|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| আকার (ইঞ্চি): | 3” | বেধ (μm): | 600± 25 |
|---|---|---|---|
| ডোপান্ট: | লোহা (N প্রকার) | পোলিশ: | একক দিক |
| গতিশীলতা: | (1.5-3.5)E3 | ওরিয়েন্টেশন: | 111 |
| ইপিডি: | ≤5000 | বৃদ্ধির পদ্ধতি: | ভিজিএফ |
| IF দৈর্ঘ্য: | 11±1 | ||
| লক্ষণীয় করা: | ভিজিএফ বৃদ্ধি পদ্ধতি ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্র্যাট,১১১১১০ দৃষ্টিভঙ্গি ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্র্যাট,এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্র্যাট |
||
পণ্যের বর্ণনা
3 ইঞ্চি ইনপি ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্র্যাট এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ভিজিএফ বৃদ্ধির পদ্ধতি 000 001 দৃষ্টিভঙ্গি
পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ
আমাদের ইনপি (ইন্ডিয়াম ফসফাইড) পণ্যগুলি টেলিযোগাযোগ, অপটোইলেকট্রনিক্স এবং অর্ধপরিবাহী শিল্পে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-কার্যকারিতা সমাধান সরবরাহ করে।উচ্চতর অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য সহ, আমাদের InP উপকরণ উন্নত ফোটনিক ডিভাইস, লেজার, photodetectors, এবং অপটিক্যাল amplifiers সহ উন্নয়ন সম্ভব।অথবা কাস্টম ডিজাইন করা উপাদান, আমাদের ইনপি পণ্যগুলি আপনার চাহিদাপূর্ণ ফোটনিক্স প্রকল্পগুলির জন্য নির্ভরযোগ্যতা, দক্ষতা এবং নির্ভুলতা সরবরাহ করে।
পণ্যের প্রদর্শনী
পণ্যের বৈশিষ্ট্য
-
উচ্চ অপটিক্যাল স্বচ্ছতাঃ ইনপি ইনফ্রারেড অঞ্চলে চমৎকার অপটিক্যাল স্বচ্ছতা প্রদর্শন করে, যা এটি বিভিন্ন অপটোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
-
ডাইরেক্ট ব্যান্ডগ্যাপঃ ইনপি এর ডাইরেক্ট ব্যান্ডগ্যাপ প্রকৃতি কার্যকর আলোর নির্গমন এবং শোষণের অনুমতি দেয়, এটি অর্ধপরিবাহী লেজার এবং ফটোডেটেক্টরগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
-
উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতাঃ ইনপি উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা প্রদান করে, দ্রুত চার্জ ক্যারিয়ার পরিবহন এবং উচ্চ গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিকে সহজতর করে।
-
নিম্ন তাপ পরিবাহিতাঃ ইনপি এর নিম্ন তাপ পরিবাহিতা দক্ষ তাপ অপসারণে সহায়তা করে, এটি উচ্চ-শক্তির অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
-
রাসায়নিক স্থিতিশীলতাঃ ইনপি ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, এমনকি কঠোর অপারেটিং পরিবেশে দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।
-
III-V কম্পাউন্ড সেমিকন্ডাক্টরগুলির সাথে সামঞ্জস্যঃ InP অন্যান্য III-V কম্পাউন্ড সেমিকন্ডাক্টরগুলির সাথে নির্বিঘ্নে সংহত করা যেতে পারে,জটিল হেটারোস্ট্রাকচার এবং মাল্টিফাংশনাল ডিভাইসের বিকাশের অনুমতি দেয়.
-
Tailorable Bandgap: ইনপি এর ব্যান্ডগ্যাপটি ফসফরাস রচনা সামঞ্জস্য করে ডিজাইন করা যেতে পারে, যা নির্দিষ্ট অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যযুক্ত ডিভাইসগুলির নকশা সক্ষম করে।
-
হাই ব্রেকডাউন ভোল্টেজঃ ইনপি উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ প্রদর্শন করে, উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ডিভাইসগুলির স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।
-
নিম্ন ত্রুটি ঘনত্বঃ ইনপি সাবস্ট্র্যাট এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির সাধারণত কম ত্রুটি ঘনত্ব থাকে, যা উচ্চ ডিভাইস কর্মক্ষমতা এবং ফলনকে অবদান রাখে।
-
পরিবেশগত সামঞ্জস্যঃ ইনপি পরিবেশ বান্ধব এবং উত্পাদন এবং অপারেশন সময় স্বাস্থ্য এবং পরিবেশের জন্য সর্বনিম্ন ঝুঁকি সৃষ্টি করে।
-
