|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| প্রকার: | 4H/6H-P 3C-N | টিটিভি/বো/ওয়ার্প: | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm |
|---|---|---|---|
| গ্রেড: | উত্পাদন / গবেষণা / ডামি | ব্যাসার্ধ: | 5*5mm±0.2mm এবং 10*10mm±0.2mm |
| বেধ: | 350 μm±25 μm | ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন: | অফ অক্ষ: 2.0°-4.0° দিকে 4H/6H-P এর জন্য �112�0� ± 0.5°, অক্ষে: 3C-N এর জন্য 〈111〉 ± 0.5° |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা: | 4H/6H-P ≤0.1 Ωcm 3C-N ≤0.8 mΩ•cm | এজ এক্সক্লুশন: | 3 মিমি |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 3C-N SiC ওয়েফার,৪এইচ-পি সিআইসি ওয়েফার,৬ এইচ-পি সিআইসি ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
৫×৫ মিমি ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফার ৪এইচ-পি ৬এইচ-পি ৩সি-এন প্রকার উৎপাদন গ্রেড গবেষণা গ্রেড ডামি গ্রেড
৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের বর্ণনাঃ
5 × 5 মিমি এবং 10 × 10 মিমি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফারগুলি ছোট আকারের সাবস্ট্র্যাট যা বিভিন্ন অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।সাধারণত কমপ্যাক্ট ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয় যেখানে স্থান সীমিতএই সিআইসি ওয়েফারগুলি ইলেকট্রনিক ডিভাইস, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অপটোইলেকট্রনিক্স এবং সেন্সর তৈরিতে প্রয়োজনীয় উপাদান।তাদের নির্দিষ্ট আকারগুলি স্থানগত সীমাবদ্ধতার ক্ষেত্রে বিভিন্ন প্রয়োজনীয়তার জন্য উপযুক্তগবেষক, প্রকৌশলী,এবং নির্মাতারা এই সিআইসি ওয়েফারগুলিকে উন্নত প্রযুক্তির বিকাশের জন্য ব্যবহার করে এবং বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সিলিকন কার্বাইডের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলি অন্বেষণ করে.
৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের অক্ষরঃ
4H-P টাইপ SiC:
উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা।
উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
চমৎকার তাপ পরিবাহিতা।
উচ্চ তাপমাত্রা অপারেশন জন্য আদর্শ।
6H-P টাইপ SiC:
ভাল যান্ত্রিক শক্তি.
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা।
উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ তাপমাত্রা অ্যাপ্লিকেশন ব্যবহার করা হয়।
কঠোর পরিবেশের ইলেকট্রনিক্সের জন্য উপযুক্ত
3C-N টাইপ SiC:
ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেকট্রনিক্সের জন্য বহুমুখী।
সিলিকন প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য উপযুক্ত।
বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ ইলেকট্রনিক্সের সুযোগ দেয়
৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের আকৃতিঃ
| গ্রেড | উৎপাদন গ্রেড (পি গ্রেড) |
গবেষণা গ্রেড (র গ্রেড) |
ডামি গ্রেড (ডি গ্রেড) |
|
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | 4H/6H-P | {10-10} ±5.0° | ||
| ৩সি-এন | {1-10} ±5.0° | |||
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 15.9 মিমি ±1.7 মিমি | |||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | 8.0 মিমি ±1.7 মিমি | |||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | সিলিকন মুখোমুখিঃ 90° সিডব্লিউ. প্রাইম ফ্ল্যাট থেকে ±5.0° | |||
| রুক্ষতা | পোলিশ Ra≤1 nm CMP Ra≤0.2 nm |
|||
| প্রান্তের ফাটল উচ্চ তীব্রতার আলোর দ্বারা |
কোনটিই | 1 অনুমোদিত, ≤1 মিমি | ||
| হেক্স প্লেট উচ্চ তীব্রতার আলোর দ্বারা |
সমষ্টিগত এলাকা ≤১% | সমষ্টিগত আয়তন ≤3 % | ||
| পলিটাইপ এলাকা উচ্চ তীব্রতার আলোর দ্বারা |
কোনটিই | সমষ্টিগত এলাকা ≤2 % | সমষ্টিগত এলাকা≤৫% | |
| সিলিকন পৃষ্ঠের স্ক্র্যাচ উচ্চ তীব্রতার আলোর দ্বারা |
1 × ওয়েফারে 3 স্ক্র্যাচ ব্যাসার্ধ সমষ্টি দৈর্ঘ্য |
1xওয়েফারে 5 টি স্ক্র্যাচ ব্যাসার্ধ সমষ্টি দৈর্ঘ্য |
৮টি স্ক্র্যাচ থেকে ১x ওয়াফারের ব্যাসার্ধ পর্যন্ত সমষ্টিগত দৈর্ঘ্য |
|
| এজ চিপস হাই তীব্রতা দ্বারা হালকা হালকা |
কোনটিই | 3 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤0.5 মিমি | 5 অনুমোদিত, প্রতিটি ≤1 মিমি | |
| সিলিকন পৃষ্ঠ দূষণ উচ্চ তীব্রতা দ্বারা |
কোনটিই | |||
| প্যাকেজ | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট বা সিঙ্গল ওয়েফার কনটেইনার | |||
৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের শারীরিক ছবিঃ
৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের প্রয়োগঃ
4H-P টাইপ SiC:
উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক্সঃ পাওয়ার ডায়োড, এমওএসএফইটি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ সংশোধনকারীদের মধ্যে ব্যবহৃত হয়।
আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসঃ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশঃ এয়ারস্পেস এবং অটোমোটিভ সিস্টেমের জন্য আদর্শ।
6H-P টাইপ SiC:
পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সঃ উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য শটকি ডায়োড, পাওয়ার এমওএসএফইটি এবং থাইরিস্টরগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্সঃ কঠোর পরিবেশে ইলেকট্রনিক্স জন্য উপযুক্ত।
3C-N টাইপ SiC:
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটঃ সিলিকন প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্যের কারণে আইসি এবং এমইএমএসের জন্য আদর্শ।
অপটোইলেকট্রনিক্সঃ এলইডি, ফটোডেটেক্টর এবং সেন্সরগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
বায়োমেডিক্যাল সেন্সরঃ বিভিন্ন সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বায়োমেডিক্যাল ডিভাইসে প্রয়োগ করা হয়।
আবেদন৫×৫ মিমি এবং ১০×১০ মিমি সিআইসি ওয়েফারের ছবিঃ
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: 3C এবং 4H-SiC এর মধ্যে পার্থক্য কি?
উত্তরঃ সাধারণভাবে 3C-SiC নিম্ন তাপমাত্রায় স্থিতিশীল পলিটাইপ হিসাবে পরিচিত, যখন 4H এবং 6H-SiC উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল পলিটাইপ হিসাবে পরিচিত,যা তুলনামূলকভাবে উচ্চ তাপমাত্রা প্রয়োজন এবং epitaxial স্তর ত্রুটি পরিমাণ Cl / Si অনুপাত সঙ্গে সম্পর্কিত হয়.
পণ্যের সুপারিশঃ
1.1.5 মিমি বেধ 4h-N 4H-SEMI SIC সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার