|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| সোই হ্যান্ডেল লেয়ার: | আমাদের সাথে যোগাযোগ | স্তর: | সোআই ওয়াফার |
|---|---|---|---|
| টিটিভি: | <10um | GaN স্তর বেধ: | ১-১০ μm |
| পোলিশ: | ডাবল/সিঙ্গেল সাইড পোলিশ | ওরিয়েন্টেশন: | <100> |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | ৮ ইঞ্চি এসওআই ওয়েফার,6 ইঞ্চি SOI ওয়েফার,৫ ইঞ্চি SOI ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
SOI ওয়েফার সিলিকন-অন-ইনসুলেটর ওয়েফার 4 ইঞ্চি 5 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি 8 ইঞ্চি (100) (111) পি টাইপ এন টাইপ
এসওআই ওয়েফারের বর্ণনাঃ
এসওআই ওয়েফার সিলিকন ডাই অক্সাইড বা কাচের তৈরি একটি বিচ্ছিন্নকারী উপর overlapped সিলিকন একক স্ফটিক একটি পাতলা স্তর বোঝায় (অতএব নাম "বিচ্ছিন্নতা আস্তরণের উপর সিলিকন",প্রায়শই সংক্ষেপে SOI হিসাবে উল্লেখ করা হয়)একটি পাতলা স্তর SOI উপর নির্মিত ট্রানজিস্টর দ্রুত কাজ করতে পারেন এবং একটি সহজ সিলিকন চিপ উপর নির্মিত তুলনায় কম শক্তি খরচ। অর্ধপরিবাহী উত্পাদন,সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (SOI) প্রযুক্তি হল স্তরযুক্ত সিলিকন-ইনসুলেটর-সিলিকন সাবস্ট্র্যাটে সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি করা, ডিভাইসের মধ্যে প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করার জন্য, যার ফলে কর্মক্ষমতা উন্নত হয়।এসওআই-ভিত্তিক ডিভাইসগুলি প্রচলিত সিলিকন-নির্মিত ডিভাইসগুলির থেকে পৃথক যে সিলিকন জংশন একটি বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতার উপরে রয়েছে, সাধারণত সিলিকন ডাই অক্সাইড বা রৌপ্য (এই ধরনের ডিভাইসগুলিকে রৌপ্যের উপর সিলিকন বা এসওএস বলা হয়) ।উচ্চ-কার্যকারিতা রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ) এবং বিকিরণ-সংবেদনশীল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ব্যবহার করা হয়অন্যান্য মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসে সংক্ষিপ্ত-চ্যানেল প্রভাব হ্রাসের জন্য সিলিকন ডাই অক্সাইড এবং সিলিকন ডাই অক্সাইড।
এসওআই ওয়েফারের চরিত্রঃ
- বাল্ক সিলিকন থেকে বিচ্ছিন্নতার কারণে কম প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স, যা মিলিত পারফরম্যান্সে শক্তি খরচ উন্নত করে
- n- এবং p-well কাঠামোর সম্পূর্ণ বিচ্ছিন্নতার কারণে লক-আপ প্রতিরোধের
- সমতুল্য ভিডিডিতে উচ্চতর পারফরম্যান্স। কম ভিডিডিতে কাজ করতে পারে [1]
- ডোপিং না হওয়ার কারণে তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীলতা হ্রাস
- উচ্চ ঘনত্বের কারণে ভাল ফলন, ভাল ওয়েফার ব্যবহার
- অ্যান্টেনা সমস্যা হ্রাস
- কোন শরীর বা ভাল ট্যাপ প্রয়োজন হয়
- আইসোলেশনের কারণে কম ফুটো প্রবাহের ফলে উচ্চতর শক্তি দক্ষতা
- অভ্যন্তরীণভাবে বিকিরণ-শক্ত (মৃদু ত্রুটির প্রতিরোধী), পুনর্ব্যবহারের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে
এসওআই ওয়েফারের প্রোডাক্ট স্ট্রাকচারঃ
| ব্যাসার্ধ | ৪" | ৫" | ৬" | ৮" | |
| ডিভাইস স্তর | ডোপ্যান্ট | বোরন, ফস, আর্সেনিক, অ্যান্টিমোন, ডোপহীন | |||
| নির্দেশনা | <100>, <111> | ||||
| প্রকার | সিমক্স, বেসোই, সিম্বন্ড, স্মার্ট-কাট | ||||
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.001-20000 ওম-সিমি | ||||
| বেধ (এমএম) | > ১5 | ||||
| টিটিভি | <২ম | ||||
| বক্স স্তর | বেধ (এমএম) | 0.2-4.0um | |||
| অভিন্নতা | < ৫% | ||||
| সাবস্ট্র্যাট | নির্দেশনা | <100>, <111> | |||
| প্রকার/ডোপ্যান্ট | পি টাইপ/বোরন, এন টাইপ/ফস, এন টাইপ/এস, এন টাইপ/এসবি | ||||
| বেধ (এমএম) | ২০০-১১০০ | ||||
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.001-20000 ওম-সিমি | ||||
| পৃষ্ঠ সমাপ্ত | পি/পি, পি/ই | ||||
| কণা | <10@.0.3 মি | ||||
এসওআই ওয়েফারের গঠনঃ
এসওআই ওয়েফারের প্রয়োগঃ
আমাদের কাস্টমাইজড সোল সলিউশনগুলি নিম্নলিখিত ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়ঃ
- উন্নত চাপ সেন্সর
- অ্যাক্সিলেরোমিটার
- জাইরোস্কোপ
- মাইক্রোফ্লুইডিক্স/ফ্লো সেন্সর
- আরএফ এমইএমএস
- এমইএমএস/অপটিক্যাল এমইএমএস
- অপটোইলেকট্রনিক্স
- স্মার্ট মিটারিং
- উন্নত অ্যানালগ আইসি
- মাইক্রোফোন
- বিলাসবহুল ঘড়ি
শেষ বাজার:
- টেলিযোগাযোগ
- মেডিকেল
- অটোমোটিভ
- ভোক্তা
- যন্ত্রপাতি
এসওআই ওয়েফারের প্রয়োগের ছবিঃ
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: আইসোলেটরে সিলিকনের ডাইলেক্ট্রিক ধ্রুবক কত?
উঃ সাধারণভাবে ব্যবহৃত সিলিকন উপকরণগুলির জন্য ডায়েলেক্ট্রিক ধ্রুবকগুলি হলঃ সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO2) - ডায়েলেক্ট্রিক ধ্রুবক = 3।9. সিলিকন নাইট্রাইড (SiNx) - ডাইলেক্ট্রিক ধ্রুবক = ৭5. বিশুদ্ধ সিলিকন (Si) - ডাইলেক্ট্রিক ধ্রুবক = ১১7
2প্রশ্ন: এসওআই ওয়েফারের সুবিধা কি?
উত্তরঃ SOI ওয়েফারগুলির বিকিরণের প্রতিরোধ ক্ষমতা বেশি, যা তাদের নরম ত্রুটির জন্য কম ঝুঁকিপূর্ণ করে তোলে। উচ্চতর ঘনত্বও ফলন বৃদ্ধি করে, যার ফলে ওয়েফারের ব্যবহার উন্নত হয়।এসওআই ওয়েফারের অতিরিক্ত সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে তাপমাত্রার উপর কম নির্ভরতা এবং কম অ্যান্টেনা সমস্যা.
পণ্যের সুপারিশঃ
2. এন-টাইপ সিসি অন সি কম্পোন্ড ওয়েফার