|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| ব্যাসার্ধ: | 2 ইঞ্চি | কণা: | মুক্ত/নিম্ন কণা |
|---|---|---|---|
| উপাদান: | সিলিকন কারবাইড | প্রকার: | 4H-N/ 6H-N/4/6H-SI |
| ওরিয়েন্টেশন: | অন-অক্ষ/অ-অক্ষ | প্রতিরোধ ক্ষমতা: | উচ্চ/নিম্ন প্রতিরোধ ক্ষমতা |
| অপবিত্রতা: | বিনামূল্যে/নিম্ন অপরিষ্কার | পৃষ্ঠের রুক্ষতা: | ≤1.2nm |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 50.8 মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,পি গ্রেড সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,ডাবল সাইড পোলিশ সিক ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ব্যাসার্ধ ৫০.৮ মিমি পি গ্রেড আর গ্রেড ডি ড্রেড ডাবল সাইড পোলিশ
পণ্যের বর্ণনাঃ
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার একটি উচ্চ-কার্যকারিতা উপাদান যা ইলেকট্রনিক ডিভাইস উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়।এটি একটি সিলিকন ওয়েফারের উপরে একটি সিলিকন কার্বাইড স্তর থেকে তৈরি এবং বিভিন্ন গ্রেড পাওয়া যায়ওয়াইফারের ল্যাম্বডা / 10 এর সমতলতা রয়েছে, যা নিশ্চিত করে যে ওয়াইফার থেকে তৈরি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলি সর্বোচ্চ মানের এবং পারফরম্যান্সের।সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স ব্যবহারের জন্য একটি আদর্শ উপাদানআমরা ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেকট্রনিক্স শিল্পে উচ্চমানের সিআইসি ওয়েফার (সিলিকন কার্বাইড) সরবরাহ করি।
চরিত্র:
এসআইসি (সিলিকন কার্বাইড) ওয়েফার একটি ধরণের সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার যা সিলিকন কার্বাইড উপাদান ভিত্তিক। প্রচলিত সিলিকন (সি) ওয়েফারের তুলনায়, এসআইসি ওয়েফারগুলির নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য রয়েছেঃ
1. উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা: এসআইসি ওয়েফারের সিলিকনের তুলনায় তাপ পরিবাহিতা অনেক বেশি, যার অর্থ এসআইসি ওয়েফারগুলি কার্যকরভাবে তাপ ছড়িয়ে দিতে পারে এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করার জন্য উপযুক্ত।
2উচ্চতর ইলেকট্রন গতিশীলতা:সিলিকনের তুলনায় এসআইসি ওয়েফারের ইলেকট্রন গতিশীলতা বেশি, যা এসআইসি ডিভাইসগুলিকে উচ্চতর গতিতে কাজ করার অনুমতি দেয়।
3. উচ্চতর ব্রেকডাউন ভোল্টেজঃএসআইসি ওয়েফারের উপাদানটির একটি উচ্চতর ভাঙ্গন ভোল্টেজ রয়েছে, যা এটিকে উচ্চ-ভোল্টেজ অর্ধপরিবাহী ডিভাইস উত্পাদন করার জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
4. উচ্চতর রাসায়নিক স্থিতিশীলতাঃএসআইসি ওয়েফারের রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধের ক্ষমতা বেশি, যা ডিভাইসগুলির নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থায়িত্বের উন্নতিতে অবদান রাখে।
5. আরও বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপঃএসআইসি ওয়েফারে সিলিকনের চেয়ে আরও বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে, যা এসআইসি ডিভাইসগুলিকে উচ্চ তাপমাত্রায় আরও ভাল এবং আরও স্থিতিশীলভাবে কাজ করতে সক্ষম করে।
6. আরও ভাল বিকিরণ প্রতিরোধেরঃএসআইসি ওয়েফারগুলির বিকিরণের প্রতিরোধ ক্ষমতা বেশি, যা তাদের বিকিরণ পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে
যেমন মহাকাশযান এবং পারমাণবিক স্থাপনা।
7উচ্চতর কঠোরতাঃএসআইসি ওয়েফার সিলিকনের চেয়ে শক্ত, যা প্রক্রিয়াকরণের সময় ওয়েফারের স্থায়িত্ব বাড়ায়।
8. নিম্ন ডাইলেক্ট্রিক ধ্রুবক:সিলিকনের তুলনায় এসআইসি ওয়েফারের একটি কম ডাইলেক্ট্রিক ধ্রুবক রয়েছে, যা ডিভাইসগুলিতে পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করতে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা উন্নত করতে সহায়তা করে।
9. উচ্চতর স্যাচুরেশন ইলেকট্রন ড্রিফট গতিঃসিলিকনের তুলনায় এসআইসি ওয়েফারের একটি উচ্চতর স্যাচুরেশন ইলেকট্রন ড্রিফট গতি রয়েছে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এসআইসি ডিভাইসগুলিকে একটি সুবিধা দেয়।
10. উচ্চতর শক্তি ঘনত্বঃউপরে উল্লিখিত বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে, এসআইসি ওয়েফার ডিভাইসগুলি ছোট আকারে উচ্চতর পাওয়ার আউটপুট অর্জন করতে পারে।
| গ্রেড | উৎপাদন গ্রেড | গবেষণা গ্রেড | ডামি গ্রেড | ||
| ব্যাসার্ধ | 50.8 মিমি±0.38 মিমি | ||||
| বেধ | 330 μm±25 μm | ||||
| ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন | অক্ষের উপরঃ <0001>±0.5° 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI এর জন্য |
অক্ষের বাইরেঃ4.0° 1120±0.5° দিকে 4H-N/4H-SI জন্য | |||
| মাইক্রোপাইপ ড্রিয়েন্টেশন ((cm-2) | ≤5 | ≤15 | ≤৫০ | ||
| প্রতিরোধ ক্ষমতা ((Ω·cm) | ৪ এইচ-এন | 0.০১৫-০.০২৮ ও.সি. | |||
| ৬ এইচ-এন | 0.02 ~ 0.1 | ||||
| 4/6H-SI | >১ই৫ | (৯০%) >১ই৫ | |||
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | {10-10} ±5.0° | ||||
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য (মিমি) | 15.9 ± 17 | ||||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য ((মিমি) | 8.0 ±1.7 | ||||
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | সিলিকন মুখোমুখিঃ 90° সিডব্লিউ. প্রাইম ফ্ল্যাট থেকে ±5.0° | ||||
| এজ এক্সক্লুশন | ১ মিমি | ||||
| TTV/Bow/Warp (um) | ≤15 /≤25 /≤25 | ||||
| রুক্ষতা | পোলিশ Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.5 nm | |||||
| উচ্চ তীব্রতার আলোর কারণে প্রান্তের ফাটল | কোনটিই | কোনটিই | 1 অনুমোদিত, ≤1 মিমি | ||
| উচ্চ তীব্রতা আলো দ্বারা হেক্স প্লেট | সমষ্টিগত এলাকা ≤১% | সমষ্টিগত এলাকা ≤১% | সমষ্টিগত আয়তন ≤3 % | ||
অ্যাপ্লিকেশনঃ
1পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সঃ পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস যেমন পাওয়ার কনভার্টার, ইনভার্টার,এবং উচ্চ-ভোল্টেজ সুইচগুলি তাদের উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং কম শক্তি ক্ষতির বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে.
বৈদ্যুতিক যানবাহন: সিবিসি ওয়েফারগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহনের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে দক্ষতা উন্নত করতে এবং ওজন হ্রাস করতে ব্যবহৃত হয়, যা দ্রুত চার্জিং এবং দীর্ঘতর ড্রাইভিং রেঞ্জকে সক্ষম করে।
2পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তিঃ সোলার ইনভার্টার এবং বায়ু শক্তি সিস্টেমের মতো পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সিআইসি ওয়েফারগুলি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, শক্তি রূপান্তর দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।
3. মহাকাশ ও প্রতিরক্ষা: উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ-শক্তি এবং বিকিরণ-প্রতিরোধী অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য মহাকাশ ও প্রতিরক্ষা শিল্পে সিআইসি ওয়েফারগুলি অপরিহার্য,বিমানের পাওয়ার সিস্টেম এবং রাডার সিস্টেম সহ.
4শিল্প মোটর ড্রাইভঃ শিল্প মোটর ড্রাইভগুলিতে শক্তি দক্ষতা বাড়াতে, তাপ অপচয় হ্রাস করতে এবং সরঞ্জামগুলির জীবনকাল বাড়ানোর জন্য সিআইসি ওয়েফার ব্যবহার করা হয়।
5ওয়্যারলেস কমিউনিকেশনঃ সিআইসি ওয়েফারগুলি আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার এবং ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন সিস্টেমে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যা উচ্চতর শক্তি ঘনত্ব এবং উন্নত কর্মক্ষমতা সরবরাহ করে।
6উচ্চ তাপমাত্রা ইলেকট্রনিক্সঃ সিআইসি ওয়েফারগুলি উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত যেখানে প্রচলিত সিলিকন ডিভাইসগুলি নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করতে পারে না,যেমন ডাউনহোল ড্রিলিং এবং অটোমোটিভ ইঞ্জিন কন্ট্রোল সিস্টেমে.
7. চিকিৎসা সরঞ্জামঃ সিআইসি ওয়েফারগুলি তাদের স্থায়িত্ব, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং বিকিরণ প্রতিরোধের কারণে এমআরআই মেশিন এবং এক্স-রে সরঞ্জামগুলির মতো চিকিৎসা সরঞ্জামগুলিতে অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়।
8গবেষণা ও উন্নয়ন:উন্নত অর্ধপরিবাহী ডিভাইস তৈরি এবং ইলেকট্রনিক্সের ক্ষেত্রে নতুন প্রযুক্তি অন্বেষণের জন্য গবেষণা পরীক্ষাগার এবং একাডেমিক প্রতিষ্ঠানে সিআইসি ওয়েফার ব্যবহার করা হয়.
9অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনঃ সিআইসি ওয়েফারগুলি তাদের অনন্য বৈশিষ্ট্য এবং কর্মক্ষমতা সুবিধার কারণে কঠোর পরিবেশের সেন্সর, উচ্চ-শক্তি লেজার এবং কোয়ান্টাম কম্পিউটিংয়ের মতো ক্ষেত্রেও ব্যবহৃত হয়।
কাস্টমাইজেশনঃ
আমরা কণা, উপাদান, গ্রেড, ওরিয়েন্টেশন, এবং ব্যাসার্ধের জন্য কাস্টমাইজেশন সেবা প্রদান করি। আপনি একটি বিনামূল্যে বা কম কণা সিলিকন কার্বাইড স্তর মধ্যে নির্বাচন করতে পারেন।আমাদের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার আপনার প্রয়োজনের উপর নির্ভর করে অক্ষের উপর বা অক্ষের বাইরে ওরিয়েন্টেশন সঙ্গে আসেআপনি আপনার প্রয়োজনীয় সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের ব্যাস নির্বাচন করতে পারেন।
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বিভিন্ন গ্রেডে পাওয়া যায়, যার মধ্যে রয়েছে উত্পাদন, গবেষণা এবং ডামি।প্রডাকশন গ্রেডের ওয়েফারটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস উৎপাদনে ব্যবহৃত হয় এবং এটি সর্বোচ্চ মানের।. রিসার্চ-গ্রেড ওয়েফারটি গবেষণা উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়, যখন ডামি-গ্রেড ওয়েফারটি পরীক্ষা এবং ক্যালিব্রেশন উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়। সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারটি বিভিন্ন ধরণেরও পাওয়া যায়,৪ এইচ সহ, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত সবচেয়ে সাধারণ প্রকার।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
প্রশ্ন: সিআইসি ওয়েফার কিভাবে তৈরি করা যায়?
উত্তরঃ এই প্রক্রিয়াতে সিলিকাস্যান্ডের মতো কাঁচামালকে খাঁটি সিলিকনে রূপান্তর করা হয়। সিলিকন স্ফটিকের বৃদ্ধি Czochralski প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, পাতলা, সমতল ডিস্কগুলিতে স্ফটিকগুলি কাটা,এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে ব্যবহারের জন্য ওয়াফার পরিষ্কার এবং প্রস্তুতি।
প্রশ্ন: সিআইসি তৈরির প্রক্রিয়া কী?
উত্তরঃসিলিকন কার্বাইড উত্পাদন প্রক্রিয়া - জিএবি নিউম্যান। সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ যা সিআইসির রাসায়নিক সূত্র সহ।সিলিকন কার্বাইড উত্পাদন করার জন্য সবচেয়ে সহজ উত্পাদন প্রক্রিয়া একটি উচ্চ তাপমাত্রায় একটি Acheson গ্রাফাইট বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের চুল্লিতে সিলিকান বালি এবং কার্বন একত্রিত করা হয়, 1600°C (2910°F) এবং 2500°C (4530°F) এর মধ্যে।
প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের ব্যবহার কি?
উত্তরঃ ইলেকট্রনিক্সে, সিআইসি উপকরণগুলি আলোক নির্গমনকারী ডায়োড (এলইডি) এবং ডিটেক্টরগুলির সাথে ব্যবহৃত হয়।উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করে এমন ইলেকট্রনিক ডিভাইসে সিআইসি ওয়েফার ব্যবহার করা হয়, উচ্চ ভোল্টেজ, অথবা উভয়।
পণ্যের সুপারিশঃ
2.2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি সিআইসি সাবস্ট্র্যাট 330um বেধ 4H-N টাইপ উত্পাদন গ্রেড