ব্র্যান্ডের নাম: | ZMSH |
মডেল নম্বর: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
MOQ.: | 5 |
অর্থ প্রদানের শর্তাবলী: | টি/টি, |
SiO2 ওয়েফার থার্মাল অক্সাইড লভার বেধ 20um+5% MEMS অপটিক্যাল কমিউনিকেশন সিস্টেম
SIO2 সিলিকন ডাই অক্সাইড ওয়েফার অর্ধপরিবাহী উত্পাদন একটি মৌলিক উপাদান হিসাবে কাজ করে।এই গুরুত্বপূর্ণ স্তর 6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি ব্যাসার্ধ পাওয়া যায়, বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বহুমুখিতা নিশ্চিত করে। প্রাথমিকভাবে, এটি একটি অপরিহার্য নিরোধক স্তর হিসাবে কাজ করে, উচ্চ dielectric শক্তি প্রদান করে মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স একটি কেন্দ্রীয় ভূমিকা পালন করে।এর বিচ্ছিন্নতা সূচক, প্রায় 1.4458 1550nm এ, বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন জুড়ে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
এই ওয়েফারটি তার অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতার জন্য বিখ্যাত, এটি অপটিক্যাল ডিভাইস, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং মাইক্রো ইলেকট্রনিক্সের জন্য আদর্শ পছন্দ।এর বৈশিষ্ট্যগুলি সুনির্দিষ্ট ডিভাইস উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিকে সহজ করে তোলে এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতিকে সমর্থন করেসেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে এর মৌলিক ভূমিকা ছাড়াও, এটি তার নির্ভরযোগ্যতা এবং কার্যকারিতাকে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে প্রসারিত করে, স্থিতিশীলতা এবং দক্ষতা নিশ্চিত করে।
এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে, SIO2 সিলিকন ডাই অক্সাইড ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তিতে উদ্ভাবন চালিয়ে যাচ্ছে, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট,অপটোইলেকট্রনিক্স, এবং সেন্সর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে এর অবদানগুলি সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের ক্ষেত্রে একটি ভিত্তি উপাদান হিসাবে এর গুরুত্বকে তুলে ধরে।
প্যারামিটার | স্পেসিফিকেশন |
বেধ | ২০ মিমি, ১০ মিমি, ২৫ মিমি |
ঘনত্ব | ২৫৩৩ কেজি/মি-৩ |
অক্সাইড বেধের অনুমোদন | +/- ৫% (উভয় পক্ষ) |
অ্যাপ্লিকেশন এলাকা | সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ডিভাইস ইত্যাদি। |
গলনাঙ্ক | 1,600°C (2,912°F) |
তাপ পরিবাহিতা | প্রায় ১.৪ ওয়াট/এম কে) @ ৩০০ কে |
প্রতিচ্ছবি সূচক | প্রায় ১ জন।44 |
আণবিক ওজন | 60.09 |
সম্প্রসারণ সহগ | 0.5 × 10^-6/°C |
প্রতিচ্ছবি সূচক | ৫৫০ এনএম ১.৪৪৫৮ ± ০0001 |
অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার | অ্যাপ্লিকেশন |
পৃষ্ঠের অক্সিডেশন | অতি পাতলা ওয়েফার |
তাপ পরিবাহিতা | প্রায় ১.৪ ওয়াট/এম কে) @ ৩০০ কে |
ব্র্যান্ড নামঃZMSH
মডেল নম্বরঃঅতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার
উৎপত্তিস্থল:চীন
আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটটি উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, পৃষ্ঠের অক্সিডেশন এবং অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারের সাথে ডিজাইন করা হয়েছে। এর তাপ পরিবাহিতা প্রায় 1.4 W/(m·K) @ 300K এবং গলনাঙ্ক 1,600°C (2,912°F). ফুটন্ত বিন্দু 2,230°C (4,046°F) এবং দৃষ্টিভঙ্গি <100><11><110>। এই স্তরটির আণবিক ওজন 60।09.
আমরা আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট পণ্যের জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা প্রদান করি। আমাদের বিশেষজ্ঞদের দল পণ্য এবং এর বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে আপনার যে কোনও প্রশ্নের উত্তর দিতে উপলব্ধ।আমরা পণ্যটি ব্যবহারের সময় আপনার যে কোন সমস্যার সমাধান করতে সহায়তা করতে পারিআমরা যারা এটির প্রয়োজন তাদের জন্য দূরবর্তী সহায়তাও সরবরাহ করি। আমাদের সহায়তা দল স্বাভাবিক ব্যবসায়িক সময়কালে উপলব্ধ, এবং আমরা ফোন, ইমেল, বা আমাদের ওয়েবসাইটের মাধ্যমে পৌঁছাতে পারি।
সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