|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| সাবস্ট্রেট উপাদান: | সিলিকন কার্বাইড সিলিকন কমপাউন্ড ওয়েফারে | সামনের সারফেস: | CMP পালিশ, Ra <0.5 Nm (সিঙ্গেল সাইড পালিশ, SSP) |
|---|---|---|---|
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য: | 18.0 +/- 2.0 মিমি | প্রকার: | সেমি-টাইপ |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য: | 32.5 +/- 2.5 মিমি | ব্যাসার্ধ: | 100 মিমি +/- 0.5 মিমি |
| কার্বন সামগ্রী: | 0.5 পিপিএম | সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন:: | প্রাথমিক ফ্ল্যাট থেকে 90 ডিগ্রী |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে সিআইসি এলইডি,সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটে সিআইসি |
||
পণ্যের বর্ণনা
সেমি-ইনসুলেটিং সিআইসি অন সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাট 4 এইচ উচ্চ প্রতিরোধের এলইডি প্রদর্শন করে
সিআইসি অন সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটের প্রোডাক্টের বর্ণনাঃ
সিলিকন কম্পাউন্ড ওয়েফারে একটি আধা-ইনসুলেটিং সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) একটি বিশেষ ধরণের ওয়েফার যা সিলিকন কার্বাইড এবং সিলিকন উপকরণগুলির বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে।ওয়েফারটি একটি সিলিকন সাবস্ট্র্যাটের উপরে একটি অর্ধ-বিচ্ছিন্ন সিলিকন কার্বাইডের স্তর নিয়ে গঠিত"অর্ধ-নিরোধক" শব্দটি ইঙ্গিত দেয় যে উপাদানটির বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা কেবলমাত্র পরিবাহী বা কেবলমাত্র নিরোধক নয়, তবে মাঝখানে কোথাও।
SiC On Si Composite Substrate এর চরিত্রঃ
1. উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতাঃ সি-ওয়েফারে আধা-বিচ্ছিন্ন সিআইসি উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদর্শন করে, যার অর্থ সাধারণ পরিবাহী উপকরণগুলির তুলনায় তাদের কম বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা রয়েছে।
2. কম ফুটোঃ তাদের আধা-বিচ্ছিন্ন প্রকৃতির কারণে, এই ওয়েফারগুলির কম ফুটো প্রবাহ রয়েছে, যা তাদের ন্যূনতম বৈদ্যুতিক ফুটো প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
3. উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজঃ তাদের সাধারণত একটি উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ থাকে, যা তাদের ভাঙ্গন ছাড়াই উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র সহ্য করতে সক্ষম করে।
সিআইসি অন সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটের পরামিতি তালিকাঃ
| পয়েন্ট | স্পেসিফিকেশন |
| ব্যাসার্ধ | 150 ± 0.2 মিমি |
| সিআইসি পলিটাইপ | ৪ ঘন্টা |
| সিআইসি প্রতিরোধ ক্ষমতা | ≥1E8 Ω·cm |
| ট্রান্সফার সিআইসি স্তর বেধ | ≥0.1 μm |
| শূন্য | ≤5 ea/ওয়েফার (2 মিমি > D > 0.5 মিমি) |
| সামনের রুক্ষতা | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Si ওরিয়েন্টেশন | <111>/<100>/<110> |
| সি টাইপ | P/N |
| ফ্ল্যাট/নচ | ফ্ল্যাট/নচ |
| এজ চিপ, স্ক্র্যাচ, ক্র্যাক (ভিজ্যুয়াল পরিদর্শন) | কোনটিই |
| টিটিভি | ≤5 μm |
| বেধ | 500/625/675 ± 25 μm |
সিআইসি অন সিআই কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটের অ্যাপ্লিকেশনঃ
1. উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসঃ সিআই যৌগিক ওয়েফারে আধা-বিচ্ছিন্ন সিআইসি সাধারণত উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস যেমন আরএফ ট্রানজিস্টর, এম্প্লিফায়ার এবং মাইক্রোওয়েভ সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়।
2পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সঃ এগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসে অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায় যেখানে উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ এবং কম বৈদ্যুতিক ক্ষতি দক্ষ শক্তি রূপান্তরের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
3সেন্সরঃ এই ওয়েফারগুলি সেন্সর প্রযুক্তিতে ব্যবহৃত হয় যেখানে উচ্চ প্রতিরোধের এবং নিম্ন ফুটো বৈশিষ্ট্যগুলি সঠিক সংবেদন এবং পরিমাপের জন্য প্রয়োজনীয়।
4অপ্টোইলেকট্রনিক্সঃ ফোটোডেটেক্টর এবং এলইডি-র মতো অপ্টোইলেকট্রনিক ডিভাইসে, সি-ওয়েফারে অর্ধ-বিচ্ছিন্ন সিআইসি তাদের অনন্য বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উন্নত পারফরম্যান্স সরবরাহ করতে পারে।
সিআইসি কম্পোজিট সাবস্ট্র্যাটের অ্যাপ্লিকেশন ছবিঃ
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
উঃ The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs