আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির সাধারণত একটি প্রতিরোধ ক্ষমতা বেশি থাকে 1×10⁷ Ω·cm এবং ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় 5G RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস এবং বেস স্টেশন উপাদান। পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির বিপরীতে, আধা-পরিবাহী সাবস্ট্রেটগুলি তাদের উচ্চ বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের কারণে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (EMI) এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয়ের প্রতি ভিন্ন প্রতিক্রিয়া দেখায়।
অতএব, আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেট উত্পাদনের জন্য ডিজাইন করা একটি ক্লিনরুমের জন্য কেবল প্রচলিত দূষণ নিয়ন্ত্রণই নয়, অতিরিক্ত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং ব্যবস্থা প্রয়োজন যাতে প্রক্রিয়া স্থিতিশীলতা এবং ডিভাইসের ফলন নিশ্চিত করা যায়।
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলি ভ্যানাডিয়াম কম্পেনসেশন ডোপিং বা অভ্যন্তরীণ ত্রুটি কম্পেনসেশন প্রক্রিয়া এর মাধ্যমে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা অর্জন করে। গভীর-স্তরের অপদ্রব্য এবং স্ফটিক ত্রুটির ঘনত্ব এবং বিতরণ সরাসরি সাবস্ট্রেট জুড়ে প্রতিরোধ ক্ষমতার অভিন্নতাকে প্রভাবিত করে।
প্রক্রিয়াকরণ এবং পরিদর্শনের সময়, সাবস্ট্রেটগুলি চারপাশের পরিবেশ দ্বারা উত্পন্ন ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সংস্পর্শে আসে। এই বাহ্যিক ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলি আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটের মধ্যে চার্জ পুনর্বণ্টন ঘটাতে পারে।
একটি ক্লিনরুমের ভিতরে সম্ভাব্য ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক উৎসগুলির মধ্যে রয়েছে:
এই উৎসগুলি 50 Hz পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি ক্ষেত্র থেকে GHz-স্তরের RF সংকেত।
পরিবর্তনশীল ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সংস্পর্শে এলে, প্ররোচিত চার্জ এবং স্থানীয় কারেন্ট প্রভাব সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠ বৈদ্যুতিক সম্ভাবনাকে পরিবর্তন করতে পারে।
সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের সম্ভাবনার পরিবর্তনগুলি ডাউনস্ট্রিম সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলিকে প্রভাবিত করতে পারে:
একটি আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেট ক্লিনরুমের পুরো সুবিধা জুড়ে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের প্রয়োজন হয় না। শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা নির্ধারণ করা উচিত:
যখন সাবস্ট্রেটগুলি সিল করা ওয়েফার ক্যারিয়ারের ভিতরে থাকে, তখন ক্যারিয়ারগুলি নিজেরাই একটি নির্দিষ্ট স্তরের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সুরক্ষা প্রদান করে।
ওয়েফার ক্যারিয়ার ব্যবহার করতে পারে:
ক্যারিয়ার হাউজিং বৈদ্যুতিকভাবে গ্রাউন্ডেড হওয়া উচিত।
তবে, একবার সাবস্ট্রেটগুলি ক্যারিয়ার থেকে সরানো হলে এবং সরাসরি ক্লিনরুম পরিবেশের সংস্পর্শে এলে, ক্লিনরুম শিল্ডিং কাঠামো দ্বারা ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সুরক্ষা প্রদান করতে হবে।
নিম্নলিখিত এলাকাগুলিতে অগ্রাধিকার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং প্রয়োজন:
ফটোরিসিস্ট কোটিংয়ের পরে, সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠ বৈদ্যুতিক সম্ভাবনার ভিন্নতার প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল হয়ে ওঠে। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কোটিংয়ের অভিন্নতা এবং লিথোগ্রাফির নির্ভুলতা বজায় রাখতে সহায়তা করে।
স্থির স্লারি আচরণ এবং পলিশিংয়ের ধারাবাহিকতা বজায় রাখার জন্য পৃষ্ঠের সম্ভাবনার নিয়ন্ত্রণ গুরুত্বপূর্ণ।
ইলেকট্রন-বিম এবং আয়ন-বিম পরিদর্শন সরঞ্জামগুলি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপের প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল। স্বাধীন শিল্ডিং সুরক্ষা সুপারিশ করা হয়।
তুলনায়, সাবস্ট্রেট স্টোরেজ এলাকা এবং স্থানান্তর করিডোরগুলিতে সাধারণত কম শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা থাকে কারণ সাবস্ট্রেটগুলি পরিবহন এবং স্টোরেজের সময় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক-শিল্ডেড ক্যারিয়ারের ভিতরে থাকে।
ক্লিনরুম ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কাঠামো সাধারণত ব্যবহার করে:
