|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| নীচে: | পিএসএস বা প্ল্যানার স্যাফায়ার | বৃদ্ধির পদ্ধতি: | MOCVD |
|---|---|---|---|
| MQW: | 0.5um MQWs | ব্যাসার্ধ: | 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি |
| পোলিশ: | ডিএসপি এসএসপি মো | স্যাফায়ার সাবস্ট্রেট ওরিয়েন্টেশন: | CM0.2°±0.1° |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 4 ইঞ্চি গ্যান-ভিত্তিক নীল সবুজ এলইডি,MOCVD GaN-ভিত্তিক নীল সবুজ LED,২ ইঞ্চি গ্যান-ভিত্তিক নীল সবুজ এলইডি |
||
পণ্যের বর্ণনা
2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি GaN-on-Sapphire নীল/সবুজ এলইডি ওয়েফার ফ্ল্যাট বা পিপিএস সাফায়ার এমওসিভিডি ডিএসপি এসএসপি
GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer এর বর্ণনাঃ
সাফির (GaN/Sapphire) ওয়েফারে GaN একটি সাবস্ট্র্যাট উপাদানকে বোঝায় যা একটি সাফির সাবস্ট্র্যাট দিয়ে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এর একটি স্তর উপরে বেড়েছে।GaN হল একটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, যেমন আলোক নির্গত ডায়োড (এলইডি), লেজার ডায়োড, এবং উচ্চ-ইলেকট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর (এইচইএমটি) ।এটি GaN এর বৃদ্ধির জন্য একটি উপযুক্ত স্তরগ্যান-এন-অন-সাফায়ার ওয়েফারগুলি অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস, মাইক্রোওয়েভ এবং মিলিমিটার-ওয়েভ ডিভাইস এবং উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির উত্পাদনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer এর গঠনঃ
কাঠামো এবং রচনাঃ
গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এপিট্যাক্সিয়াল স্তরঃ
একক ক্রিস্টাল পাতলা ফিল্মঃ GaN স্তর একটি একক ক্রিস্টাল পাতলা ফিল্ম, উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং চমৎকার স্ফটিক মান নিশ্চিত করে। এই বৈশিষ্ট্য ত্রুটি এবং dislocations ন্যূনতম করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ,এইভাবে এই টেমপ্লেটগুলির উপর নির্মিত ডিভাইসগুলির পারফরম্যান্স উন্নত করা.
উপাদান বৈশিষ্ট্যঃ GaN তার প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (3.4 eV), উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা, এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা জন্য বিখ্যাত।এই বৈশিষ্ট্যগুলি এটি উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত করে তোলে, পাশাপাশি কঠোর পরিবেশে কাজ করে এমন ডিভাইসগুলি।
সাফায়ার সাবস্ট্র্যাট:
যান্ত্রিক শক্তিঃ সাফায়ার (Al2O3) একটি অসাধারণ যান্ত্রিক শক্তি সহ একটি শক্ত উপাদান, যা GaN স্তরের জন্য একটি স্থিতিশীল এবং টেকসই ভিত্তি সরবরাহ করে।
তাপীয় স্থিতিশীলতাঃ সাফির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং তাপ স্থিতিশীলতা সহ চমৎকার তাপীয় কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে,ডিভাইস অপারেশন চলাকালীন উৎপন্ন তাপ দূর করতে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় ডিভাইসের অখণ্ডতা বজায় রাখতে সহায়তা করে.
অপটিকাল স্বচ্ছতা: আল্ট্রাভাইওলেট থেকে ইনফ্রারেড পরিসরে সাফায়ারের স্বচ্ছতা এটিকে অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে,যেখানে এটি আলোর নির্গমন বা সনাক্তকরণের জন্য একটি স্বচ্ছ স্তর হিসেবে কাজ করতে পারে.
সাফায়ারের GaN টেমপ্লেটের প্রকারভেদঃ
এন-টাইপ গ্যালিয়াম নাইট্রাইড
পি-টাইপ
সেমি-ইসোলেশন টাইপ
GaN-on-Sapphire নীল/সবুজ LED ওয়েফারের ফর্মঃ
GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer এর অ্যাপ্লিকেশন ছবিঃ
কাস্টমাইজেশনঃ
অগমেন্টেড রিয়েলিটি (এআর), ভার্চুয়াল রিয়েলিটি (ভিআর), মোবাইল ফোন এবং স্মার্ট ঘড়ির জন্য পরবর্তী প্রজন্মের ডিসপ্লে সক্ষম করার জন্য মাইক্রো এলইডিগুলি মেটাভার্স প্ল্যাটফর্মের জন্য একটি মূল প্রযুক্তি হিসাবে বিবেচিত হয়।
আমরা GaN ভিত্তিক লাল, সবুজ, নীল, বা UV LED Epitaxial Wafers পাশাপাশি অন্যদের অফার করতে পারেন। সাবস্ট্র্যাট সাফায়ার হতে পারে, SiC, সিলিকন & বাল্ক GaN সাবস্ট্র্যাট. আকার 2 ইঞ্চি থেকে 4 ইঞ্চি পাওয়া যায়
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্নঃ কেন গ্যান সাফিরের উপর?
উত্তরঃ সালফিরের সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার সিলিকন উপর উত্থিত উপাদান তুলনায় উচ্চ মানের বৃদ্ধি কারণে, পাতলা GaN বাফার এবং সহজ epitaxy কাঠামো সক্ষম।সাফাইর সাবস্ট্র্যাট সিলিকনের চেয়েও বেশি বৈদ্যুতিকভাবে বিচ্ছিন্ন, যা কিলোভোল্ট ব্লকিং ক্ষমতা সক্ষম করা উচিত।
2প্রশ্ন: গ্যান এলইডি এর সুবিধা কি?
উঃ শক্তি খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে সঞ্চয় করা। ঐতিহ্যবাহী আলো ব্যবস্থা, যেমন ইনক্যান্ডসেন্ট বা ফ্লুরোসেন্ট বাল্ব, প্রায়ই শক্তি ক্ষুধার্ত এবং শক্তি খরচ বৃদ্ধি অবদান রাখতে পারে। বিপরীতে,গ্যান-ভিত্তিক এলইডি আলো অত্যন্ত দক্ষ এবং উচ্চতর আলোকসজ্জা প্রদানের সময় অনেক কম শক্তি খরচ করে.
পণ্যের সুপারিশঃ
1. ৮ ইঞ্চি গ্যান-অন-সি ইপিটাক্সি সি সাবস্ট্র্যাট আরএফ
2.২ ইঞ্চি ৪ ইঞ্চি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ওয়েফার