প্যারামিটার 2 ¢ এস-ডোপড ইনপি ওয়েফার 2 ̊ Fe-ডোপড InP ওয়েফার উপাদান ভিজিএফ ইনপি সিঙ্গল ক্রিস্টাল ওয়েফার ভিজিএফ ইনপি সিঙ্গল ক্রিস্টাল ওয়েফার গ্রেড এপি-রেডি এপি-রেডি ডোপ্যান্ট এস Fe কন্ডাকশন টাইপ এস-সি-এন এস-আই ওয়েফারের ব্যাসার্ধ (মিমি) 50.8±0.4 50.8±0.4 নির্দেশনা (100) o±0.5o (100) o±0.5o অবস্থান / দৈর্ঘ্য EJ [0-1-1] / 17±1 EJ [0-1-1] /17±1 IF অবস্থান / দৈর্ঘ্য EJ [0-1 1] / 7±1 EJ [0-1 1] / 7±1 ক্যারিয়ার কনস. (সেমি-৩) (1~6) E 18 1.0E7 - 5.0E8 প্রতিরোধ ক্ষমতা (Wcm) ৮-১৫ ই-৪ ≥1.0E7 গতিশীলতা (cm2/Vs) ১৩০০ ~ ১৮০০ ≥২০০০ গড় ইপিডি (সেমি-২) ≤ ৫০০ ≤ ৩০০০ বেধ (μm) ৪৭৫ ± ১৫ ৪৭৫ ± ১৫ TTV/TIR (μm) ≤15 ≤15 আউ (মাইক্রোমিটার) ≤15 ≤15 প্যাকেজ (মাইক্রোমিটার) ≤15 ≤15 কণার সংখ্যা N/A N/A উপরিভাগ সামনের দিক: পোলিশ,
কালো দিকঃ খোদাই করাসামনের দিক: পোলিশ,
কালো দিকঃ খোদাই করাওয়েফার প্যাকেজিং একটি স্পাইডার দ্বারা একটি পৃথক ট্রে মধ্যে সংযুক্ত এবং একটি স্ট্যাটিক shielding ব্যাগ মধ্যে N2 সঙ্গে সীলমোহর ওয়াফার। ক্লাস 100 পরিষ্কার রুমে প্যাকিং সম্পন্ন। একটি পৃথক ট্রে মধ্যে একটি মাকড়সা দ্বারা আবদ্ধ ওফার এবং একটি স্ট্যাটিক shielding ব্যাগ মধ্যে N2 সঙ্গে সীল। ক্লাস 100 পরিষ্কার রুমে প্যাকিং সম্পন্ন -
পণ্য অ্যাপ্লিকেশন
-
টেলিযোগাযোগ: InP-ভিত্তিক ডিভাইসগুলি উচ্চ গতির ডেটা ট্রান্সমিশনের জন্য টেলিযোগাযোগ নেটওয়ার্কগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।অপটিক্যাল ফাইবার যোগাযোগ ব্যবস্থা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির বেতার যোগাযোগ সহ.
-
ফোটনিক্সঃ ইনপি উপাদানগুলি বিভিন্ন ফোটনিক ডিভাইস যেমন টেলিযোগাযোগে ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর লেজার, ফোটোডিটেক্টর, মডুলেটর এবং অপটিক্যাল এম্প্লিফায়ারগুলির বিকাশের জন্য অপরিহার্য।সনাক্তকরণ, এবং ইমেজিং অ্যাপ্লিকেশন।
-
অপ্টোইলেকট্রনিক্সঃ ইনপি ভিত্তিক অপ্টোইলেকট্রনিক ডিভাইস, যেমন আলোক নির্গত ডায়োড (এলইডি), লেজার ডায়োড এবং সৌর কোষ, প্রদর্শন, আলো, চিকিৎসা সরঞ্জাম,এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম.
-
সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক্সঃ ইনপি সাবস্ট্র্যাট এবং ইপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলি উচ্চ-কার্যকারিতা ট্রানজিস্টর, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং রাডার সিস্টেমের জন্য মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসগুলির উত্পাদন জন্য প্ল্যাটফর্ম হিসাবে কাজ করে,স্যাটেলাইট যোগাযোগ, এবং সামরিক অ্যাপ্লিকেশন।
-
সেন্সিং এবং ইমেজিং: ইনপি ভিত্তিক ফটোডেটেক্টর এবং ইমেজিং সেন্সরগুলি স্পেকট্রোস্কোপি, লিডার, নজরদারি এবং মেডিকেল ইমেজিং সহ বিভিন্ন সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।তাদের উচ্চ সংবেদনশীলতা এবং দ্রুত প্রতিক্রিয়া সময় কারণে.
-
কোয়ান্টাম প্রযুক্তি: কোয়ান্টাম কম্পিউটিং, কোয়ান্টাম যোগাযোগ এবং কোয়ান্টাম ক্রিপ্টোগ্রাফিতে তাদের সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ইনপি কোয়ান্টাম ডট এবং কোয়ান্টাম কূপগুলি অনুসন্ধান করা হয়,সামঞ্জস্য এবং স্কেলযোগ্যতার ক্ষেত্রে সুবিধা প্রদান করে.
-
প্রতিরক্ষা ও মহাকাশঃ ইনপি ডিভাইসগুলি তাদের নির্ভরযোগ্যতা, উচ্চ-গতির অপারেশন এবং বিকিরণের কঠোরতার জন্য প্রতিরক্ষা এবং মহাকাশ ব্যবস্থায় স্থাপন করা হয়, যেমন রাডার সিস্টেম,ক্ষেপণাস্ত্র নির্দেশক, এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগ।
-
বায়োমেডিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিংঃ ইনপি ভিত্তিক অপটিক্যাল সেন্সর এবং ইমেজিং সিস্টেমগুলি অ-আক্রমণাত্মক পর্যবেক্ষণ, ইমেজিং,এবং জৈবিক নমুনার বর্ণনাকারী বিশ্লেষণ.
-
পরিবেশগত পর্যবেক্ষণঃ ইনপি ভিত্তিক সেন্সরগুলি দূষণ সনাক্তকরণ, গ্যাস সনাক্তকরণ এবং বায়ুমণ্ডলীয় পরামিতিগুলির রিমোট সেন্সিং সহ পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ব্যবহৃত হয়,পরিবেশগত স্থায়িত্বের প্রচেষ্টায় অবদান.
-
উদীয়মান প্রযুক্তিঃ ইনপি ক্রমাগত উদ্ভূত প্রযুক্তি যেমন কোয়ান্টাম তথ্য প্রক্রিয়াকরণ, সিলিকন ফোটনিক্স ইন্টিগ্রেশন এবং টেরাহার্টজ ইলেকট্রনিক্সের ক্ষেত্রে অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পাচ্ছে।কম্পিউটারের অগ্রগতি, যোগাযোগ, এবং সংবেদনশীলতা।
-