3 ইঞ্চি ইনপি ক্রিস্টাল ডমি প্রাইম সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট

2 ইঞ্চি ইনপি ওয়েফ 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি এন / পি টিওয়াইপি ইনপ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট ওয়েফারস ডোপড এস + / জেডএন + / ফে +

বর্ধন (পরিবর্তিত ভিএফজি পদ্ধতি) একটি বীজ থেকে শুরু করে বোরিক অক্সাইড তরল এনক্যাপসুল্যান্টের মাধ্যমে একটি স্ফটিক টানতে ব্যবহৃত হয়।

পলিক্রিস্টলের পাশাপাশি ক্রুশিবলটিতে ডোপান্ট (ফে, এস, এসএন বা জেডএন) যুক্ত করা হয়।ইন্ডিয়াম ফসফাইডের ক্ষয় রোধ করতে চেম্বারের অভ্যন্তরে উচ্চ চাপ প্রয়োগ করা হয়।তিনি সঙ্গ সম্পূর্ণ স্টিওসিওমেট্রিক, উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং কম স্থানচ্যুতি ঘনত্বের জন্য পি সিঙ্গেল স্ফটিক উত্পাদনের জন্য একটি প্রক্রিয়া তৈরি করেছে।

ভিএফজি কৌশলটি একটি সংখ্যার সাথে সম্পর্কিত একটি তাপীয় বাফল প্রযুক্তির জন্য এলইসি পদ্ধতির মাধ্যমে উন্নতি করে

তাপীয় বৃদ্ধির অবস্থার মডেলিং।টিসিজেড একটি ব্যয়বহুল পরিপক্ক প্রযুক্তি যা বোলে থেকে বুলে উচ্চ মানের পুনরুত্পাদনযোগ্যতা সহ।

বৈশিষ্ট্য:
1. স্ফটিকটি পরিপক্ক প্রযুক্তি এবং স্থিতিশীল বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা সহ তরল-সিলড স্ট্রেইট-অঙ্কন প্রযুক্তি (এলইসি) দ্বারা জন্মে।

2, সুনির্দিষ্ট অরিয়েন্টেশনের জন্য এক্স-রে নির্দেশিক যন্ত্র ব্যবহার করে, স্ফটিক অভিমুখী বিচ্যুতিটি কেবলমাত্র ± 0.5 °

3, ওয়েফার রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (সিএমপি) প্রযুক্তি, পৃষ্ঠের রুক্ষতা <0.5nm দ্বারা পোলিশ করা হয়

4, "ব্যবহারের জন্য প্রস্তুত ওপেন বক্স" প্রয়োজনীয়তা অর্জন করতে

5, ব্যবহারকারীর প্রয়োজনীয়তা অনুসারে, বিশেষ উল্লেখ পণ্য প্রক্রিয়াকরণ processing

অ্যাপ্লিকেশন:
IIt এর উচ্চ বৈদ্যুতিন সীমা ড্রিফ্ট গতি, ভাল বিকিরণ প্রতিরোধের এবং উত্তাপ তাপ সঞ্চালনের সুবিধা রয়েছে।উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-গতি, উচ্চ-শক্তি মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস এবং সংহত সার্কিট উত্পাদন জন্য উপযুক্ত।

2 ইঞ্চি এসসিএন / এস ইনপ ওয়েফারদের ডোপড

2 ইঞ্চি এসসিএন / ফে + ডপড ইনপ ওয়াফার্স