দেয়াল, সিলিং এবং মেঝেগুলির ভিতরে ইনস্টল করা।
সাধারণ শিল্ডিং উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডিং উপাদানের পুরুত্ব এবং কাঠামো প্রয়োজনীয় শিল্ডিং কার্যকারিতা অনুসারে নির্ধারিত হয়।
শিল্ডিং কর্মক্ষমতা বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি পরিসরের জন্য নির্দিষ্ট করা উচিত:
| ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা | লক্ষ্য শিল্ডিং কার্যকারিতা |
|---|---|
| পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি ম্যাগনেটিক ফিল্ড | ≥20 dB |
| RF বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (1 MHz–1 GHz) | ≥40 dB |
| মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি (>1 GHz) | ≥30 dB |
লক্ষ্য মানগুলি এই তথ্যের উপর ভিত্তি করে নির্ধারিত হয় যে নির্দিষ্ট ফ্রিকোয়েন্সিগুলিতে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক এক্সপোজার প্রক্রিয়া ফলনকে প্রভাবিত করার জন্য পর্যাপ্ত প্ররোচিত চার্জ তৈরি করতে পারে কিনা।
শিল্ডিং কাঠামোকে অবশ্যই অবিচ্ছিন্ন বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বজায় রাখতে হবে।
প্রয়োজনীয়তাগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডিং স্তর গ্রহণ করা উচিত একক-বিন্দু গ্রাউন্ডিং।
প্রস্তাবিত গ্রাউন্ডিং শর্তাবলী:
একাধিক গ্রাউন্ডিং পয়েন্ট গ্রাউন্ড লুপ তৈরি করতে পারে। গ্রাউন্ড লুপের মধ্যে প্ররোচিত কারেন্টগুলি গৌণ চৌম্বক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে, সামগ্রিক শিল্ডিং কার্যকারিতা হ্রাস করে।
ক্লিনরুমের ভিতরে বৈদ্যুতিক সরঞ্জামগুলি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপের একটি প্রধান উৎস।
সম্ভাব্য EMI উৎসগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডেড এলাকার ভিতরে ইনস্টল করা সরঞ্জামগুলির ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নির্গমন মূল্যায়ন করা উচিত।
প্রস্তাবিত সরঞ্জাম নির্বাচন:
ব্যবহার করুন ব্রাশবিহীন ডিসি মোটরAC মোটরগুলির পরিবর্তে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নির্গমন কমাতে।
পালসড এসি আয়োনাইজারগুলির পরিবর্তে স্থিতিশীল ডিসি আয়োনাইজার ব্যবহার করুন, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নয়েজ তৈরি করতে পারে।
ফ্লুরোসেন্ট ল্যাম্প ব্যালাস্ট দ্বারা উত্পন্ন পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি চৌম্বক ক্ষেত্রগুলি কমাতে ডিসি ড্রাইভার সহ এলইডি আলো ব্যবহার করুন।
সরঞ্জাম ধাতব ঘের অবশ্যই গ্রাউন্ডেড হতে হবে।
সঠিক গ্রাউন্ডিং:
প্রস্তাবিত কেবল ব্যবস্থাপনা:
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটে ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের সাথে ঘনিষ্ঠভাবে যুক্ত।
পৃষ্ঠের ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চার্জগুলি স্থানীয় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে। বাহ্যিক ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সাথে মিলিত হলে, এই প্রভাবগুলি পৃষ্ঠের সম্ভাবনার অসমতা বাড়াতে পারে।
শিল্ডেড এলাকার ভিতরে আয়োনাইজারগুলি অবশ্যই শিল্ডিং গ্রাউন্ডিং সিস্টেমের সাথে একসাথে ডিজাইন করতে হবে।
আয়োনাইজারগুলি আয়ন জোড়া তৈরি করে যা পৃষ্ঠের চার্জকে নিরপেক্ষ করে। এই প্রক্রিয়ার সময়, শিল্ডিং কাঠামোর দিকে আয়নের চলাচল ছোট কারেন্ট তৈরি করতে পারে।
যদিও এই কারেন্টগুলি সাধারণত গ্রাউন্ডিং সিস্টেমে পরিমাপযোগ্য ভোল্টেজ ড্রপ তৈরি করে না, আয়োনাইজার স্থাপন নিশ্চিত করা উচিত:
নিম্নলিখিত গ্রাউন্ডিং সিস্টেমগুলি একটি সাধারণ গ্রাউন্ডিং নেটওয়ার্ক ভাগ করা উচিত:
স্বাধীন গ্রাউন্ডিং সিস্টেমের মধ্যে সম্ভাব্য পার্থক্য গ্রাউন্ড কারেন্ট তৈরি করতে পারে। এই কারেন্টগুলি শিল্ডিং কাঠামোর ভিতরে চৌম্বক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে এবং শিল্ডিং কর্মক্ষমতা হ্রাস করতে পারে।
ইনস্টলেশনের পরে, শিল্ডিং সিস্টেমকে অবশ্যই ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কার্যকারিতা পরীক্ষা করতে হবে।
পরীক্ষার ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা অন্তর্ভুক্ত করা উচিত:
পরিমাপ পয়েন্টগুলিতে অন্তর্ভুক্ত করা উচিত:
শিল্ডিং কার্যকারিতা পরীক্ষার মান অনুযায়ী:
শিল্ডিং কার্যকারিতা সময়ের সাথে সাথে হ্রাস পায়:
পুনঃপরীক্ষার চক্র নির্ধারণ করা উচিত:
সাধারণ ফ্রিকোয়েন্সি:
প্রতি 1-2 বছরে একবার
| প্রক্রিয়া এলাকা | পরিচ্ছন্নতার স্তর | শিল্ডিং প্রয়োজনীয়তা | লক্ষ্য শিল্ডিং কার্যকারিতা |
|---|---|---|---|
