|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| অণুর ওজন (g/mol): | 100.697 | রঙ/চেহারা: | ফ্যাকাশে কমলা শক্ত |
|---|---|---|---|
| বিশুদ্ধতা: | ≥99.999%, 5N | গলনাঙ্ক (°C) টেরিয়াল: | 1,457 |
| ব্যান্ড গ্যাপ (eV)ent: | 2.24 | ইলেক্ট্রন গতিশীলতা (cm2/(V·s)): | 300 |
| চৌম্বক সংবেদনশীলতা (χ) (cgs): | -13.8×10−6 | তাপ পরিবাহিতা (W/(cm·K)): | 0.752 |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | এন টাইপ গ্যাপ ওয়েফার,২ ইঞ্চি গ্যাপ ওয়েফার,উচ্চ বিশুদ্ধতা GaP ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
গ্যাপি ওয়েফার ২ ইঞ্চি এন টাইপ আনডোপড এস ডোপড ১০০ ডিএসপি এসএসপি সিজেড উচ্চ বিশুদ্ধতা ৫এন ৯৯.৯৯৯%
গ্যাপি ওয়েফারের বর্ণনাঃ
অর্ধপরিবাহীগুলিতে, গ্যালিয়াম ফসফাইড একটি প্রকার III-V যৌগিক অর্ধপরিবাহী যা একটি প্রশস্ত পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যালিয়াম ফসফাইড (gap) ওয়েফার্সগ্যাপ রয়েছে।এই যৌগের স্ফটিক কাঠামো সিলিকনের মতোই. এর গ্রিড ধ্রুবক 0.545 এনএম এবং এর ইলেকট্রন এবং গর্ত গতিশীলতা যথাক্রমে 100 এবং 75 সেমি 2 / ভি-এস। এই উপাদানটি গন্ধহীন এবং পানিতে দ্রবণীয় নয়।এটি অনেক ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়েছেসিএমওএস এবং আরএফ/ভি/এ সুইচ সহ।
এলইডিগুলির জন্য প্রধান স্তর উপাদানটি গ্যালিয়াম ফসফাইড, এবং এটি লাল, হলুদ এবং কমলা আলোর জন্য স্বচ্ছ। এই বৈশিষ্ট্যটি এলইডিগুলির জন্য গ্যালিয়াম ফসফাইডকে একটি উচ্চতর পছন্দ করে তোলে।এই ডায়োড অধিকাংশ আলোর জন্য স্বচ্ছ, তাই ইলেকট্রনিক উপাদানগুলিতে তাদের ব্যবহার নির্ভর করে যে তারা কতটা উজ্জ্বল আলো নির্গত করে। তবে, এই উপাদানটির সাথে সম্পর্কিত একটি সমস্যা রয়েছে। যদিও এটি অত্যন্ত পরিবাহী,এটি আলোকসজ্জার উৎস হিসেবে উপযোগী হতে যথেষ্ট আলো নির্গত করে না।.
গ্যাপি ওয়েফারের চরিত্রঃ
1. ব্যান্ডগ্যাপঃ GaP এর ঘরের তাপমাত্রায় প্রায় ২.২৬ eV এর একটি সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে। এই ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি স্তরটি GaP কে এলইডি এবং ফটোডেটেক্টর সহ অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
2অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যঃ গ্যাপি ওয়েফারগুলি দৃশ্যমান বর্ণালীতে উচ্চ স্বচ্ছতার মতো চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে।এই স্বচ্ছতা দৃশ্যমান আলোর পরিসরে কাজ করে এমন অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য সুবিধাজনক.
3বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যঃ GaP এর ভাল বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং কম অন্ধকার স্রোত,এটিকে উচ্চ গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং কম গোলমালের অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে.
4তাপীয় বৈশিষ্ট্যঃ GaP ওয়েফারগুলির তুলনামূলকভাবে ভাল তাপ পরিবাহিতা রয়েছে, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলি থেকে তাপ অপসারণে সহায়তা করে।এই বৈশিষ্ট্য ডিভাইস কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখার জন্য গুরুত্বপূর্ণ.
5. ক্রিস্টাল কাঠামো: GaP এর একটি জিংকব্লেন্ড ক্রিস্টাল কাঠামো রয়েছে, যা এর ইলেকট্রনিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে।গ্যাপি-ভিত্তিক ডিভাইসগুলির বৃদ্ধি এবং উত্পাদন প্রক্রিয়াকেও স্ফটিক কাঠামো প্রভাবিত করে.
6. ডোপিংঃ GaP ওয়েফারগুলি তাদের বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি পরিবর্তন করতে বিভিন্ন অমেধ্যের সাথে ডোপ করা যেতে পারে।এই ডোপ্যান্ট নিয়ন্ত্রণ নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন জন্য GaP ডিভাইস মাপসই জন্য অপরিহার্য.
