান্টাম ডিভাইস: ৩সি-সিআইসি কোয়ান্টাম তথ্য সংরক্ষণ এবং প্রক্রিয়াকরণকে সক্ষম করে এমন অনন্য ত্রুটি বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে স্পিনট্রনিক্স এবং অন্যান্য কোয়ান্টাম ভিত্তিক ডিভাইসগুলি বিকাশের জন্য কোয়ান্টাম কম্পিউটিংয়ে অনুসন্ধান করা হয়।
- উপাদান গবেষণা: যেহেতু 3C-SiC SiC এর তুলনামূলকভাবে কম সাধারণ পলিটাইপ, এটি অন্যান্য SiC প্রকারের (যেমন 4H-SiC বা 6H-SiC) তুলনায় এর সম্ভাব্য সুবিধাগুলি অন্বেষণের জন্য গবেষণায় ব্যবহৃত হয়।
6.এয়ারস্পেস এবং প্রতিরক্ষা
- কঠোর পরিবেশ ইলেকট্রনিক্স: সিআইসি ডিভাইসগুলি এয়ারস্পেস এবং প্রতিরক্ষা শিল্পে পাওয়ার মডিউল, রাডার সিস্টেম এবং উপগ্রহ যোগাযোগের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ, যেখানে চরম পরিস্থিতি এবং নির্ভরযোগ্যতা মূল বিষয়।
- শক্ত ইলেকট্রনিক্স: উচ্চ মাত্রার বিকিরণ সহ্য করার ক্ষমতা SiC কে মহাকাশ মিশন এবং সামরিক যন্ত্রপাতিতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে।
সংক্ষেপে, 3 সি-এন টাইপ সিআইসি ওয়েফারগুলি মূলত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস, কঠোর পরিবেশের জন্য সেন্সর, অপটোইলেকট্রনিক্স, কোয়ান্টাম ডিভাইস এবং এয়ারস্পেস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়,যেখানে তাদের অনন্য বৈশিষ্ট্য যেমন প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ, তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা ঐতিহ্যগত সিলিকন ভিত্তিক উপকরণগুলির তুলনায় উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে।
প্রশ্নোত্তর
3C সিলিকন কার্বাইড কি?
৩সি সিলিকন কার্বাইড (৩সি-সিআইসি)এটি সিলিকন কার্বাইডের একটি পলিটাইপ, যা এর ঘনক স্ফটিক কাঠামোর দ্বারা চিহ্নিত হয়, যা এটিকে 4H-SiC এবং 6H-SiC এর মতো আরও সাধারণ ষড়ভুজীয় রূপগুলি থেকে আলাদা করে।3C-SiC এর ঘনক্ষেত্রটি বেশ কয়েকটি উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে.
প্রথমত, 3C-SiC প্রদর্শনীইলেকট্রন গতিশীলতা বৃদ্ধি, এটি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য বিশেষ করে দ্রুত সুইচিংয়ের প্রয়োজনীয় অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সুবিধাজনক করে তোলে।ব্যান্ডগ্যাপঅন্যান্য সিআইসি পলিটাইপগুলির তুলনায় এটি কম (প্রায় ২.৩৬ ইভি), এটি এখনও উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-পাওয়ার পরিবেশে ভাল পারফর্ম করে।
উপরন্তু, 3C-SiCউচ্চ তাপ পরিবাহিতাএবংযান্ত্রিক শক্তিএটি সিলিকন কার্বাইডের জন্য আদর্শ, এটি উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের পরিবেশের মতো চরম অবস্থার মধ্যে কাজ করতে সক্ষম করে।অপটিক্যাল স্বচ্ছতা, এটি এলইডি এবং ফটোডেটেক্টরগুলির মতো অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।
ফলস্বরূপ, 3C-SiC ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স,উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস,অপটোইলেকট্রনিক্স, এবংসেন্সরবিশেষ করে উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির ক্ষেত্রে, যেখানে এর অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলি উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে।