3 সি-এন সিআইসি ওয়েফার 4 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড প্রাইম গ্রেড ডামি গ্রেড উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা আরএফ এলইডি

3 সি-এন সিআইসি ওয়েফার 4 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড প্রাইম গ্রেড ডামি গ্রেড উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা আরএফ এলইডি

৩সি-এন সিআইসি ওয়েফারের বর্ণনাঃ

আমরা 4 ইঞ্চি 3C-N সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার N-Type SiC Substrate দিয়ে অফার করতে পারি।এটিতে সিলিকন কার্বাইডের একটি স্ফটিক কাঠামো রয়েছে যেখানে সিলিকন এবং কার্বন পরমাণুগুলি একটি ডায়মন্ডের মতো কাঠামোর সাথে একটি ঘনক্ষেত্রের গ্রিডে সাজানো হয়েছেএটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত 4H-SiC এর তুলনায় বেশ কয়েকটি উচ্চতর বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যেমন উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং স্যাচুরেশন গতি। 3C-SiC পাওয়ার ডিভাইসগুলির পারফরম্যান্স আরও ভাল, সস্তা,এবং বর্তমানে প্রধানধারার 4H-SiC ওয়েফারের চেয়ে তৈরি করা সহজএটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত।

3C-N SiC ওয়েফারের চরিত্রঃ

1. বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ
হাই ব্রেকডাউন ভোল্টেজঃ 3 সি-এন সিআইসি ওয়েফারগুলির একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ (~ 3.0 eV) রয়েছে, যা উচ্চ ভোল্টেজ অপারেশন সক্ষম করে এবং তাদের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
2. উচ্চ তাপ পরিবাহিতা
কার্যকর তাপ ছড়িয়ে দেওয়াঃ প্রায় 3.0 W / cm · K এর তাপ পরিবাহিতা সহ, এই ওয়েফারগুলি কার্যকরভাবে তাপ ছড়িয়ে দিতে পারে, অতিরিক্ত গরম না করে ডিভাইসগুলিকে উচ্চতর শক্তি স্তরে কাজ করার অনুমতি দেয়।
3উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা
উন্নত পারফরম্যান্সঃ উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা (~ 1000 সেমি 2 / ভি · এস) দ্রুত সুইচিং গতির দিকে পরিচালিত করে, 3 সি-এন সিআইসিকে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
4যান্ত্রিক শক্তি
স্থায়িত্বঃ 3C-N SiC ওয়েফারগুলি উচ্চ কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধের সহ চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, যা বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে তাদের নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।
5রাসায়নিক স্থিতিশীলতা
ক্ষয় প্রতিরোধেরঃ উপাদানটি রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল এবং অক্সিডেশন প্রতিরোধী, এটি কঠোর পরিবেশে উপযুক্ত করে তোলে।
6. নিম্ন ফুটো প্রবাহ
দক্ষতাঃ 3C-N SiC ওয়েফার থেকে তৈরি ডিভাইসে কম ফুটো প্রবাহ শক্তি ইলেকট্রনিক্সের দক্ষতা উন্নত করতে অবদান রাখে।

3C-N SiC ওয়েফারের ফর্মঃ

সিআইসির বৈশিষ্ট্যগুলির তুলনাঃ

3C-N SiC ওয়েফারের শারীরিক ছবিঃ

৩সি-এন সিআইসি ওয়েফারের ব্যবহারঃ

1পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স
উচ্চ-শক্তি ডিভাইসঃ তাদের উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং তাপ পরিবাহিতা কারণে শক্তি MOSFETs এবং IGBTs ব্যবহৃত।
সুইচিং ডিভাইসঃ উচ্চ দক্ষতা প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ, যেমন ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী এবং ইনভার্টার।
2. আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রানজিস্টরঃ উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা থেকে উপকৃত হয়ে আরএফ এম্প্লিফায়ার এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়।
রাডার এবং যোগাযোগ ব্যবস্থা: উন্নত কর্মক্ষমতা অর্জনের জন্য উপগ্রহ যোগাযোগ এবং রাডার প্রযুক্তিতে ব্যবহৃত হয়।
3এলইডি প্রযুক্তি
নীল এবং অতিবেগুনী এলইডিঃ 3 সি-সিআইসি আলোক নির্গত ডায়োড উত্পাদনে ব্যবহার করা যেতে পারে, বিশেষত নীল এবং ইউভি আলোর অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য।
4. উচ্চ তাপমাত্রা অ্যাপ্লিকেশন
সেন্সরঃ অটোমোবাইল এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত উচ্চ তাপমাত্রা সেন্সরগুলির জন্য উপযুক্ত।
এয়ারস্পেসঃ এমন উপাদানগুলিতে ব্যবহৃত হয় যা চরম পরিবেশে কার্যকরভাবে কাজ করতে হবে।

3C-N SiC ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন ছবিঃ

৩সি-এন সিআইসি ওয়েফারের প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ

কাস্টমাইজডঃ

কাস্টমাইজড সিআইসি ক্রিস্টাল পণ্য গ্রাহকের বিশেষ প্রয়োজনীয়তা এবং স্পেসিফিকেশন পূরণ করতে তৈরি করা যেতে পারে।

পণ্যের সুপারিশঃ

1.২ ইঞ্চি ৩ ইঞ্চি ৪ ইঞ্চি ৬ ইঞ্চি ৮ ইঞ্চি সিক ওয়েফার ৪ এইচ-এন/সেমি টাইপ

2.6 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার 4H/6H-P