 |
2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি আনডোপড গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার সেমি ইনসুলেটিং গাএএস সাবস্ট্রেট এলইডি জন্য
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | zmkj |
| মডেল নম্বার: | 4 ইঞ্চি সেমি |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 5pcs |
|---|---|
| মূল্য: | by case |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | এন 2 এর অধীনে 6 "প্লাস্টিক বক্সে প্যাক করা একক ওয়েফার |
| ডেলিভারি সময়: | 2-4weeks |
| পরিশোধের শর্ত: | T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, MoneyGram |
| যোগানের ক্ষমতা: | প্রতি মাসে 500pcs |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উপাদান: | GaAs একক স্ফটিক | আয়তন: | 4inch |
|---|---|---|---|
| বেধ: | 625um বা কাস্টমাইজড | অফ টাইপ: | ফ্ল্যাট |
| ঝোঁক: | （100） 2 ° ছাড় | পৃষ্ঠতল: | ডিএসপি |
| বৃদ্ধি পদ্ধতি: | vFG | ||
| লক্ষণীয় করা: | ওয়েফার স্তর,সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
2 ইঞ্চি /3 ইঞ্চি /4 ইঞ্চি /6 ইঞ্চি এসসিএন টাইপ /সেমি-ইনসুলেশন /সি-ডোপড গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs ওয়েফার
পণ্যের বর্ণনা
আমাদের 2 "থেকে 6" সেমি-কন্ডাক্টিং এবং আধা-অন্তরক GaAs ক্রিস্টাল এবং ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট অ্যাপ্লিকেশন এবং এলইডি জেনারেল লাইটিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা হয়।
| বৈশিষ্ট্য | অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্র |
|---|---|
| উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা | হালকা emitting ডায়োড |
| উচ্চ তরঙ্গ | লেজার ডায়োড |
| উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা | ফোটোভোলটাইক ডিভাইস |
| কম শক্তি খরচ | উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর |
| সরাসরি ব্যান্ড ফাঁক | Heterojunction বাইপোলার ট্রানজিস্টর |
আধা-পরিচালিত GaAs ওয়েফারের বিশেষ উল্লেখ
বৃদ্ধি পদ্ধতি | ভিজিএফ | |||
দোপান্ত | p- টাইপ: Zn | n- টাইপ: Si | ||
ওয়েফার শেপ | গোল (ডায়া: 2 ", 3", 4 ", 6") | |||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন * | (100) ± 0.5 | |||
* অন্যান্য ওরিয়েন্টেশন অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ | ||||
দোপান্ত | সি (এন-টাইপ) | জেডএন (পি-টাইপ) | ||
ক্যারিয়ার কনসেন্ট্রেশন (সেমি-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
গতিশীলতা (সেমি 2/ভিএস) | (1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
ইচ পিচ ঘনত্ব (সেমি 2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
ওয়েফার ব্যাস (মিমি) | 50.8 ± 0.3 | 76.2 ± 0.3 | 100 ± 0.3 | |
বেধ (µm) | 350 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | |
টিটিভি [পি/পি] (µ মি) | 4 | 4 | 4 | |
টিটিভি [পি/ই] (µ মি) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
OF (মিমি) | 17 ± 1 | 22 ± 1 | 32.5 1 | |
OF / IF (মিমি) | 7 ± 1 | 12 ± 1 | 18 ± 1 | |
পোলিশ* | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, | |
আধা-অন্তরক GaAs ওয়েফারের বিশেষ উল্লেখ
বৃদ্ধি পদ্ধতি | ভিজিএফ | |||
দোপান্ত | এসআই প্রকার: কার্বন | |||
ওয়েফার শেপ | গোল (DIA: 2 ", 3", 4 ", 6") | |||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন * | (100) ± 0.5 | |||
* অন্যান্য ওরিয়েন্টেশন অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ | ||||
প্রতিরোধ ক্ষমতা (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
গতিশীলতা (সেমি 2/ভিএস) | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 | ||
ইচ পিচ ঘনত্ব (সেমি 2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
ওয়েফার ব্যাস (মিমি) | 50.8 ± 0.3 | 76.2 ± 0.3 | 100 ± 0.3 | 150 ± 0.3 |
বেধ (µm) | 350 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 675 25 |
টিটিভি [পি/পি] (µ মি) | 4 | 4 | 4 | 4 |
টিটিভি [পি/ই] (µ মি) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | 15 |
OF (মিমি) | 17 ± 1 | 22 ± 1 | 32.5 1 | NOTCH |
OF / IF (মিমি) | 7 ± 1 | 12 ± 1 | 18 ± 1 | এন / এ |
পোলিশ* | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, | ই/ই, |
FAQ -
প্রশ্ন: আপনি সরবরাহ এবং ব্যয় সরবরাহ করতে পারেন কি?
(1) আমরা ডিএইচএল, ফেডেক্স, টিএনটি, ইউপিএস, ইএমএস, এসএফ এবং ইত্যাদি গ্রহণ করি
(২) আপনার নিজস্ব এক্সপ্রেস নম্বর থাকলে এটি দুর্দান্ত।
যদি তা না হয় তবে আমরা আপনাকে সরবরাহ করতে সহায়তা করতে পারি।ফ্রেইট = ইউএসডি 25.0 (প্রথম ওজন) + ইউএসডি 12.0 / কেজি
প্রশ্ন: কিভাবে প্রদান করবেন?
টি / টি, পেপাল, ওয়েস্ট ইউনিয়ন, মানিগ্রাম, নিরাপদ অর্থ প্রদান এবং আলিবাবার উপর বাণিজ্য নিশ্চয়তা এবং ইত্যাদি
প্রশ্ন: MOQ কি?
(1) ইনভেন্টরির জন্য, এমওকিউটি 5 পিসি।
(2) কাস্টমাইজড পণ্যগুলির জন্য, এমওকিউটি 5 পিসি -20 পিসি।
এটি পরিমাণ এবং প্রযুক্তিগুলির উপর নির্ভর করে
প্রশ্ন: আপনার কাছে কি সামগ্রীর জন্য পরিদর্শন প্রতিবেদন আছে?
আমরা আমাদের পণ্যগুলির জন্য বিশদ প্রতিবেদন সরবরাহ করতে পারি।
প্যাকেজিং - লজিস্টিস
আমরা প্যাকেজ, পরিষ্কার, অ্যান্টি-স্ট্যাটিক, শক ট্রিটের প্রতিটি বিবরণ উদ্বেগ করি।পণ্যের পরিমাণ এবং আকার অনুযায়ী,
আমরা একটি ভিন্ন প্যাকেজিং প্রক্রিয়া গ্রহণ করব!