ওয়েফার বন্ডিং

সংক্ষিপ্ত: Discover the advanced Wafer Bonder Equipment designed for high-precision bonding of silicon carbide (SiC) wafers. This equipment supports room temperature and hydrophilic bonding for 4, 6, 8, and 12-inch wafers, ideal for SiC-Si and SiC-SiC applications. Perfect for power semiconductor manufacturing and research.
সম্পর্কিত পণ্য বৈশিষ্ট্য:
  • সিআইসি ওয়েফারের জন্য রুম তাপমাত্রা এবং হাইড্রোফিলিক বন্ডিং কৌশল সমর্থন করে।
  • Compatible with 4-inch, 6-inch, 8-inch, and 12-inch wafer sizes.
  • High-accuracy optical alignment system with ≤ ±1 µm precision.
  • Adjustable bonding pressure from 0-5 MPa for optimal results.
  • Temperature range from room temp up to 400°C for pre/post treatment.
  • High vacuum chamber ensures particle-free bonding environment.
  • Touchscreen interface with programmable recipes for easy operation.
  • Optional automatic wafer loading/unloading for high-throughput production.
সাধারণ জিজ্ঞাস্য:
  • What's the main advantage of bonding SiC at room temperature?
    It avoids thermal stress and material deformation, crucial for brittle or mismatched thermal expansion substrates like SiC.
  • Can this equipment be used for temporary bonding?
    While this unit specializes in permanent bonding, a variant with temporary bonding functionality is available upon request.
  • How do you ensure alignment for high-precision wafers?
    The system uses optical alignment with sub-micron resolution and auto-correction algorithms.
সংশ্লিষ্ট ভিডিও

SiC এপিটেক্সিয়াল ওয়েফার

অন্যান্য ভিডিও
June 24, 2025

শ্যাম্পেনের মোসানাইট

অন্যান্য ভিডিও
December 16, 2024

রুবি বিয়ারিং

অন্যান্য ভিডিও
August 27, 2025