|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উপাদান: | সিলিকন | ব্যাসার্ধ: | 100 মিমি |
|---|---|---|---|
| ডোপান্ট: | P/Boron বা N/As | প্রতিরোধ ক্ষমতা: | 0.001-0.005 Ω .CM |
| ওরিয়েন্টেশন: | 100 | স্লাইস ওরিয়েন্টেশন: | ±0.5° |
| ব্যাস সহনশীলতা: | 100±0.3 মিমি | প্রাথমিক ফ্ল্যাট অবস্থান: | <110>±1 |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য: | 32.5±2.5 মিমি | পুরুত্ব সহনশীলতা: | 500±20μm |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | 4 ইঞ্চি সি ওয়েফার,CZ Si ওয়েফার,সেমিকন্ডাক্টর সি ওয়াফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
সি-ওয়েফার ৪ ইঞ্চি পোলিশ সিজেড ডোপ্যান্ট আর্সেনিক (এএস) বোরন (বি) ফসফরাস (পিএইচ) (১০০) সেমিকন্ডাক্টর
সি-ওয়েফারের বর্ণনাঃ
একটি সিলিকন ওয়েফার উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন থেকে কাটা একটি খুব পাতলা বৃত্তাকার ডিস্ক। একটি বৃত্তাকার সিলিকন ইঙ্গোট প্রায় 1 মিমি বেধে কাটা হয়। ফলস্বরূপ ডিস্কের পৃষ্ঠগুলি সাবধানে পোলিশ করা হয়,তারপর এটা পরিষ্কার করা হয়সিলিকন ওয়েফার উচ্চ বিশুদ্ধ সিলিকন থেকে তৈরি হয় এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের উপাদান।এই ওয়েফারগুলি একটি SEMI খাঁজ বা এক বা দুটি SEMI ফ্ল্যাট দিয়েও তৈরি করা যেতে পারে.আমরা সেমিকন্ডাক্টর এবং ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ মানের পোলিশ সিলিকন ওয়েফার উৎপাদনে বিশেষজ্ঞ।আমাদের ১০০ মিমি পোলিশ সিলিকন ওয়েফারগুলি শীর্ষ মানের একক স্ফটিক একক স্ফটিক উপাদান সরবরাহ করে যা কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রিত বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের এবং বেধ পরিবর্তনের স্পেসিফিকেশন সহএই পণ্যটি Czochralski (CZ) পদ্ধতি ব্যবহার করে উত্থিত একক স্ফটিক ingot থেকে কাটা 100mm ব্যাসার্ধ সিলিকন wafers গঠিত।তাদের একপাশে পোলিশ করা হয়েছে অথবা ব্যতিক্রমী বেধ অভিন্নতা অর্জনের জন্য ডাবল সাইড পোলিশ করা হয়েছে, কণার পারফরম্যান্স, পৃষ্ঠের মাইক্রো-রুক্ষতা, এবং সমতলতা স্পেসিফিকেশন।
সি ওয়েফারের চরিত্র:
1. প্রিমিয়াম কোয়ালিটি ️ সমস্ত সিলিকন ওয়েফার ব্র্যান্ড নতুন, ভার্জিন সিলিকন ওয়েফার ️ তারা কখনও ব্যবহৃত বা পুনরায় ব্যবহার করা হয় নি
2আমাদের প্রাইম গ্রেড সিলিকন ওয়েফারগুলোতে প্রিমিয়াম এপি-রেডি সারফেস রয়েছে।
3. একক স্ফটিক উপাদান ️ সমস্ত ওয়েফারগুলি প্রথম শ্রেণীর একক স্ফটিক সিলিকন উপাদান থেকে তৈরি
4. ইন্ডাস্ট্রি স্ট্যান্ডার্ড অতিক্রম করুন আমাদের 100mm সিলিকন ওয়েফার SEMI স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন এবং শিল্প মান অতিক্রম
5. বহুমুখী অ্যাপ্লিকেশন আমাদের 100 মিমি সিলিকন ওয়েফারগুলি অর্ধপরিবাহী উত্পাদন, গবেষণা ও উন্নয়ন এবং শিক্ষামূলক উদ্দেশ্যে সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত
6. শিল্প নেতৃবৃন্দের দ্বারা বিশ্বস্ত আমাদের 100 মিমি সিলিকন ওয়েফার ব্যাপকভাবে বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় অর্ধপরিবাহী কারখানা, গবেষণা ও উন্নয়ন কেন্দ্র, বিশ্ববিদ্যালয় এবং পাইলট লাইন দ্বারা ব্যবহৃত হয়
7. গুণমান নিয়ন্ত্রণ এবং পরিদর্শন প্রতিটি ওয়েফার একটি বিস্তৃত গুণমান পরিদর্শন এবং পরীক্ষার মধ্য দিয়ে যায়
8. Secure Packaging – Wafers are packaged in dedicated ultra-clean PP cassettes and double-bagged in antistatic bags under class 100 cleanroom conditions to protect the surface from particulate contamination
