|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| ব্যাসার্ধ: | ৬" | প্রকার/ডোপান্ট:: | এন টাইপ/পি-ডোপড |
|---|---|---|---|
| অভিযোজন:: | <1-0-0>+/-.5 ডিগ্রী | বেধ:: | 2.5±0.5µm |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা:: | 1-4 ওহম-সেমি | শেষঃ: | ফ্রন্ট সাইড পালিশ |
| সমাহিত তাপীয় অক্সাইড:: | 1.0um +/- 0.1 um | ওয়েফার হ্যান্ডেল:: | <1-0-0>+/-.5 ডিগ্রী |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | ৬২৫ ইউম SOI ওয়েফার,পি-ডোপেড SOI ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
সিলিকন-অন-ইনসুলেটর এসওআই ওয়েফার 6", 2.5 "মি (পি-ডোপড) + 1.0 SiO2 + 625um Si (পি-টাইপ / বোরেন ডোপড)
সিলিকন-অন-আইসোলেটর (এসওআই) ওয়েফার সংক্ষিপ্তসার
এই সিলিকন-অন-আইসোলেটর (এসওআই) ওয়েফারটি উন্নত ইলেকট্রনিক এবং মাইক্রো ইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম (এমইএমএস) অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা একটি বিশেষ অর্ধপরিবাহী সাবস্ট্র্যাট।ওয়েফার একটি মাল্টি-স্তর কাঠামো দ্বারা চিহ্নিত করা হয় যা ডিভাইস কর্মক্ষমতা উন্নত, প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করে এবং তাপীয় বিচ্ছিন্নতা উন্নত করে, এটিকে উচ্চ-কার্যকারিতা এবং উচ্চ-নির্ভুলতার অ্যাপ্লিকেশনগুলির বিস্তৃত জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।
সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (এসওআই) ওয়েফার পণ্যের বৈশিষ্ট্য
ওয়েফারের স্পেসিফিকেশনঃ
- ওয়েফারের ব্যাসার্ধ: ৬ ইঞ্চি (১৫০ মিমি)
- 6 ইঞ্চি ব্যাসার্ধ ডিভাইস উত্পাদন জন্য একটি বড় পৃষ্ঠতল প্রদান করে, উত্পাদন দক্ষতা উন্নত এবং উত্পাদন খরচ কমাতে।
ডিভাইস স্তরঃ
- বেধ: ২.৫ মাইক্রোমিটার
- পাতলা ডিভাইস স্তরটি উচ্চ গতির এবং উচ্চ-কার্যকারিতা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য প্রয়োজনীয় ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলির সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়।
- ডোপিং: পি-টাইপ (ফসফরাস-ডোপেড)
- ফসফরাস ডোপিং ডিভাইস স্তরের বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বাড়ায়, এটি বিভিন্ন পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
কবরিত অক্সাইড (বক্স) স্তরঃ
- বেধ: ১.০ মাইক্রোমিটার
- ১.০ মাইক্রোমিটার পুরু সিওও২ স্তর ডিভাইস স্তর এবং হ্যান্ডেল ওয়েফারের মধ্যে চমৎকার বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা প্রদান করে, প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করে এবং সংকেত অখণ্ডতা উন্নত করে।
হ্যান্ডেল ওয়েফার:
- বেধ: ৬২৫ মাইক্রোমিটার
- ঘন হ্যান্ডেল ওয়েফার উত্পাদন এবং অপারেশন চলাকালীন যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে, বিকৃতি বা ভাঙ্গন রোধ করে।
- প্রকার: পি-টাইপ (বোরন-ডোপেড)
- বোরন ডোপিং হ্যান্ডেল ওয়েফারের যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা উন্নত করে, তাপ অপসারণে সহায়তা করে এবং সামগ্রিক ডিভাইস নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।
| ডিভাইস স্তর | ||
| ব্যাসার্ধঃ | ৬" | |
| প্রকার/ডোপ্যান্ট: | এন-টাইপ/পি-ডোপড | |
| নির্দেশনা: | <১-০-০>+/-৫ ডিগ্রি | |
| বেধঃ | 2.5±0.5μm | |
| প্রতিরোধ ক্ষমতাঃ | ১-৪ ওম-সেমি | |
| শেষঃ | সামনের দিকের পোলিশ | |
|
কবরিত তাপীয় অক্সাইড: |
||
| বেধঃ | 1.0um +/- 0.1 um | |
|
হ্যান্ডেল ওয়েফার: |
||
| প্রকার/ডোপ্যান্ট | পি টাইপ, বি ডোপড | |
| নির্দেশনা | <১-০-০>+/-৫ ডিগ্রি | |
| প্রতিরোধ ক্ষমতাঃ | ১০-২০ ওম সেমি | |
| বেধঃ | ৬২৫ +/- ১৫ এমএম | |
| শেষঃ | যেমন পেয়েছি (পোলিশ করা হয়নি) | |
পণ্যের মূল বৈশিষ্ট্যঃ
-
উচ্চমানের ডিভাইস স্তরঃ
- ক্যারিয়ার মোবিলিটি: ফসফরাস-ডোপেড স্তরে উচ্চ ক্যারিয়ার গতিশীলতা দ্রুত ইলেকট্রনিক প্রতিক্রিয়া এবং উচ্চ গতির অপারেশন নিশ্চিত করে।
- কম ত্রুটি ঘনত্ব: উচ্চ মানের উত্পাদন প্রক্রিয়াটি ন্যূনতম ত্রুটিগুলি নিশ্চিত করে, যা আরও ভাল কর্মক্ষমতা এবং উচ্চতর ফলন নিয়ে আসে।
-
কার্যকর বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতাঃ
- কম পরজীবী ক্ষমতা: বক্স স্তরটি কার্যকরভাবে ডিভাইস স্তরটিকে সাবস্ট্র্যাট থেকে বিচ্ছিন্ন করে, পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স এবং ক্রসস্টক হ্রাস করে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং নিম্ন-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
- সিগন্যাল অখণ্ডতা: উন্নত বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা সংকেত অখণ্ডতা বজায় রাখতে সাহায্য করে, যা উচ্চ-নির্ভুলতা অ্যানালগ এবং ডিজিটাল সার্কিটগুলির জন্য অপরিহার্য।
-
তাপীয় ব্যবস্থাপনাঃ
- তাপ পরিবাহিতা: বোরন-ডোপেড হ্যান্ডেল ওয়েফার ভাল তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, ডিভাইস অপারেশন চলাকালীন উত্পন্ন তাপ dissipation সাহায্য করে, এইভাবে overheating প্রতিরোধ এবং স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত।
- তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা: ওয়েফারের কাঠামো এবং উপকরণগুলি নিশ্চিত করে যে এটি প্রক্রিয়াজাতকরণ এবং অপারেশন চলাকালীন উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে।
-
যান্ত্রিক স্থিতিশীলতাঃ
- দৃঢ়তা: ঘন হ্যান্ডেল ওয়েফার যান্ত্রিক সমর্থন প্রদান করে, নিশ্চিত করে যে উত্পাদন প্রক্রিয়া এবং অপারেটিং চাপের সময় ওয়েফার স্থিতিশীল থাকে।
- স্থায়িত্ব: হ্যান্ডেল ওয়েফারের যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা ক্ষতি রোধে সহায়তা করে, ওয়েফারের ভাঙ্গনের ঝুঁকি হ্রাস করে এবং সামগ্রিক ডিভাইসের দীর্ঘায়ু উন্নত করে।
-
অ্যাপ্লিকেশনের বহুমুখিতাঃ
- হাই-পারফরম্যান্স কম্পিউটিং: প্রসেসর এবং অন্যান্য উচ্চ-গতির ডিজিটাল লজিক সার্কিটগুলির জন্য উপযুক্ত, এর উচ্চ ক্যারিয়ার গতিশীলতা এবং কম পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্সের কারণে।
- ৫জি যোগাযোগ: আরএফ উপাদান এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সংকেত প্রক্রিয়াকরণের জন্য আদর্শ, চমৎকার বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা এবং তাপ ব্যবস্থাপনা বৈশিষ্ট্য থেকে উপকৃত।
- এমইএমএস ডিভাইস: এমইএমএস তৈরির জন্য উপযুক্ত, যা মাইক্রোফ্যাব্রিকেটেড কাঠামোর জন্য প্রয়োজনীয় যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং নির্ভুলতা সরবরাহ করে।
- অ্যানালগ এবং মিশ্র সংকেত সার্কিট: কম গোলমাল এবং কম ক্রসট্যাক এটিকে উচ্চ-নির্ভুলতা অ্যানালগ সার্কিটগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
- পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: শক্তিশালী তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজন এমন শক্তি পরিচালনার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
সিদ্ধান্ত
এই সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (SOI) ওয়েফার উচ্চমানের উপকরণ এবং উন্নত উত্পাদন কৌশলগুলির একটি অনন্য সমন্বয় প্রদান করে, যার ফলে একটি সাবস্ট্র্যাট তৈরি হয় যা বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতাতে অসামান্য,তাপীয় ব্যবস্থাপনা, এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা। এই বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে উচ্চ-কার্যকারিতা ইলেকট্রনিক্স এবং এমইএমএস অ্যাপ্লিকেশনগুলির বিস্তৃত জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে,পরবর্তী প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী ডিভাইসগুলির উন্নয়নকে সমর্থন করা.
সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (এসওআই) ওয়েফার পণ্যের ছবি
প্রশ্নোত্তর
এসওআই ওয়েফার (সিলেকন-অন-আইসোলেটর ওয়েফার) কি?
সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (SOI) ওয়েফার একটি ধরনের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট যা একাধিক স্তর নিয়ে গঠিত, যার মধ্যে একটি পাতলা সিলিকন ডিভাইস স্তর, একটি বিচ্ছিন্ন অক্সাইড স্তর,এবং একটি সমর্থনকারী সিলিকন হ্যান্ডেল ওয়েফারএই কাঠামোটি ভাল বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা প্রদান করে, পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস করে এবং তাপীয় ব্যবস্থাপনা উন্নত করে অর্ধপরিবাহী ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতা উন্নত করে।