|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| নম: | <10 উম, <15 উম | টিটিভি: | <10 উম, <15 উম |
|---|---|---|---|
| পোলিশ: | এসএসপি বা ডিএসপি | ওরিয়েন্টেশন: | <100>, <111> |
| পুনর্নির্দেশ যথার্থতা: | ±0.5° | প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য: | 16±2 মিমি, 22±2 মিমি, 32.5±2 মিমি |
| অযোগ্য সমতল দৈর্ঘ্য: | 8±1 মিমি, 11±1 মিমি, 18±1 মিমি | ওয়ার্প: | <15 উম |
| আকার: | 2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি (কাস্টমাইজড মাপ পাওয়া যায়) | বেধ: | 0.35 মিমি, 0.6 মিমি |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 2 ইঞ্চি ইনপি ওয়েফার,3 ইঞ্চি ইনপি ওয়েফার,4 ইঞ্চি ইনপি ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
ইনপি ওয়েফার 2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি ভিজিএফ পি টাইপ এন টাইপ ডিপ্যান্ট Zn S Fe আনডোপড প্রাইম গ্রেড টেস্টিং গ্রেড
ইনপি ওয়েফারের বর্ণনাঃ
ইন্ডিয়াম ফসফাইড ওয়েফার (ইনপি ওয়েফার) ইন্ডিয়াম ফসফাইড থেকে প্রস্তুত করা হয় যা একটি দ্বৈত অর্ধপরিবাহী।ইনপি ওয়েফারএটি সিলিকন মত অন্যান্য জনপ্রিয় অর্ধপরিবাহী তুলনায় একটি উচ্চতর ইলেকট্রন গতি প্রস্তাব। এই উচ্চতর ইলেকট্রন গতি এটি optoelectronic অ্যাপ্লিকেশন জন্য সবচেয়ে দরকারী যৌগ করে তোলে,দ্রুত ট্রানজিস্টর, এবং রেজোনেন্স টানেলিং ডায়োড।ইনপি ওয়েফারউচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-ক্ষমতার ইলেকট্রনিক ডিভাইসে রয়েছে।ইনপি ওয়েফারহাই-স্পিড ফাইবার অপটিক যোগাযোগেও ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় কারণ ইন্ডিয়াম ফসফাইড 1000nm এর উপরে তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্গত করে এবং সনাক্ত করে।ইনপি ওয়েফারএটি ডেটা কম এবং টেলিকম অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে লেজার এবং ফটোডাইডগুলির জন্য একটি স্তর হিসাবেও ব্যবহৃত হয়।ইনপি ওয়েফারফলে, বাজারের শীর্ষস্থান স্পর্শ করবেইনপি ওয়েফারঅপটিক্যাল ফাইবার সংযোগ, মেট্রো-রিং অ্যাক্সেস নেটওয়ার্ক, কোম্পানির নেটওয়ার্ক, ডেটা সেন্টার ইত্যাদিতে ব্যবহারের জন্য সবচেয়ে পছন্দসই ওয়েফার হবে। আমরা 99.99% বিশুদ্ধইনপি ওয়েফারএটি সবচেয়ে কার্যকর এবং কার্যকর হবে।
ইনপি ওয়েফারের চরিত্রঃ
1. ব্যান্ডগ্যাপঃ ইনপিতে ঘরের তাপমাত্রায় প্রায় 1.35 eV এর একটি সংকীর্ণ ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে, যা ফটোডেটেক্টর, লেজার এবং সৌর কোষের মতো অপটোইলেকট্রনিক্সের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।
2. উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতাঃ ইনপি অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উপকরণ তুলনায় উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা আছে,যা উচ্চ গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ট্রানজিস্টর এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য উপকারী.
