এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ভিজিএফ 6 ইঞ্চি এন টাইপ GaAs সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট

এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ভিজিএফ 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি এন-টাইপ প্রাইম গ্রেড GaAs ওয়েফার

GaAs ওয়েফার (গ্যালিয়াম আর্সেনাইড) সিলিকনের একটি সুবিধাজনক বিকল্প যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে বিকশিত হচ্ছে।এই GaAs ওয়েফারগুলি দ্বারা অফার করা কম বিদ্যুত খরচ এবং আরও দক্ষতা বাজারের খেলোয়াড়দের এই ওয়েফারগুলি গ্রহণ করতে আকৃষ্ট করছে, যার ফলে GaAs ওয়েফারের চাহিদা বৃদ্ধি পাচ্ছে।সাধারণত, এই ওয়েফারটি সেমিকন্ডাক্টর, হালকা নির্গমনকারী ডায়োড, থার্মোমিটার, ইলেকট্রনিক সার্কিট এবং ব্যারোমিটার তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়, পাশাপাশি কম গলিত মিশ্র ধাতু তৈরিতে প্রয়োগ করা হয়।সেমিকন্ডাক্টর এবং ইলেকট্রনিক সার্কিট শিল্পগুলি নতুন শিখরগুলিকে স্পর্শ করতে থাকায়, GaAs বাজার ক্রমবর্ধমান।GaAs ওয়েফারের গ্যালিয়াম আর্সেনাইডে বিদ্যুৎ থেকে লেজারের আলো তৈরি করার ক্ষমতা রয়েছে।বিশেষ করে পলিক্রিস্টালাইন এবং সিঙ্গেল ক্রিস্টাল হল দুটি প্রধান ধরনের GaAs ওয়েফার, যেগুলি এলডি, এলইডি এবং মাইক্রোওয়েভ সার্কিট তৈরি করতে মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স উভয়ের উৎপাদনে ব্যবহার করা হয়।তাই, GaAs অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসর, বিশেষ করে অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে চাহিদার প্রবাহ সৃষ্টি করছে। GaAs ওয়েফার মার্কেট.পূর্বে, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলি মূলত স্বল্প-পরিসরের অপটিক্যাল যোগাযোগ এবং কম্পিউটার পেরিফেরালগুলিতে বিস্তৃত পরিসরে ব্যবহৃত হত।কিন্তু এখন, তারা কিছু উদীয়মান অ্যাপ্লিকেশন যেমন LiDAR, অগমেন্টেড রিয়েলিটি এবং ফেস রিকগনিশনের চাহিদা রয়েছে।LEC এবং VGF হল দুটি জনপ্রিয় পদ্ধতি যা বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের উচ্চ অভিন্নতা এবং চমৎকার পৃষ্ঠের গুণমানের সাথে GaAs ওয়েফারের উৎপাদনকে উন্নত করছে।ইলেক্ট্রন গতিশীলতা, একক জংশন ব্যান্ড-গ্যাপ, উচ্চতর দক্ষতা, তাপ এবং আর্দ্রতা প্রতিরোধ এবং উচ্চতর নমনীয়তা হল GaAs-এর পাঁচটি স্বতন্ত্র সুবিধা, যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে GaAs ওয়েফারগুলির গ্রহণযোগ্যতা উন্নত করছে।

আমরা যা প্রদান করি: