 |
ZnTe ওয়েফার ZnTe ক্রিস্টাল টাইপ এন টাইপ পি কাস্টম আকার এবং স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMSH |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 25 |
|---|---|
| মূল্য: | undetermined |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | ফোমেড প্লাস্টিক + শক্ত কাগজ |
| ডেলিভারি সময়: | 2-4 সপ্তাহ |
| পরিশোধের শর্ত: | টি/টি |
| যোগানের ক্ষমতা: | 1000PCS/সপ্তাহ |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| রাসায়নিক সূত্র: | ZnTe | আণবিক ওজন: | 191.17 গ্রাম/মোল |
|---|---|---|---|
| ব্যান্ডগ্যাপ: | 2.26 ইভি (সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ) | অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য: | দৃশ্যমান এবং ইনফ্রারেড অঞ্চলে ভাল স্বচ্ছতা |
| তাপ বিস্তার: | 6.3 × 10⁻⁶/কে | বৈদ্যুতিক সরন্জাম: | অর্ধপরিবাহী, এন-টাইপ বা পি-টাইপ ডোপড করা যেতে পারে |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | কাস্টম স্পেসিফিকেশন ZnTe ওয়েফার,টাইপ N ZnTe ওয়েফার,কাস্টম আকার ZnTe ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
ZnTe: ZnTe ওয়েফার, ZnTe ক্রিস্টাল টাইপ N, টাইপ P, কাস্টম আকার এবং স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ
ZnTe এর সংক্ষিপ্তসার
জিংক টেলুরাইড (ZnTe) একটি সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর যা অপটোইলেকট্রনিক্স এবং পিপ্রায় ২.২৬ eV এর একটি ব্যান্ডগ্যাপের সাথে, ZnTe চমৎকার প্রদর্শন করেঅপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য, এটি ইনফ্রারেড ডিটেক্টর, হালকা নির্গত ডায়োড, লেজার ডায়োড, এবং সৌর কোষে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।এর ঘনক স্ফটিক কাঠামো এবং উচ্চ তাপ স্থিতিশীলতা এটিকে উচ্চ তাপমাত্রা অপটিকাল উইন্ডোগুলির জন্য একটি পছন্দসই উপাদান করে তোলেজিনটে'র নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আলোর শোষণ ও নির্গত করার ক্ষমতা বিভিন্ন ফোটনিক ডিভাইসে এর ব্যবহারকে আরও উন্নত করে। জিনটে'র কোয়ান্টাম ডটস এবং উদীয়মান প্রযুক্তিতে এর ভূমিকা নিয়ে গবেষণা,যেমন কোয়ান্টাম কম্পিউটিং, তার সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশন প্রসারিত অব্যাহত।
শারীরিক ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য
ZnTe একটি সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর, যার অর্থ এটি কার্যকরভাবে আলোর শোষণ এবং নির্গত করতে পারে। এর ব্যান্ডগ্যাপ প্রায় ২.২৬ ইলেকট্রন ভোল্ট (ইভি),যা ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক স্পেকট্রামের দৃশ্যমান থেকে নিকটতম ইনফ্রারেড অঞ্চলে অবস্থিতএই বৈশিষ্ট্যটি এটিকে দৃশ্যমান এবং ইনফ্রারেড বর্ণালী উভয় ক্ষেত্রেই অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে। উপাদানটির একটি ঘনক স্ফটিক কাঠামো রয়েছে যা জিংক মিশ্রণ কাঠামো হিসাবে পরিচিত,যা এটি অন্যান্য II-VI সেমিকন্ডাক্টরগুলির সাথে ভাগ করে. ZnTe উচ্চ তাপ স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, এটি উচ্চ তাপমাত্রা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে এবং এটি 6.1 g/cm3 এর তুলনামূলকভাবে উচ্চ ঘনত্ব রয়েছে।
ZnTe এরও চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য রয়েছে, বিশেষ করে ইনফ্রারেড বর্ণালীতে।ইনফ্রারেড অঞ্চলে এর ট্রান্সমিশন বৈশিষ্ট্যগুলি বিভিন্ন হাই-টেক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য এটি একটি ভাল অপটিকাল উইন্ডো উপাদান হিসাবে কাজ করতে দেয়এই উপাদানটির অপটিক্যাল স্বচ্ছতা এবং নির্দিষ্ট বর্ণালী অঞ্চলে এর অপেক্ষাকৃত কম শোষণ এটিকে ইনফ্রারেড ডিটেক্টর, অপটিক্যাল যোগাযোগ এবং লেজার সিস্টেমে ব্যবহারের জন্য মূল্যবান করে তোলে।
| সম্পত্তি | মূল্য/বর্ণনা |
| রাসায়নিক সূত্র | ZnTe |
| আণবিক ওজন | 191.17 গ্রাম/মোল |
| স্ফটিক গঠন | ঘন (জিংক মিশ্রণ কাঠামো) |
| ব্যান্ডগ্যাপ | 2.26 eV (ডাইরেক্ট ব্যান্ডগ্যাপ) |
| গলনাঙ্ক | 1,199°C |
| ফুটন্ত বিন্দু | 1৫০০°সি |
| ঘনত্ব | 6.১ গ্রাম/সেমি৩ |
| অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য | দৃশ্যমান এবং ইনফ্রারেড অঞ্চলে ভাল স্বচ্ছতা |
| তাপ পরিবাহিতা | 20 W/m·K |
| তাপীয় সম্প্রসারণ | 6.3 × 10−6/K |
| বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য | সেমিকন্ডাক্টর, এন-টাইপ বা পি-টাইপ ডোপড হতে পারে |
| অ্যাপ্লিকেশন | ইনফ্রারেড ডিটেক্টর, ফোটোডাইড, লেজার ডাইড, সৌর কোষ, অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস, ইনফ্রারেড উইন্ডো, লেজার ডিসপ্লে ইত্যাদি |
| উত্পাদন পদ্ধতি | রাসায়নিক বাষ্প অবক্ষয় (সিভিডি), আণবিক রশ্মি ইপিট্যাক্সি (এমবিই), সমাধান বৃদ্ধি ইত্যাদি। |
| স্বচ্ছতা | উচ্চ স্বচ্ছতা, বিশেষ করে ইনফ্রারেড অঞ্চলে |
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশন
জেনটি এর সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ এবং অর্ধপরিবাহী প্রকৃতি এটি বিভিন্ন ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে। এর কয়েকটি উল্লেখযোগ্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
1ইনফ্রারেড ডিটেক্টর: এর অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে, ZnTe ইনফ্রারেড ডিটেক্টরগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ, তাপ চিত্রণ এবং সামরিক নজরদারি যেমন বিভিন্ন ক্ষেত্রে অপরিহার্য।ZnTe ডিটেক্টরগুলি মাঝারি এবং দীর্ঘ তরঙ্গ ইনফ্রারেড বর্ণালীতে দক্ষতার সাথে কাজ করতে পারে, বস্তু থেকে নির্গত ইনফ্রারেড বিকিরণ সনাক্ত করে, যা তাপ সংবেদনে বিশেষভাবে দরকারী।
2.লাইট-ইমিটিং ডায়োড (এলইডি): ZnTe® এর বৈদ্যুতিকভাবে পক্ষপাতমূলক হলে আলো নির্গত করার ক্ষমতা এটিকে এলইডিতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে, বিশেষ করে ইনফ্রারেড এবং দৃশ্যমান আলোর পরিসরে।ZnTe ভিত্তিক LEDs অপটিক্যাল যোগাযোগ সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়ইনফ্রারেড রেঞ্জের উপাদানটির স্বচ্ছতা নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যে আরও দক্ষ আলোর নির্গমনের অনুমতি দেয়।
3লেজার ডায়োড: ZnTe লেজার ডায়োড তৈরিতে ব্যবহার করা যেতে পারে, বিশেষ করে স্বল্প তরঙ্গদৈর্ঘ্যের লেজারগুলির জন্য। এই লেজারগুলি যোগাযোগ, শিল্প প্রক্রিয়াকরণ এবং চিকিত্সা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ।এমবিইর মাধ্যমে উত্পাদিত উচ্চমানের জিনটে ক্রিস্টালগুলি লেজার ডায়োড নির্মাণে বিশেষভাবে দরকারী.
4.সৌর কোষ: ZnTe এর পাতলা ফিল্মের সৌর কোষে সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে। সিডিটিইর মতো অন্যান্য উপকরণগুলির সাথে একটি হেটারোজংশনের অংশ হিসাবে, ZnTe কার্যকর ফোটোভোলটাইক ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।ZnTe® এর বিস্তৃত বর্ণালী সূর্যের আলো শোষণ করার ক্ষমতা এবং এর উপযুক্ত ব্যান্ডগ্যাপ এটি পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি প্রযুক্তির জন্য একটি প্রতিশ্রুতিশীল প্রার্থী করে তোলে.
5অপটিক্যাল উইন্ডোজ এবং ইনফ্রারেড অপটিক্স: ইনফ্রারেড অঞ্চলে ZnTe ের স্বচ্ছতা উচ্চ-কার্যকারিতা ডিভাইসে একটি অপটিক্যাল উইন্ডো উপাদান হিসাবে এটি ব্যবহার করতে দেয়। এটি প্রায়শই ইনফ্রারেড অপটিক্যাল সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে লেন্স, উইন্ডো,আর আয়না ।, যেখানে এটি উল্লেখযোগ্য ক্ষতি ছাড়াই ইনফ্রারেড বিকিরণ প্রেরণ করতে পারে।
প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন:ZnTe এর প্রস্তুতির পদ্ধতি কি?
উঃ1বাষ্প জমাট বাঁধাঃ যেমন রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধা (সিভিডি) বা শারীরিক বাষ্প জমাট বাঁধা (পিভিডি) ।
2.মোলিকুলার বিম ইপিট্যাক্সি (এমবিই): উচ্চ মানের ফিল্ম বৃদ্ধির জন্য।
3গলানোর পদ্ধতিঃ উচ্চ তাপমাত্রায় জিংক এবং টেলুরিয়াম গলিয়ে বাল্ক উপাদান প্রস্তুত করা হয়।
#ZnTe ওয়েফার, #ZnTe ক্রিস্টাল, #টাইপ এন, #টাইপ পি, #সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট