2-4inch এন / পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রট ইনস Monocrystalline স্ফটিক Substrates ওয়েফার

2-4inch গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড গাএসবি সাবস্ট্রেট সিঙ্গল ক্রিস্টাল মনোক্রিস্টাল সেমিকন্ডাক্টরের জন্য

ইনএএসএসবি / ইন-এএসপিএসবি, আইএনএএনএসএসবি এবং অন্যান্য হিটারোজংশন উপকরণগুলি সাবএস্ট্রেট হিসাবে আইএনএ সিঙ্গল স্ফটিকের উপর বাড়ানো যেতে পারে এবং 2 থেকে 14 মিমি দৈর্ঘ্যের তরঙ্গদৈর্ঘ্যযুক্ত একটি ইনফ্রারেড আলো-নির্গমনকারী ডিভাইস বানোয়াট হতে পারে।আলজিএসবি সুপারল্যাটিক্স স্ট্রাকচার উপাদানটি আইএনএএস একক স্ফটিক স্তর ব্যবহার করেও অভিব্যক্তিকরূপে উত্থিত হতে পারে।মিড-ইনফ্রারেড কোয়ান্টাম ক্যাসকেড লেজার।এই ইনফ্রারেড ডিভাইসগুলিতে গ্যাস নিরীক্ষণ, কম-লোকসান ফাইবার যোগাযোগ ইত্যাদির ক্ষেত্রে ভাল প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে addition এছাড়াও, আইএনএ সিঙ্গল স্ফটিকগুলিতে উচ্চ বৈদ্যুতিন গতিশীলতা রয়েছে এবং হল ডিভাইসগুলি তৈরি করার জন্য এটি আদর্শ উপকরণ।

অ্যাপ্লিকেশন:
ইনএ সিঙ্গেল স্ফটিকটি 2-10 মিমি তরঙ্গদৈর্ঘ্যযুক্ত একটি ইনফ্রারেড আলো-নির্গমনকারী ডিভাইস বানাতে একটি হেটেরোস্ট্রাকচার উপাদান যেমন ইনএএসএসবি / ইনএএসপিএসবি বা ইনএএসপিএসবি বাড়ানোর জন্য একটি স্তরীয় উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।আইএনএএসপিএসবি সুপারল্যাটিস স্ট্রাকচার উপাদানটি মধ্য-ইনফ্রারেড কোয়ান্টাম ক্যাসকেড লেজারটি বানাতে আইএনএ সিঙ্গল স্ফটিক সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে এপিট্যাক্সিয়ালভাবেও উত্থিত হতে পারে।এই ইনফ্রারেড ডিভাইসগুলিতে গ্যাস সনাক্তকরণ এবং লো লস ফাইবার যোগাযোগের ক্ষেত্রে ভাল প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।এছাড়াও, আইএনএ সিঙ্গল স্ফটিকগুলিতে উচ্চ বৈদ্যুতিন গতিশীলতা রয়েছে এবং হল ডিভাইসগুলি তৈরি করার জন্য এটি একটি আদর্শ উপাদান।

বৈশিষ্ট্য:
1. স্ফটিকটি পরিপক্ক প্রযুক্তি এবং স্থিতিশীল বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা সহ তরল-সিলড স্ট্রেইট-অঙ্কন প্রযুক্তি (এলইসি) দ্বারা উত্থিত হয়।
2, সুনির্দিষ্ট অরিয়েন্টেশনের জন্য এক্স-রে নির্দেশিক যন্ত্র ব্যবহার করে, স্ফটিক অভিমুখী বিচ্যুতিটি কেবলমাত্র ± 0.5 °
3, ওয়েফার রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (সিএমপি) প্রযুক্তি, পৃষ্ঠের রুক্ষতা <0.5nm দ্বারা পলিশ করা হয়
4, "ব্যবহারের জন্য প্রস্তুত ওপেন বক্স" প্রয়োজনীয়তা অর্জন করতে
5, ব্যবহারকারীর প্রয়োজনীয়তা অনুসারে, বিশেষ উল্লেখ পণ্য প্রক্রিয়াকরণ processing