আল্ট্রা-হাই ভোল্টেজ MOSFETs (100–500 µm, 6 ইঞ্চি) এর জন্য 4H-SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার

অন্যান্য ভিডিও

September 02, 2025

বিভাগ সংযোগ: সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

চ্যাট আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন

ট্যাগ:

#সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট #সিক ওয়েফার #নীলকান্তমণি wafers

সংক্ষিপ্ত: Discover our 4H-SiC Epitaxial Wafers, engineered for ultra-high voltage MOSFETs (100–500 μm, 6 inch). Perfect for electric vehicles, smart grids, and renewable energy, these wafers offer superior thermal properties and customizable parameters for next-gen power electronics.

সম্পর্কিত পণ্য বৈশিষ্ট্য:

Ultra-high voltage capability with thick epitaxial layers (100-500 μm) for kV-class breakdown voltages.
Outstanding crystal quality with low defect density, ensuring device reliability.
6-inch wafers support high-volume manufacturing and reduce cost per device.
Superior thermal properties for efficient operation under high power and temperature conditions.
Customizable thickness, doping concentration, and surface finish for specific MOSFET designs.
Produced using state-of-the-art Chemical Vapor Deposition (CVD) epitaxial growth technology.
Uniform doping and smooth surfaces with thickness control up to 500 μm.
Ideal for electric vehicle traction inverters, smart grid systems, and renewable energy applications.

সাধারণ জিজ্ঞাস্য:

What is the conductivity type of your SiC epitaxial wafers?

Our wafers are N-type, doped with nitrogen, which is the standard choice for MOSFET and other power device applications.
What thicknesses are available for the epitaxial layer?

We provide 100-500 μm epitaxial thickness, with standard offerings at 100 μm, 200 μm, and 300 μm. Custom thicknesses can also be produced upon request.
What is the crystal orientation and off-axis angle?

The wafers are oriented on the (0001) Si-face, with an off-axis angle of 4° ± 0.5°, typically toward the [11-20] direction.

আল্ট্রা-হাই ভোল্টেজ MOSFETs (100–500 µm, 6 ইঞ্চি) এর জন্য 4H-SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার

আল্ট্রা-হাই ভোল্টেজ MOSFETs (100–500 µm, 6 ইঞ্চি) এর জন্য 4H-SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার

অর্ধ-পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেট, অগমেন্টেড রিয়েলিটি (AR) গ্লাসের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা

সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) 10×10 মিমি সাবস্ট্র্যাট / ছোট স্কয়ার চিপ

এআর চশমার জন্য উচ্চ-বিশুদ্ধতা সম্পন্ন অর্ধ-পরিবাহী SiC ওয়েফার

সিসি-অন-ইনসুলেটর সিসিওআই সাবস্ট্র্যাট উচ্চ তাপ পরিবাহিতা প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ

নীলা টিউব সুরক্ষা অপটিক্যাল লেজার উচ্চ-চাপ উচ্চ-তাপমাত্রা

১-ইঞ্চি ক্যাসেট ওয়েফার বক্স SIC স্যাফায়ার Si ওয়েফার-এর জন্য

একক ক্রিস্টাল স্যাফায়ার টিউব এবং রডগুলি সূক্ষ্ম স্থল এবং পালিশ করা পৃষ্ঠ

নির্ভুলতা সম্পন্ন হীরক তারের করাত কাটিং মেশিন স্থিতিশীল টেনশন নিয়ন্ত্রণ

SiC এপিটেক্সিয়াল ওয়েফার

4 ইঞ্চি কাস্টমাইজড এ অক্ষ সাফায়ার ওয়েফারস জন্য Epitaxial বৃদ্ধি 430um এসএসপি ডিএসপি

Yttrium অ্যালুমিনিয়াম গারনেট ওয়েফার YAG ইনগটস Er:YAG Ce:YAG Nd:YAG Yb:YAG

শ্যাম্পেনের মোসানাইট

রুবি বিয়ারিং

সাফাইর ক্যাপিলারি টিউব উচ্চ নির্ভুলতা খালি মাইক্রোস্ট্রাকচার উত্পাদিত