7. III-V কম্পাউন্ডের সাথে সামঞ্জস্যঃ GaP অন্যান্য III-V কম্পাউন্ড সেমিকন্ডাক্টরগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ,উন্নত ডিভাইস তৈরির জন্য বিভিন্ন উপকরণকে একত্রিত করার জন্য বিভিন্ন উপকরণকে একত্রিত করার অনুমতি দেয়.
গ্যাপি ওয়েফারের আকৃতিঃ
| স্ফটিক গঠন | ঘন ঘন. a =5.4505?/FONT> | |
| বৃদ্ধি পদ্ধতি | CZ (LEC) | |
| ঘনত্ব | 4.১৩ গ্রাম/সেমি৩ | |
| গলনাঙ্ক | ১৪৮০ ডিগ্রি সেলসিয়াস | |
| তাপীয় সম্প্রসারণ | 5.3 x10-6 / oC | |
| ডোপ্যান্ট | এস ডোপড | অপ্রচলিত |
| ক্রিস্টাল বৃদ্ধির অক্ষ | <111> অথবা <100> | <100> অথবা <111> |
| কন্ডাক্টর টাইপ | এন | এন |
| ক্যারিয়ারের ঘনত্ব | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | ~ ০.০৩ ওয়াট-সেমি | ~ ০.৩ ওয়াট-সেমি |
| ইপিডি | < ৩x১০৫ | < ৩x১০৫ |
গ্যাপি ওয়েফারের শারীরিক ছবিঃ
গ্যাপি ওয়েফারের প্রয়োগঃ
1আলোক নির্গত ডায়োড (LED):
গ্যাপি ওয়েফারগুলি সাধারণত বিভিন্ন আলোকসজ্জার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য এলইডি তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে সূচক আলো, প্রদর্শন এবং অটোমোবাইল আলো অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।
2লেজার ডায়োড:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল ডেটা স্টোরেজ, টেলিযোগাযোগ এবং চিকিত্সা ডিভাইসগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য লেজার ডায়োড উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়।
3- ফটোগ্রাফিক ডিটেক্টর:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি আলোর সংবেদনের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ফটোডেটেক্টরগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে অপটিক্যাল যোগাযোগ, চিত্রায়ন সিস্টেম এবং পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ অন্তর্ভুক্ত।
4সোলার সেল:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি উচ্চ দক্ষতার সৌর কোষগুলির বিকাশে ব্যবহৃত হয়, বিশেষত মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশন এবং স্থলীয় কনসেন্ট্রেটর ফোটোভোলটাইকের জন্য মাল্টিজঙ্কশন সৌর কোষ কাঠামোতে।
5অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস:
গ্যাপি ওয়েফার বিভিন্ন অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসের অবিচ্ছেদ্য অংশ, যেমন ফোটনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, অপটিক্যাল সেন্সর এবং অপটোইলেকট্রনিক মডুলেটর।
6হাই স্পিড ইলেকট্রনিক্স:
হাই-ফ্রিকোয়েন্সি ট্রানজিস্টর, মাইক্রোওয়েভ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার সহ উচ্চ-গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে গ্যাপ ওয়েফার ব্যবহার করা হয়।
7সেমিকন্ডাক্টর লেজার:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল যোগাযোগ, বারকোড স্ক্যানার এবং চিকিত্সা সরঞ্জামগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত অর্ধপরিবাহী লেজারের উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়।
8ফোটনিক্স:
ন্যানোস্কেল এ আলো পরিচালনা করার জন্য ওয়েভগাইড, অপটিক্যাল সুইচ এবং ফোটনিক ক্রিস্টাল সহ ফোটনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে গ্যাপ ওয়েফারগুলি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।
9সেন্সর প্রযুক্তি:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সেন্সরগুলির বিকাশে ব্যবহৃত হয়, যেমন গ্যাস সেন্সিং, পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ এবং জৈব চিকিৎসা নির্ণয়।
10. হেট্রো জংশন ডিভাইস:
গ্যাপি ওয়েফারগুলি অন্যান্য III-V যৌগিক অর্ধপরিবাহীগুলির সাথে একীভূত হয়, যা ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক সিস্টেমে উন্নত কার্যকারিতা সক্ষম করে।
গ্যাপি ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন ছবিঃ
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: গ্যালিয়াম ফসফাইড কিসের জন্য ব্যবহৃত হয়?
উত্তর: গ্যালিয়াম ফসফাইড ১৯৬০ সাল থেকে কম থেকে মাঝারি উজ্জ্বলতার কম খরচে লাল, কমলা এবং সবুজ আলোক নির্গত ডায়োড (এলইডি) তৈরিতে ব্যবহৃত হয়েছে।এটি একা বা গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের সাথে একসাথে ব্যবহৃত হয়
পণ্যের সুপারিশঃ