3. উচ্চ তাপ পরিবাহিতাঃ ইনপিতে তুলনামূলকভাবে উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে, যা উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসে দক্ষ তাপ অপসারণের অনুমতি দেয়।
4অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যঃ ইনপি ওয়েফারগুলির ইনফ্রারেড অঞ্চলে উচ্চ স্বচ্ছতা সহ চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা তাদের অপটিক্যাল যোগাযোগ এবং সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
5কম গোলমাল বৈশিষ্ট্যঃ ইনপি কম গোলমাল বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, এটি কম গোলমাল এম্প্লিফায়ার এবং যোগাযোগ সিস্টেমের রিসিভারগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
6রাসায়নিক স্থিতিশীলতাঃ ইনপি রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল, যা বিভিন্ন পরিবেশে এর নির্ভরযোগ্যতার অবদান রাখে।
7. InGaAs এর সাথে গ্রিটস মেলেঃ InP ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (InGaAs) এর সাথে গ্রিটস মেলে, যা অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য উচ্চ মানের হেটেরোস্ট্রাকচারগুলির বৃদ্ধিকে সক্ষম করে।
8. উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজঃ ইনপি ওয়েফারগুলির একটি উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ রয়েছে, যা তাদের উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
9উচ্চ ইলেকট্রন স্যাচুরেশন গতিঃ ইনপি একটি উচ্চ ইলেকট্রন স্যাচুরেশন গতি প্রদর্শন করে, যা উচ্চ গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য উপকারী।
10ডোপিংঃ ইনপি ওয়েফারগুলি এন-টাইপ এবং পি-টাইপ উভয় অঞ্চল তৈরি করতে ডোপিং করা যেতে পারে, যা বিভিন্ন ধরণের বৈদ্যুতিন এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির অনুমতি দেয়।
ইনপি ওয়েফারের আকারঃ
| উপাদান | ইনপি |
|---|---|
| বৃদ্ধি পদ্ধতি | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| গ্রিজ (এ) | a=৫।869 |
| কাঠামো | এম৩ |
| গলনাঙ্ক | ১৬০০°সি |
| ঘনত্ব ((g/cm3) | 4৭৯ গ্রাম/সেমি৩ |
| ডোপড উপাদান |
নন-ডোপড S-ডোপড Zn-ডোপড Fe-ডোপড
|
| প্রকার |
এন এন পি এন
|
| ক্যারিয়ারের ঘনত্ব (সেমি-৩) |
(0.4-2) x 1016 (0.8-3) x 1018 (4-6) x 1018
(0.6-2) x ১০১৮
|
| গতিশীলতা (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
|
| EPD (গড়) |
3 x 104. সেমি2 2 x 103/সেমি2. 2 x 104/সেমি2. 3 x 104/সেমি2
|
ইনপি ওয়েফারের শারীরিক ছবিঃ
ইনপি ওয়েফারের প্রয়োগঃ
1ফোটনিক্স:
লেজার এবং ডিটেক্টরঃ তার সংকীর্ণ ব্যান্ডগ্যাপ (~ 1.35 ইলেকট্রন ভোল্ট) দিয়ে, ইনপি ফোটনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে লেজার এবং ডিটেক্টরগুলির মতো ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত।
অপটিক্যাল যোগাযোগঃ ইনপি ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল যোগাযোগ ব্যবস্থায় গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা ফাইবার অপটিক্সের জন্য লেজার এবং মডুলারগুলির মতো উপাদানগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
2. সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস:
হাই-স্পিড ট্রানজিস্টরঃ ইনপি এর উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এটিকে হাই-স্পিড ট্রানজিস্টর তৈরির জন্য একটি আদর্শ উপাদান করে তোলে।
সৌর কোষঃ ইনপি ওয়েফারগুলি সৌর কোষগুলিতে ভাল পারফরম্যান্স প্রদর্শন করে, যা কার্যকর ফটোভোলটাইক রূপান্তরকে সক্ষম করে।
3মাইক্রোওয়েভ এবং আরএফ ডিভাইস:
মাইক্রোওয়েভ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (এমআইসি): ইনপি ওয়েফারগুলি মাইক্রোওয়েভ এবং আরএফ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া এবং কর্মক্ষমতা সরবরাহ করে।
কম গোলমাল এম্প্লিফায়ার: কম গোলমাল এম্প্লিফায়ারে ইনপি ওয়েফারগুলি যোগাযোগ ব্যবস্থায় গুরুত্বপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশন পায়।
4. ফোটোভোলটাইক ডিভাইস:
ফোটোভোলটাইক সেলঃ ইনপি ওয়েফারগুলি সৌর শক্তি সিস্টেমের জন্য উচ্চ দক্ষতার ফোটোভোলটাইক সেল তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
5সেন্সর প্রযুক্তি:
অপটিক্যাল সেন্সরঃ ইনপি ওয়েফারগুলি বিভিন্ন সেন্সর প্রযুক্তি এবং ইমেজিং সিস্টেমে ব্যবহৃত অপটিক্যাল সেন্সর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সম্ভাবনা রাখে।
6ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট:
অপ্টোইলেকট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটঃ ইনপি ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল যোগাযোগ এবং সেন্সিংয়ের জন্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অপ্টোইলেকট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়।
7অপটিক্যাল ডিভাইস:
ফাইবার অপটিক এম্প্লিফায়ার: ফাইবার অপটিক যোগাযোগে সিগন্যাল পরিবর্ধন এবং সংক্রমণের জন্য ইনপি ওয়েফারগুলি ফাইবার অপটিক এম্প্লিফায়ারে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।
ইনপি ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন ছবিঃ
কাস্টমাইজেশনঃ
এখানে ইনপি ওয়েফার কাস্টমাইজেশনের কিছু দিক রয়েছেঃ
1. ওয়েফারের আকারঃ ইনপি ওয়েফারগুলি অ্যাপ্লিকেশনটির নির্দিষ্ট প্রয়োজন অনুসারে ব্যাসার্ধ (2-ইঞ্চি, 3-ইঞ্চি, 4-ইঞ্চি) এবং বেধের ক্ষেত্রে কাস্টমাইজ করা যায়।
2. ওরিয়েন্টেশনঃ ওয়াফারের ওরিয়েন্টেশন ((100), (111) এ, (111) বি) নির্ধারিত অ্যাপ্লিকেশনটির জন্য পছন্দসই স্ফটিক ওরিয়েন্টেশনের উপর ভিত্তি করে নির্দিষ্ট করা যেতে পারে।
3. ডোপিং প্রোফাইলঃ ডোপিংয়ের ঘনত্ব এবং বিতরণ নিয়ন্ত্রণ করে কাস্টম ডোপিং প্রোফাইল তৈরি করা যেতে পারে (সিলিকন,ডিভাইস তৈরির জন্য প্রয়োজনীয় নির্দিষ্ট বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য অর্জনের জন্য.
4. পৃষ্ঠের গুণমানঃ অপটোইলেকট্রনিক্স এবং ফোটনিক্সের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সর্বোত্তম পারফরম্যান্স নিশ্চিত করে প্রয়োজনীয় রুক্ষতা স্পেসিফিকেশন পূরণের জন্য ওয়েফারের পৃষ্ঠের গুণমান কাস্টমাইজ করা যায়.
5. ইপিট্যাক্সিয়াল স্তরঃ ইনপি ওয়েফারগুলি লেজারের মতো বিশেষায়িত ডিভাইসের জন্য হেরোস্ট্রাকচার তৈরি করতে ইনজিএএস, ইনএলজিএএস বা ইনজিএএসপি এর মতো অন্যান্য উপকরণগুলির ইপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির সাথে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে,ফোটোডিটেক্টর, এবং উচ্চ গতির ট্রানজিস্টর.
6বিশেষায়িত লেপঃ ইনপি ওয়েফারগুলি নির্দিষ্ট উপকরণ বা ফিল্মগুলির সাথে লেপ দেওয়া যেতে পারে যাতে নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে তাদের পারফরম্যান্স বাড়ানো যায়, যেমন অপটিক্যাল ডিভাইসের জন্য অ্যান্টি-রিফ্লেকশন লেপ।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: ইনপি সেমিকন্ডাক্টর কি?
উত্তরঃ ইন্ডিয়াম ফসফাইড (ইনপি) একটি দ্বৈত অর্ধপরিবাহী যা ইন্ডিয়াম (ইন) এবং ফসফরাস (পি) নিয়ে গঠিত। গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (জিএএস) অর্ধপরিবাহীগুলির মতো যা একটি জিংকব্লেন্ড স্ফটিক কাঠামোর সাথে আসে,ইনপিকে এমন একটি উপাদানের গ্রুপে শ্রেণীবদ্ধ করা হয় যা III-V সেমিকন্ডাক্টরগুলির অন্তর্ভুক্ত.
2প্রশ্ন: ইন্ডিয়াম ফসফাইডের ব্যবহার কি?
উত্তরঃ ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্র্যাটগুলি মূলত দীর্ঘ তরঙ্গদৈর্ঘ্য (1.3 এবং 1.3) তৈরির জন্য ব্যবহৃত ত্রিমাত্রিক (InGaAs) এবং কোয়ার্টারার (InGaAsP) খাদযুক্ত কাঠামোর বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত হয়।55 μm) ডায়োড লেজার, এলইডি, এবং ফটোডেটেক্টর।
3প্রশ্ন: ইনপি'র সুবিধা কি?
উত্তরঃ উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা: ইনপি সিলিকনের তুলনায় প্রায় দশগুণ বেশি ইলেকট্রন গতিশীলতা প্রদর্শন করে, এটি টেলিযোগাযোগ এবং রাডার সিস্টেমের উচ্চ গতির ট্রানজিস্টর এবং পরিবর্ধকগুলির জন্য নিখুঁত করে তোলে।