বিস্তারিত তথ্য |
|||
বেধ: | মিনিটঃ ১৭৫ ম্যাক্সঃ225 | ডোপান্ট: | এস |
---|---|---|---|
সারফেস ফিনিশ-ব্যাক: | পোলিশ | কণা গণনা: | N/A |
এজ রাউন্ডিং: | 0.250mmR | IF অবস্থান/দৈর্ঘ্য: | EJ[0-1-1]/ 7±1 মিমি |
চালনার ধরন: | এস-সি-এন | এপি-রেডি: | হ্যাঁ। |
লক্ষণীয় করা: | গ্যাপি ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট,গ্যালিয়াম ফসফাইড সিঙ্গল ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন,গ্যালিয়াম ফসফাইড গ্যাপি ওয়েফার |
পণ্যের বর্ণনা
গ্যাপি ওয়েফার, গ্যালিয়াম ফসফাইড সিঙ্গল ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন (111)A 0°±0.2 সোলার সেল
পণ্যের বর্ণনাঃ
গ্যালিয়াম ফসফাইড গ্যাপি, অন্যান্য III-V যৌগিক উপকরণগুলির মতো অনন্য বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলির একটি গুরুত্বপূর্ণ অর্ধপরিবাহী, তাপগতিগতভাবে স্থিতিশীল ঘনক্ষেত্রীয় ZB কাঠামোতে স্ফটিক হয়,এটি একটি কমলা-হলুদ অর্ধ-স্বচ্ছ স্ফটিক উপাদান যার পরোক্ষ ব্যান্ড ফাঁক ২.26 eV (300K), যা 6N 7N উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্যালিয়াম এবং ফসফরাস থেকে সংশ্লেষিত হয়, এবং তরল এনক্যাপসুলেটেড Czochralski (LEC) কৌশল দ্বারা একক স্ফটিক মধ্যে উত্থিত হয়।গ্যালিয়াম ফসফাইড স্ফটিকটি এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার জন্য সালফার বা টেলুরিয়াম ডোপ করা হয়, এবং পি-টাইপ পরিবাহিতা হিসাবে জিংক ডোপযুক্ত, যা অপটিক্যাল সিস্টেম, ইলেকট্রনিক এবং অন্যান্য অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসে অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে।একক ক্রিস্টাল GaP ওয়েফার আপনার LPE জন্য Epi-Ready প্রস্তুত করা যেতে পারেউচ্চ মানের একক স্ফটিক গ্যালিয়াম ফসফাইড গ্যাপি ওয়েফার পি-টাইপ,ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (এসসি) কর্পোরেশনে এন-টাইপ বা নন-ডোপড পরিবাহিতা 2 ′′ এবং 3 ′′ (50 মিমি) আকারে দেওয়া যেতে পারে, 75 মিমি ব্যাসার্ধ), দৃষ্টিভঙ্গি <100>, <111> কাটিয়া, পোলিশ বা ইপি-প্রস্তুত প্রক্রিয়া পৃষ্ঠ সমাপ্তির সাথে।
বৈশিষ্ট্যঃ
- নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আলোর জন্য উপযুক্ত বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ।
- GaP ওয়েফার চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য যা বিভিন্ন রঙের LED উত্পাদন সক্ষম করে।
- এলইডিগুলির জন্য লাল, হলুদ এবং সবুজ আলো তৈরিতে উচ্চ দক্ষতা।
- নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যে উচ্চতর আলোর শোষণ ক্ষমতা।
- ভাল বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিকে সহজতর করে।
- GaP Wafer নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা জন্য উপযুক্ত তাপ স্থিতিশীলতা।
- রাসায়নিক স্থিতিশীলতা অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়া জন্য উপযুক্ত।
- GaP Wafer অতিরিক্ত স্তরগুলির epitaxial বৃদ্ধির জন্য অনুকূল গ্রিড পরামিতি।
- সেমিকন্ডাক্টর জমা করার জন্য একটি স্তর হিসেবে কাজ করার ক্ষমতা।
- গ্যাপি ওয়েফার উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সহ শক্ত উপাদান।
- ফোটোডিটেক্টরের জন্য চমৎকার অপটোইলেকট্রনিক ক্ষমতা।
- নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ব্যাপ্তির জন্য অপটিক্যাল ডিভাইস ডিজাইনের বহুমুখিতা।
- গ্যাপ ওয়েফার সৌর কোষগুলিতে আলোর শোষণের জন্য সম্ভাব্য প্রয়োগ।