9. প্রতিযোগিতামূলক মূল্য ∙ ওয়েফারপ্রো পরিমাণ ছাড়ের সাথে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য প্রদান করে
10. কনফরম্যান্স সার্টিফিকেট ️ প্রতিটি অর্ডারের সাথে একটি সিওসি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা ওয়েফারের সঠিক স্পেসিফিকেশনগুলি উল্লেখ করে।
সি-ওয়েফারের আকৃতিঃ
| পণ্যের নাম | ৪ ইঞ্চি পোলিশ ওয়েফার |
| উপাদান | সিলিকন |
| ব্যাসার্ধ | ১০০±০.২ মিমি |
| বেধ | 525±15um / অনুরোধ অনুযায়ী |
| প্রকার/ডোপ্যান্ট: | P/Boron বা N/As |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | অনুরোধ হিসাবে |
| নির্দেশনা | < ১০০> |
| গ্রেড | প্রাইম/টেস্ট গ্রেড/টেস্ট গ্রেড |
| বৃদ্ধি | CZ |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট অবস্থান | <১১০>±১ |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 32.5±2.5 মিমি |
| বেধ সহনশীলতা | 500±20μ মি |
| টিটিভি | < ১০ মাইক্রোমিটার |
| টিআইআর | <১০ মি |
| ওয়ার্প | < ৩০ মাইক্রন মিটার |
| নমস্কার | < ৩০ মাইক্রন মিটার |
| সামনের পৃষ্ঠ | পলিশিং |
| পিছনের পৃষ্ঠ | সিলিং |
| অক্সিডেশন | ভিজা অক্সিডেশন |
দ্যশারীরিক ছবি সি-ওয়েফার:
দ্যপ্রয়োগসি-ওয়েফার:
1মাইক্রোচিপ উৎপাদন ও ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট উৎপাদন
2. এমইএমএস এবং মাইক্রো ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল সিস্টেম
3. সেমিকন্ডাক্টর ও সেন্সর উৎপাদন
4এলইডি আলো এবং লেজার ডায়োড তৈরি
5. সৌর/ফোটোভোলটাইক সেল এবং ওয়েফার
6অপটিক্যাল সরঞ্জামের উপাদান
7স্যান্ডউইচ প্যানেল
8. গবেষণা ও উন্নয়ন প্রোটোটাইপিং এবং পরীক্ষা
দ্যঅ্যাপ্লিকেশন ছবিসি-ওয়েফার:
কাস্টমাইজেশনঃ
আমরা বিভিন্ন ধরণের উচ্চমানের সিলিকন ওয়েফারের প্রক্রিয়াকরণ এবং সরবরাহের ক্ষেত্রে বিশেষজ্ঞ। আমাদের অফারগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার বৃদ্ধি পদ্ধতিঃ সিজেড (চোক্রালস্কি), এমসিজেড এবং অন্যান্য।
আকারঃ ২", ৪", ৫", ৬", ৮" পাশাপাশি কাস্টম ব্যাসার্ধ এবং অ-মানক আকৃতির সিলিকন ওয়েফার।
সারফেস ফিনিসঃ একপাশের পোলিশ, ডাবল-পোলিশ, গ্রিলিং ইত্যাদি
পরিবাহিতা প্রকারঃ এন-টাইপ, পি-টাইপ, অন্তর্নিহিত অর্ধপরিবাহী।
স্পেসিফিকেশনঃ বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
সরবরাহ ক্ষমতাঃ বিভিন্ন ধরণের স্টক সহ বিস্তৃত জায়।
প্রক্রিয়াকরণের নমনীয়তাঃ গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য বিভিন্ন স্পেসিফিকেশনের কাস্টম প্রক্রিয়াকরণ, সংক্ষিপ্ত লিড টাইম সহ।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
1প্রশ্ন: আমরা কোন উপরিভাগ শেষ করতে পারি?
উত্তরঃ আমরা ডাবল-সাইড পোলিশ (ডিএসপি), একক-সাইড পোলিশ (এসএসপি), বা ইটড / ইটড পৃষ্ঠের সাথে ওয়েফার সরবরাহ করি। আপনার পছন্দসই স্পেসিফিকেশনগুলির জন্য দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না।
2প্রশ্ন: কোন কাস্টমাইজেশন পাওয়া যায়?
উত্তরঃ আমাদের সক্ষমতাগুলির মধ্যে রয়েছে লেজার মার্কিং, ওয়েফার লেবেলিং, এবং বিভিন্ন প্রান্তের পরিবর্তন যেমন আপনার সঠিক প্রয়োজনীয়তা অনুসারে কাটা বা খাঁজ।
3: প্রশ্নঃ আপনি কোন আকারের অফার করেন?
উত্তরঃ আমাদের 4 ইঞ্চি (100 মিমি) সিলিকন ওয়েফারের পাশাপাশি, আমরা 2 ′′, 3 ′′, 150 মিমি, 200 মিমি এবং 300 মিমি ব্যাসের আকার সরবরাহ করি। অনুরোধের ভিত্তিতে অন্যান্য কাস্টমাইজড আকার উপলব্ধ হতে পারে।
পণ্যের সুপারিশঃ
1.একক ক্রিস্টাল সি ওয়েফার ইলেকট্রনিক ডিভাইস সাবস্ট্র্যাট ফটোলিথোগ্রাফি স্তর 2"3"4"6"8"
2.সিলিকন ওয়েফার CZ দৃষ্টিভঙ্গি111 প্রতিরোধ ক্ষমতাঃ 1-10 (ওহম সেমি) একক পাশ বা ডাবল পাশ পোলিশ