ব্র্যান্ডের নাম: | ZMSH |
মডেল নম্বর: | GaP wafer |
MOQ.: | 5 |
অর্থ প্রদানের শর্তাবলী: | টি/টি |
গ্যাপ ওয়েফার 2 ইঞ্চি OF অবস্থান/দৈর্ঘ্য EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD গতিশীলতা মিনিট 100
একটি GaP ওয়েফার একটি সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট যা মূলত বিভিন্ন ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।গ্যালিয়াম ফসফাইড (GaP) ওয়েফারগুলি ব্যতিক্রমী অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে যা সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে তাদের অপরিহার্য করে তোলেএই ওয়েফারগুলি বিভিন্ন বর্ণালী জুড়ে আলো উৎপন্ন করার দক্ষতার জন্য বিখ্যাত, যা লাল, সবুজ থেকে হলুদ পর্যন্ত রঙের এলইডি এবং লেজার ডায়োড তৈরির অনুমতি দেয়।
প্রায় ২.২৬ ইলেকট্রন ভোল্ট (ইভি) এর বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ GaP ওয়েফারগুলিকে নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আলো দক্ষতার সাথে শোষণ করতে সক্ষম করে। এই বৈশিষ্ট্যটি অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ,যা GaP কে ফোটোডিটেক্টরগুলির জন্য একটি চমৎকার পছন্দ করে তোলে, সোলার সেল, এবং অন্যান্য ডিভাইসগুলির জন্য কাস্টমাইজড আলোর শোষণের প্রয়োজন।
উপরন্তু, GaP শক্তিশালী ইলেকট্রনিক পরিবাহিতা এবং তাপ স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, এটি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত যেখানে তাপ ব্যবস্থাপনা অপরিহার্য।
গ্যাপি ওয়েফারগুলি কেবল ডিভাইস উত্পাদনের জন্য বেস উপাদান হিসাবে কাজ করে না, তবে অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলির ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য স্তর হিসাবেও কাজ করে।তাদের রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং তুলনামূলকভাবে মিলিত গ্রিটস পরামিতি উচ্চ মানের অর্ধপরিবাহী স্তর জমা এবং উত্পাদন জন্য একটি অনুকূল পরিবেশ প্রদান.
মূলত, গ্যাপি ওয়েফারগুলি অত্যন্ত বহুমুখী অর্ধপরিবাহী স্তর, এলইডি, লেজার ডায়োড, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস,এবং তাদের উচ্চতর অপটিক্যাল কারণে optoelectronic উপাদান একটি বর্ণালী, ইলেকট্রনিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য।
প্যারামিটার | মূল্য |
---|---|
ওরিয়েন্টেশন অ্যাঙ্গেল | N/A |
সারফেস ফিনিস ব্যাক | পোলিশ |
ইনগট সিসি | মিনিটঃ১.১৭ ম্যাক্সঃ১.১৮ সেমি |
গ্রেড | এ |
এপি-রেডি | হ্যাঁ। |
OF অবস্থান/দৈর্ঘ্য | EJ[0-1-1]/ 16±1mm |
ওয়ার্প | ম্যাক্স:10 |
কণার সংখ্যা | N/A |
ডোপ্যান্ট | এস |
প্রতিরোধ ক্ষমতা | মিনিটঃ0.01 ম্যাক্সঃ0.5 Ω.cm |
ব্র্যান্ড নামঃ ZMSH
মডেল নম্বরঃ গ্যাপ ওয়েফার
উৎপত্তিস্থল: চীন
ম্যাক্স:10
উপাদানঃ গ্যাপ
IF অবস্থান/দৈর্ঘ্যঃ EJ[0-1-1]/7±1mm
গ্রেড: এ
ডোপ্যান্টঃ এস
আমরা উচ্চ মানের অর্ধপরিবাহী উপাদান ব্যবহার করে পাতলা ফিল্ম প্রযুক্তি এবং ইলেক্ট্রো-অক্সিডেশন সহ ZMSH GaP ওয়েফারের জন্য কাস্টমাইজড পরিষেবা সরবরাহ করি।
আমরা আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট পণ্যগুলির জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা সরবরাহ করি। আমাদের সহায়তা এবং পরিষেবাগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
আমাদের অভিজ্ঞ প্রকৌশলী দল যেকোনো প্রশ্নের উত্তর দিতে এবং ইনস্টলেশন, সেটআপ এবং ত্রুটি সমাধানের জন্য সহায়তা প্রদানের জন্য উপলব্ধ। আমরা সর্বোচ্চ স্তরের গ্রাহক পরিষেবা প্রদানের প্রতি বিশ্বাসী।আমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন.