|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| অপবিত্রতা: | বিনামূল্যে/নিম্ন অপরিষ্কার | গ্রেড: | উত্পাদন / গবেষণা / ডামি |
|---|---|---|---|
| প্রতিরোধ ক্ষমতা: | উচ্চ/নিম্ন প্রতিরোধ ক্ষমতা | এজ এক্সক্লুশন: | ≤50um |
| কণা: | মুক্ত/নিম্ন কণা | নম/ওয়ার্প: | ≤50um |
| টিটিভি: | ≤2um | পৃষ্ঠতল সমাপ্তি: | একক/ডাবল সাইড পালিশ |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 8 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার,৪ এইচ সি সি ওয়েফার,উৎপাদন গ্রেডের সিআইসি ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
সিআইসি ওয়েফার 4 এইচ এন টাইপ সিলিকন কার্বাইড গ্রেড 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি 8 ইঞ্চি ডিএসপি কাস্টমাইজড
সিআইসি ওয়েফারের বর্ণনাঃ
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার একটি 4H এন-টাইপে আসে, যা সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের জন্য সর্বাধিক ব্যবহৃত প্রকার। এই ধরণের ওয়েফারটি উচ্চ ক্যারিয়ার গতিশীলতার জন্য পছন্দ করা হয়,উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, এবং উচ্চ রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা।
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার তিনটি ভিন্ন গ্রেডে পাওয়া যায়ঃ উত্পাদন, গবেষণা এবং ডামি।উৎপাদন গ্রেড ওয়েফার বাণিজ্যিক অ্যাপ্লিকেশন ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয় এবং কঠোর মানের মান অনুযায়ী উত্পাদিত হয়রিসার্চ গ্রেড ওয়েফারটি গবেষণা এবং উন্নয়ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং আরও উচ্চ মানের মান অনুযায়ী উত্পাদিত হয়।ডামি-গ্রেড ওয়েফারটি উত্পাদন প্রক্রিয়াতে স্থানধারক হিসাবে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে.
সিআইসি ওয়েফারের চরিত্রঃ
সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফারগুলি একটি মূল অর্ধপরিবাহী উপাদান যা অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।এখানে সিআইসি ওয়েফারের কিছু বৈশিষ্ট্য রয়েছে:
1ব্রডব্যান্ড ফাঁক বৈশিষ্ট্যঃ
সিআইসির একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে, সাধারণত ২.৩ থেকে ৩.৩ ইলেকট্রন ভোল্টের মধ্যে, যা এটিকে উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য চমৎকার করে তোলে।এই প্রশস্ত-ব্যান্ড ফাঁক সম্পত্তি উপাদান মধ্যে ফুটো বর্তমান কমাতে এবং ডিভাইসের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে সাহায্য করে.
2তাপ পরিবাহিতাঃ
সিআইসির তাপ পরিবাহিতা খুব বেশি, যা প্রচলিত সিলিকন ওয়েফারের চেয়ে কয়েকগুণ বেশি।এই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে দক্ষ তাপ ছড়িয়ে দেওয়ার সুবিধার্থে এবং ডিভাইসের স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে.
3যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যঃ
সিআইসির চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি এবং কঠোরতা রয়েছে, যা উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর পরিবেশে অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ। সিআইসি ওয়েফারগুলি উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ চাপে ভাল কাজ করে,এবং উচ্চ বিকিরণ পরিবেশ, তাদের উচ্চ শক্তি এবং স্থায়িত্বের প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
4রাসায়নিক স্থিতিশীলতাঃ
সিআইসির রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধের ক্ষমতা বেশি এবং এটি অনেক রাসায়নিকের আক্রমণকে প্রতিরোধ করতে পারে, তাই এটি কিছু বিশেষ পরিবেশে ভাল কাজ করে যেখানে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা প্রয়োজন।
5বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যঃ
SiC এর একটি উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং কম ফুটো বর্তমান রয়েছে, এটি উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে খুব দরকারী করে তোলে।সিআইসি ওয়েফারগুলির কম প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং উচ্চতর অনুমতি রয়েছে, যা আরএফ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপরিহার্য।
সাধারণভাবে, সিআইসি ওয়েফারগুলি তাদের চমৎকার বৈদ্যুতিক, তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইস, আরএফ ডিভাইস এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসে বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন সম্ভাবনা রয়েছে।
সিআইসি ওয়েফারের বৈশিষ্ট্যাবলী টেবিলঃ
| পয়েন্ট | 4 এইচ এন-টাইপ সিআইসি ওয়েফার পি গ্রেড ((2 ~ 8 ইঞ্চি) | ||||
| ব্যাসার্ধ | 50.8±0.3 মিমি | 76.২±০.৩ মিমি | 100.0±0.3 মিমি | 150.0±0.5 মিমি | 200.0±0.5 মিমি |
| বেধ | ৩৫০±২৫ মাইক্রোমিটার | ৩৫০±২৫ মাইক্রোমিটার | ৩৫০±২৫ মাইক্রোমিটার | ৩৫০±২৫ মাইক্রোমিটার | 500±25μm |
| পৃষ্ঠের দিকনির্দেশনা | অক্ষের বাইরেঃ ৪° <১১-২০>±০.৫° | ||||
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | <১১-২০>±১° এর সমান্তরাল | <১-১০০>±১° | |||
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 16.0±1.5 মিমি | 22.0±1.5 মিমি | 32.5±2.0 মিমি | 47.5±2.0 মিমি | খাঁজ |
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | সিলিকন মুখোমুখিঃ 90° সিডব্লিউ. প্রাথমিক সমতল থেকে±5.0° | N/A | N/A | ||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | 8.0±1.5 মিমি | 11.0±1.5 মিমি | 18.0±2.0 মিমি | N/A | N/A |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.০১৪ ০.০২৮Ω•সিমি | ||||
| সামনের পৃষ্ঠের সমাপ্তি | সি-ফেসঃ সিএমপি, রা <০.৫ এনএম | ||||
| পিছনের পৃষ্ঠতল সমাপ্তি | C-Face: অপটিক্যাল পোলিশ, Ra<1.0nm | ||||
| লেজার মার্ক | পিছনের দিক: সি-ফেস | ||||
| টিটিভি | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
| BOW | ≤ ২৫ মাইক্রোমিটার | ≤ ২৫ মাইক্রোমিটার | ≤30μm | ≤40μm | ≤ ৬০ μm |
| WARP | ≤30μm | ≤35μm | ≤40μm | ≤ ৬০ μm | ≤ ৮০ মাইক্রোমিটার |
| এজ এক্সক্লুশন | ≤3 মিমি | ||||
সিআইসি ওয়েফারের শারীরিক ছবিঃ
সিআইসি ওয়েফারের প্রয়োগঃ
1পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস:
পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন পাওয়ার MOSFETs (মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর) এবং SCHTKEY (Schottky বাধা ডায়োড) ক্ষেত্রে SiC ওয়েফারগুলির বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে।উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্র শক্তি এবং উচ্চ ইলেকট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফট গতি SiC উপাদান এটি উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্ব এবং উচ্চ দক্ষতা শক্তি রূপান্তরকারী জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করতে.
2রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ) ডিভাইসঃ
সিআইসি ওয়েফারগুলি আরএফ ডিভাইসগুলিতেও গুরুত্বপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়, যেমন আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস।উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং কম ক্ষতি SiC উপকরণ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ শক্তি অ্যাপ্লিকেশন তাদের চমৎকার করতে.
3অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস:
সিআইসি ওয়েফারগুলিও অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে ক্রমবর্ধমান অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পাচ্ছে, যেমন ফটোডাইওড, অতিবেগুনী আলো ডিটেক্টর এবং লেজার ডাইওড।সিআইসি উপাদানটির চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য এবং স্থিতিশীলতা এটিকে অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসের ক্ষেত্রে একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান করে তোলে.
4উচ্চ তাপমাত্রা সেন্সরঃ
সিআইসি ওয়েফারগুলি তাদের চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চ তাপমাত্রা স্থিতিশীলতার কারণে উচ্চ তাপমাত্রা সেন্সর ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। সিআইসি সেন্সরগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীলভাবে কাজ করতে পারে,বিকিরণ, এবং ক্ষয়কারী পরিবেশ এবং এয়ারস্পেস, শক্তি এবং শিল্প খাতের জন্য উপযুক্ত।
5বিকিরণ প্রতিরোধী ইলেকট্রনিক ডিভাইস:
সিআইসি ওয়েফারগুলির বিকিরণ প্রতিরোধের ফলে তারা পারমাণবিক শক্তি, এয়ারস্পেস এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় যেখানে বিকিরণ প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্যগুলির প্রয়োজন হয়।সিআইসি উপাদানটি বিকিরণের জন্য উচ্চ স্থিতিশীল এবং উচ্চ বিকিরণ পরিবেশে ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত.
সিআইসি ওয়েফারের প্রয়োগের চিত্রঃ
সিআইসি ওয়েফারের কাস্টমাইজেশনঃ
আমরা আমাদের গ্রাহকদের বিভিন্ন চাহিদা মেটাতে উচ্চ মানের এবং উচ্চ কার্যকারিতা কাস্টমাইজড সিআইসি ওয়েফার সমাধান প্রদান করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ। উন্নত উত্পাদন সরঞ্জাম এবং প্রযুক্তিগত দলের সাথে,আমাদের কারখানা বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন SiC wafers কাস্টমাইজ করতে পারেন, আমাদের গ্রাহকদের নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী বেধ এবং আকৃতি।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: সবচেয়ে বড় সাফাইর ওয়েফার কোনটি?
এঃ৩০০ মিমি (১২ ইঞ্চি) সাফাইর এখন হালকা নির্গত ডায়োড (এলইডি) এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সের জন্য বৃহত্তম ওয়েফার।
2প্রশ্ন: সাফাইর ওয়াফারের আকার কত?
উঃ আমাদের স্ট্যান্ডার্ড ওয়েফার ব্যাসার্ধের আকার ২৫.৪ মিমি থেকে ৩০০ মিমি পর্যন্ত।ওয়েফারগুলি বিভিন্ন বেধ এবং দৃষ্টিভঙ্গিতে পোলিশ বা অপোলিশ পাশের সাথে উত্পাদিত হতে পারে এবং এতে ডোপ্যান্ট অন্তর্ভুক্ত থাকতে পারে.
3প্রশ্ন: রৌপ্য এবং সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে পার্থক্য কী?
উত্তর: এলইডি হল সাফিরের সবচেয়ে জনপ্রিয় অ্যাপ্লিকেশন। এই উপাদানটি স্বচ্ছ এবং এটি আলোর চমৎকার পরিবাহক।সিলিকন অস্বচ্ছ এবং কার্যকরভাবে আলো নিষ্কাশন করতে দেয় নাসেমিকন্ডাক্টর উপাদানটি এলইডিগুলির জন্য আদর্শ কারণ এটি সস্তা এবং স্বচ্ছ।
পণ্যের সুপারিশঃ
2.৪ ইঞ্চি ৪ এইচ-এন সিআইসি সাবস্ট্র্যাট
3.4H-SEMI 2 ইঞ্চি সিআইসি ওয়েফার