- গুণমানের সেমিকন্ডাক্টর বৃদ্ধির জন্য তুলনামূলকভাবে মিলিত গ্রিটস কাঠামো।
- এর অপটিক্যাল এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে এলইডি, লেজার ডায়োড এবং ফোটোডিটেক্টর উত্পাদনে অপরিহার্য ভূমিকা।
টেকনিক্যাল প্যারামিটারঃ
প্যারামিটার | মূল্য |
---|---|
বৃদ্ধি পদ্ধতি | এলইসি |
BOW | ম্যাক্স:10 |
ব্যাসার্ধ | 50.6±0.3 মিমি |
কণার সংখ্যা | N/A |
ওরিয়েন্টেশন অ্যাঙ্গেল | N/A |
TTV/TIR | ম্যাক্স:10 |
ডোপ্যান্ট | এস |
লেজার মার্কিং | N/A |
নির্দেশনা | (111)A 0°±0.2 |
গতিশীলতা | মিনিটঃ100 |
সেমিকন্ডাক্টর উপাদান | সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট |
পৃষ্ঠের অক্সিডেশন | অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার |
অ্যাপ্লিকেশনঃ
- লাল, হলুদ এবং সবুজ আলো উৎপাদনের জন্য GaP Wafer LED উত্পাদন।
- বিভিন্ন অপটিক্যাল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য GaP ওয়েফার লেজার ডায়োড তৈরি।
- নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ব্যাপ্তির জন্য GaP Wafer Photodetector উন্নয়ন।
- গ্যাপি ওয়েফার অপটোইলেকট্রনিক সেন্সর এবং হালকা সেন্সর ব্যবহার।
- গ্যাপ ওয়েফার সৌর কোষের সংহতকরণ কাস্টমাইজড আলোর বর্ণালী শোষণের জন্য।
- GaP Wafer ডিসপ্লে প্যানেল এবং নির্দেশক আলো উৎপাদন।
- GaP Wafer উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসের অবদান।
- বিভিন্ন তরঙ্গদৈর্ঘ্যের জন্য অপটিক্যাল ডিভাইসের গ্যাপি ওয়েফার গঠন।
- টেলিযোগাযোগ এবং অপটিক্যাল যোগাযোগ ব্যবস্থায় GaP Wafer ব্যবহার।
- সিগন্যাল প্রসেসিংয়ের জন্য ফোটনিক ডিভাইসের উন্নয়ন।
- ইনফ্রারেড (আইআর) এবং আল্ট্রাভায়োলেট (ইউভি) সেন্সরগুলিতে গ্যাপ ওয়েফার অন্তর্ভুক্তি।
- বায়োমেডিক্যাল এবং পরিবেশগত সেন্সিং ডিভাইসে GaP Wafer বাস্তবায়ন।
- সামরিক ও এয়ারস্পেস অপটিক্যাল সিস্টেমে GaP ওয়েফার অ্যাপ্লিকেশন।
- স্পেকট্রোস্কোপি এবং বিশ্লেষণাত্মক যন্ত্রপাতিতে GaP ওয়েফার ইন্টিগ্রেশন।
- নতুন প্রযুক্তির জন্য গবেষণা ও উন্নয়নে GaP Wafer ব্যবহার।
কাস্টমাইজেশনঃ
ব্র্যান্ড নামঃ ZMSH
মডেল নম্বরঃ GaP ওয়েফার
উৎপত্তিস্থল: চীন
TTV/TIR: সর্বোচ্চঃ10
ম্যাক্স:10
OF অবস্থান/দৈর্ঘ্যঃ EJ[0-1-1]/ 16±1mm
গতিশীলতাঃ মিনিটঃ100
প্রতিরোধ ক্ষমতাঃ মিনিটঃ0.01 ম্যাক্সঃ0.5 Ω.cm
বৈশিষ্ট্যঃ
• পাতলা ফিল্ম প্রযুক্তি ব্যবহার করে
• সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার
• ইলেক্ট্রো-অক্সিডেশন
• কাস্টমাইজড সেবা
সহায়তা ও সেবা:
আমরা আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট পণ্যগুলির জন্য বিস্তৃত প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা সরবরাহ করি। আমাদের বিশেষজ্ঞদের দল আপনার প্রয়োজনের জন্য সর্বোত্তম সমাধান সরবরাহ করতে উপলব্ধ।
আপনি পণ্য নির্বাচন, ইনস্টলেশন, পরীক্ষা, বা অন্য কোন প্রযুক্তিগত সমস্যা সম্পর্কে পরামর্শ প্রয়োজন কিনা, আমরা সাহায্য করার জন্য এখানে আছি। আমরা বিভিন্ন সেবা প্রদান, সহঃ
- পণ্য নির্বাচন এবং মূল্যায়ন
- ইনস্টলেশন এবং পরীক্ষা
- সমস্যা সমাধান এবং সমস্যা সমাধান
- পারফরম্যান্স অপ্টিমাইজেশন
- পণ্য প্রশিক্ষণ ও শিক্ষা
আমাদের অভিজ্ঞ প্রকৌশলী এবং প্রযুক্তিবিদদের দল আপনার যেকোনো প্রশ্নের উত্তর দিতে এবং সর্বোত্তম প্রযুক্তিগত পরামর্শ এবং সহায়তা প্রদানের জন্য উপলব্ধ।আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন এবং আপনার প্রয়োজনের জন্য সর্বোত্তম সমাধান খুঁজে পেতে আমাদের সহায়তা করুন.