 |
LED আলোর জন্য সেমি-ইনসুলেটিং আনডোপড গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার সাবস্ট্রেট 2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | zmkj |
| মডেল নম্বার: | 2 ইঞ্চি সেমি |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 5 পিসি |
|---|---|
| মূল্য: | by case |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | N2 এর নিচে 6"প্লাস্টিকের বাক্সে প্যাক করা একক ওয়েফার |
| ডেলিভারি সময়: | 2-4 সপ্তাহ |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম |
| যোগানের ক্ষমতা: | প্রতি মাসে 500 পিসি |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উপাদান: | GaAs একক স্ফটিক | আকার: | 4 ইঞ্চি |
|---|---|---|---|
| পুরুত্ব: | 625um বা কাস্টমাইজড | অফ টাইপ: | অফ ফ্ল্যাট |
| ওরিয়েন্টেশন: | (100) 2° বন্ধ | পৃষ্ঠতল: | ডিএসপি |
| বৃদ্ধির পদ্ধতি: | ভিএফজি | ||
| লক্ষণীয় করা: | 4 ইঞ্চি আনডোপড গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার,সেমি ইনসুলেটিং GaAs সাবস্ট্রেট,এলইডি লাইটিং গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
2ইঞ্চি/3ইঞ্চি/4ইঞ্চি/6ইঞ্চি এসসিএন টাইপ/সেমি-ইনসুলেশন/সি-ডোপড গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs ওয়েফার
পণ্যের বর্ণনা
আমাদের 2'' থেকে 6'' সেমি-কন্ডাক্টিং এবং সেমি-ইনসুলেটিং GaAs ক্রিস্টাল এবং ওয়েফারগুলি সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট অ্যাপ্লিকেশন এবং LED সাধারণ আলো প্রয়োগে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
| বৈশিষ্ট্য | আবেদন ক্ষেত্র |
|---|---|
| উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা | হালকা emitting ডায়োড |
| উচ্চ তরঙ্গ | লেজার ডায়োড |
| উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা | ফটোভোলটাইক ডিভাইস |
| কম শক্তি খরচ | উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর |
| সরাসরি ব্যান্ড ফাঁক | Heterojunction বাইপোলার ট্রানজিস্টর |
আধা-পরিবাহী GaAs ওয়েফারের স্পেসিফিকেশন
বৃদ্ধির পদ্ধতি | ভিজিএফ | |||
ডোপান্ট | p-টাইপ: Zn | n- প্রকার: Si | ||
ওয়েফার আকৃতি | বৃত্তাকার (দিয়া: 2", 3", 4", 6") | |||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন * | (100)±0.5° | |||
*অন্যান্য ওরিয়েন্টেশন অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ হতে পারে | ||||
ডোপান্ট | Si (n-টাইপ) | Zn (p-টাইপ) | ||
ক্যারিয়ার ঘনত্ব (সেমি-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
গতিশীলতা (cm2/VS) | ( 1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
ইচ পিচ ঘনত্ব (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
ওয়েফার ব্যাস (মিমি) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
বেধ (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
অফ (মিমি) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
OF / IF (মিমি) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
পোলিশ* | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, | |
আধা-অন্তরক GaAs ওয়েফারের স্পেসিফিকেশন
বৃদ্ধির পদ্ধতি | ভিজিএফ | |||
ডোপান্ট | SI প্রকার: কার্বন | |||
ওয়েফার আকৃতি | রাউন্ড (DIA: 2", 3", 4", 6") | |||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন * | (100)±0.5° | |||
*অন্যান্য ওরিয়েন্টেশন অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ হতে পারে | ||||
প্রতিরোধ ক্ষমতা (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
গতিশীলতা (cm2/VS) | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 | ||
ইচ পিচ ঘনত্ব (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
ওয়েফার ব্যাস (মিমি) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
বেধ (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
অফ (মিমি) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | খাঁজ |
OF / IF (মিমি) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
পোলিশ* | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, |
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন -
প্রশ্ন: আপনি কি সরবরাহ এবং খরচ সরবরাহ করতে পারেন?
(1) আমরা DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF এবং ইত্যাদি গ্রহণ করি।
(2) যদি আপনার নিজের এক্সপ্রেস নম্বর থাকে তবে এটি দুর্দান্ত।
যদি তা না হয়, আমরা আপনাকে সরবরাহ করতে সহায়তা করতে পারি।মালবাহী = USD25.0 (প্রথম ওজন) + USD12.0/কেজি
প্রশ্নঃ কিভাবে পরিশোধ করবেন?
টি/টি, পেপ্যাল, ওয়েস্ট ইউনিয়ন, মানিগ্রাম, আলিবাবা এবং ইত্যাদিতে নিরাপদ অর্থপ্রদান এবং বাণিজ্য নিশ্চয়তা।
প্রশ্ন: MOQ কি?
(1) তালিকার জন্য, MOQ হল 5pcs।
(2) কাস্টমাইজড পণ্যের জন্য, MOQ হল 5pcs-20pcs।
এটি পরিমাণ এবং প্রযুক্তির উপর নির্ভর করে
প্রশ্ন: আপনার কি উপাদানের জন্য পরিদর্শন প্রতিবেদন আছে?
আমরা আমাদের পণ্যের জন্য বিস্তারিত প্রতিবেদন সরবরাহ করতে পারি।
প্যাকেজিং - লজিস্টিকস
আমরা প্যাকেজ প্রতিটি বিবরণ উদ্বেগ, পরিষ্কার, বিরোধী স্ট্যাটিক, শক চিকিত্সা.পণ্যের পরিমাণ এবং আকৃতি অনুযায়ী,
আমরা একটি ভিন্ন প্যাকেজিং প্রক্রিয়া গ্রহণ করব!