|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| স্ফুটনাঙ্ক: | 2,230° C (4,046° F) | হাসে: | O=[Si]=O |
|---|---|---|---|
| অক্সাইড বেধের অনুমোদন: | +/- ৫% (উভয় পক্ষ) | প্রতিসরাঙ্ক: | প্রায় ১ জন।44 |
| তাপ পরিবাহিতা: | প্রায় 1.4 W/(m·K) @ 300K | আণবিক ভর: | 60.09 |
| আবেদন এলাকা: | সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ডিভাইস ইত্যাদি। | প্রতিসরাঙ্ক: | ৫৫০ এনএম ১.৪৪৫৮ ± ০0001 |
| লক্ষণীয় করা: | অপটিক্যাল কমিউনিকেশন সিস্টেম সিলিকন ডাই অক্সাইড ওয়েফার,তাপীয় অক্সাইড স্তর SiO2 ওয়েফার,20um SiO2 ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
SiO2 ওয়েফার থার্মাল অক্সাইড লভার বেধ 20um+5% MEMS অপটিক্যাল কমিউনিকেশন সিস্টেম
পণ্যের বর্ণনাঃ
SIO2 সিলিকন ডাই অক্সাইড ওয়েফার অর্ধপরিবাহী উত্পাদন একটি মৌলিক উপাদান হিসাবে কাজ করে।এই গুরুত্বপূর্ণ স্তর 6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি ব্যাসার্ধ পাওয়া যায়, বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বহুমুখিতা নিশ্চিত করে। প্রাথমিকভাবে, এটি একটি অপরিহার্য নিরোধক স্তর হিসাবে কাজ করে, উচ্চ dielectric শক্তি প্রদান করে মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স একটি কেন্দ্রীয় ভূমিকা পালন করে।এর বিচ্ছিন্নতা সূচক, প্রায় 1.4458 1550nm এ, বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন জুড়ে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
এই ওয়েফারটি তার অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতার জন্য বিখ্যাত, এটি অপটিক্যাল ডিভাইস, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং মাইক্রো ইলেকট্রনিক্সের জন্য আদর্শ পছন্দ।এর বৈশিষ্ট্যগুলি সুনির্দিষ্ট ডিভাইস উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিকে সহজ করে তোলে এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতিকে সমর্থন করেসেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে এর মৌলিক ভূমিকা ছাড়াও, এটি তার নির্ভরযোগ্যতা এবং কার্যকারিতাকে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে প্রসারিত করে, স্থিতিশীলতা এবং দক্ষতা নিশ্চিত করে।
এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে, SIO2 সিলিকন ডাই অক্সাইড ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তিতে উদ্ভাবন চালিয়ে যাচ্ছে, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট,অপটোইলেকট্রনিক্স, এবং সেন্সর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে এর অবদানগুলি সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের ক্ষেত্রে একটি ভিত্তি উপাদান হিসাবে এর গুরুত্বকে তুলে ধরে।
বৈশিষ্ট্যঃ
- পণ্যের নামঃ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট
- প্রতিচ্ছবি সূচকঃ 550nm 1.4458 ± 0.0001
- উষ্ণতাঃ ২,২৩০° সেলসিয়াস (৪,০৪৬° ফারেনহাইট)
- অ্যাপ্লিকেশন এলাকাঃ সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ডিভাইস ইত্যাদি।
- বেধঃ 20um,10um-25um
- আণবিক ওজনঃ ৬০.09
- সেমিকন্ডাক্টর উপাদানঃ হ্যাঁ
- Substrate উপাদানঃ হ্যাঁ
- অ্যাপ্লিকেশনঃ সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন, মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ডিভাইস ইত্যাদি।
টেকনিক্যাল প্যারামিটারঃ
| প্যারামিটার | স্পেসিফিকেশন |
| বেধ | ২০ মিমি, ১০ মিমি, ২৫ মিমি |
| ঘনত্ব | ২৫৩৩ কেজি/মি-৩ |
| অক্সাইড বেধের অনুমোদন | +/- ৫% (উভয় পক্ষ) |
| অ্যাপ্লিকেশন এলাকা | সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, মাইক্রো ইলেকট্রনিক্স, অপটিক্যাল ডিভাইস ইত্যাদি। |
| গলনাঙ্ক | 1,600°C (2,912°F) |
| তাপ পরিবাহিতা | প্রায় ১.৪ ওয়াট/এম কে) @ ৩০০ কে |
| প্রতিচ্ছবি সূচক | প্রায় ১ জন।44 |
| আণবিক ওজন | 60.09 |
| সম্প্রসারণ সহগ | 0.5 × 10^-6/°C |
| প্রতিচ্ছবি সূচক | ৫৫০ এনএম ১.৪৪৫৮ ± ০0001 |
| অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার | অ্যাপ্লিকেশন |
| পৃষ্ঠের অক্সিডেশন | অতি পাতলা ওয়েফার |
| তাপ পরিবাহিতা | প্রায় ১.৪ ওয়াট/এম কে) @ ৩০০ কে |
অ্যাপ্লিকেশনঃ
- পাতলা-ফিল্ম ট্রানজিস্টর:টিএফটি ডিভাইস উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়।
- সোলার সেল:ফোটোভোলটাইক প্রযুক্তিতে সাবস্ট্রেট বা বিচ্ছিন্ন স্তর হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- এমইএমএস (মাইক্রো-ইলেক্ট্রো-মেকানিক্যাল সিস্টেম):এমইএমএস ডিভাইসের বিকাশের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
- রাসায়নিক সেন্সর:সংবেদনশীল রাসায়নিক সনাক্তকরণের জন্য ব্যবহৃত হয়।
- বায়োমেডিক্যাল ডিভাইস:বিভিন্ন জৈব-চিকিত্সা ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়।
- ফোটোভোলটাইকঃশক্তি রূপান্তরের জন্য সৌর কোষ প্রযুক্তি সমর্থন করে।
- সারফেস প্যাসিভেশনঃঅর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠের সুরক্ষায় সহায়ক।
- ওয়েভগাইডঃঅপটিক্যাল কমিউনিকেশন এবং ফোটনিক্সে ব্যবহৃত হয়।
- অপটিক্যাল ফাইবার:অপটিক্যাল কমিউনিকেশন সিস্টেমে সংহত।
- গ্যাস সেন্সর:গ্যাস সনাক্তকরণ এবং বিশ্লেষণের জন্য নিযুক্ত।
- ন্যানো স্ট্রাকচারঃন্যানোস্ট্রাকচার বিকাশের জন্য একটি স্তর হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
- ক্যাপাসিটর:বিভিন্ন বৈদ্যুতিক অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়।
- ডিএনএ সিকোয়েন্সিং:জেনেটিক গবেষণায় অ্যাপ্লিকেশন সমর্থন করে।
- বায়োসেন্সর:জৈবিক ও রাসায়নিক বিশ্লেষণের জন্য ব্যবহৃত হয়।
- মাইক্রোফ্লুইডিক্স:মাইক্রোফ্লুইডিক ডিভাইস তৈরিতে অবিচ্ছেদ্য।
- আলোক নির্গত ডায়োড (LED):বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে LED প্রযুক্তি সমর্থন করে।
- মাইক্রোপ্রসেসর:মাইক্রোপ্রসেসর ডিভাইস উৎপাদনের জন্য প্রয়োজনীয়।
কাস্টমাইজেশনঃ
ব্র্যান্ড নামঃZMSH
মডেল নম্বরঃঅতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার
উৎপত্তিস্থল:চীন
আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটটি উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, পৃষ্ঠের অক্সিডেশন এবং অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারের সাথে ডিজাইন করা হয়েছে। এর তাপ পরিবাহিতা প্রায় 1.4 W/(m·K) @ 300K এবং গলনাঙ্ক 1,600°C (2,912°F). ফুটন্ত বিন্দু 2,230°C (4,046°F) এবং দৃষ্টিভঙ্গি <100><11><110>। এই স্তরটির আণবিক ওজন 60।09.
সহায়তা ও সেবা:
আমরা আমাদের সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট পণ্যের জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা প্রদান করি। আমাদের বিশেষজ্ঞদের দল পণ্য এবং এর বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে আপনার যে কোনও প্রশ্নের উত্তর দিতে উপলব্ধ।আমরা পণ্যটি ব্যবহারের সময় আপনার যে কোন সমস্যার সমাধান করতে সহায়তা করতে পারিআমরা যারা এটির প্রয়োজন তাদের জন্য দূরবর্তী সহায়তাও সরবরাহ করি। আমাদের সহায়তা দল স্বাভাবিক ব্যবসায়িক সময়কালে উপলব্ধ, এবং আমরা ফোন, ইমেল, বা আমাদের ওয়েবসাইটের মাধ্যমে পৌঁছাতে পারি।
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
- প্যাকেজযুক্ত পণ্যগুলি সাবধানতার সাথে পরিচালনা করা উচিত। যতবার সম্ভব বুদবুদ আবরণ বা ফোমের মতো একটি প্রতিরক্ষামূলক আবরণ ব্যবহার করুন।
- যদি সম্ভব হয়, একাধিক স্তর সুরক্ষা আবরণ ব্যবহার করুন।
- প্যাকেজটিতে এর বিষয়বস্তু এবং গন্তব্য চিহ্নিত করুন।
- উপযুক্ত শিপিং পরিষেবা ব্যবহার করে প্যাকেজটি প্রেরণ করুন। ট্র্যাকিং ক্ষমতা সহ একটি পরিষেবা ব্যবহার করার বিষয়ে বিবেচনা করুন।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
- প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের ব্র্যান্ড নাম কি?
- উঃ ব্র্যান্ড নাম ZMSH।
- প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের মডেল নম্বর কি?
- উত্তরঃ মডেল নম্বর হল অতি ঘন সিলিকন অক্সাইড ওয়েফার।
- প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট কোথায় তৈরি হয়?
- উঃ এটা চীনে তৈরি।
- প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের উদ্দেশ্য কি?
- উঃ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, মাইক্রো ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল সিস্টেম এবং অন্যান্য মাইক্রোস্ট্রাকচার তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
- প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের বৈশিষ্ট্য কী?
- উঃ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্র্যাটের বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে নিম্ন তাপীয় প্রসারণ সহগ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি এবং দুর্দান্ত তাপমাত্রা প্রতিরোধের অন্তর্ভুক্ত।