| সাবস্ট্রেট স্টোরেজ এলাকা | ISO 5 | কেবল ওয়েফার ক্যারিয়ার শিল্ডিং | — |
| ফটোলিথোগ্রাফি এলাকা | ISO 5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB |
| CMP এলাকা | ISO 5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB |
| পরিদর্শন এলাকা | ISO 4–5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB, মাইক্রোওয়েভ ≥30 dB |
| স্থানান্তর করিডোর | ISO 5 | ওয়েফার ক্যারিয়ার শিল্ডিং | — |
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা তাদের ক্লিনরুম পরিবেশে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয়ের প্রতি আরও সংবেদনশীল করে তোলে।
সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের সম্ভাবনার ভিন্নতা প্রভাবিত করতে পারে:
অতএব, ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা প্রক্রিয়া সংবেদনশীলতা অনুসারে সংজ্ঞায়িত করা উচিত।
গুরুত্বপূর্ণ এলাকা যেমন:
বিল্ডিং-স্তরের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কাঠামো অন্তর্ভুক্ত করা উচিত।
শিল্ডিং কার্যকারিতা লক্ষ্যগুলি পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি, আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ পরিসরের জন্য পৃথকভাবে নির্দিষ্ট করা উচিত। শিল্ডিং কাঠামোকে অবশ্যই বৈদ্যুতিক ধারাবাহিকতা বজায় রাখতে হবে এবং একক-বিন্দু গ্রাউন্ডিং গ্রহণ করতে হবে।
অভ্যন্তরীণ ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক দূষণ উৎসগুলি সরঞ্জাম নির্বাচন, গ্রাউন্ডিং নকশা এবং কেবল শিল্ডিং ব্যবস্থাপনার মাধ্যমে নিয়ন্ত্রণ করা উচিত।
ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সুরক্ষা একটি সমন্বিত ব্যবস্থা হিসাবে ডিজাইন করতে হবে একটি সাধারণ গ্রাউন্ডিং নেটওয়ার্ক সহ। নির্মাণের পরে, শিল্ডিং কার্যকারিতা যাচাই করতে হবে এবং দীর্ঘমেয়াদী প্রক্রিয়া স্থিতিশীলতা এবং সেমিকন্ডাক্টর ফলন কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার জন্য পর্যায়ক্রমে পুনরায় পরীক্ষা করতে হবে।
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির সাধারণত একটি প্রতিরোধ ক্ষমতা বেশি থাকে 1×10⁷ Ω·cm এবং ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় 5G RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস এবং বেস স্টেশন উপাদান। পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির বিপরীতে, আধা-পরিবাহী সাবস্ট্রেটগুলি তাদের উচ্চ বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের কারণে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (EMI) এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয়ের প্রতি ভিন্ন প্রতিক্রিয়া দেখায়।
অতএব, আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেট উত্পাদনের জন্য ডিজাইন করা একটি ক্লিনরুমের জন্য কেবল প্রচলিত দূষণ নিয়ন্ত্রণই নয়, অতিরিক্ত ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং ব্যবস্থা প্রয়োজন যাতে প্রক্রিয়া স্থিতিশীলতা এবং ডিভাইসের ফলন নিশ্চিত করা যায়।
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলি ভ্যানাডিয়াম কম্পেনসেশন ডোপিং বা অভ্যন্তরীণ ত্রুটি কম্পেনসেশন প্রক্রিয়া এর মাধ্যমে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা অর্জন করে। গভীর-স্তরের অপদ্রব্য এবং স্ফটিক ত্রুটির ঘনত্ব এবং বিতরণ সরাসরি সাবস্ট্রেট জুড়ে প্রতিরোধ ক্ষমতার অভিন্নতাকে প্রভাবিত করে।
প্রক্রিয়াকরণ এবং পরিদর্শনের সময়, সাবস্ট্রেটগুলি চারপাশের পরিবেশ দ্বারা উত্পন্ন ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সংস্পর্শে আসে। এই বাহ্যিক ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলি আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটের মধ্যে চার্জ পুনর্বণ্টন ঘটাতে পারে।
একটি ক্লিনরুমের ভিতরে সম্ভাব্য ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক উৎসগুলির মধ্যে রয়েছে:
এই উৎসগুলি 50 Hz পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি ক্ষেত্র থেকে GHz-স্তরের RF সংকেত।
পরিবর্তনশীল ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সংস্পর্শে এলে, প্ররোচিত চার্জ এবং স্থানীয় কারেন্ট প্রভাব সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠ বৈদ্যুতিক সম্ভাবনাকে পরিবর্তন করতে পারে।
সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের সম্ভাবনার পরিবর্তনগুলি ডাউনস্ট্রিম সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলিকে প্রভাবিত করতে পারে:
একটি আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেট ক্লিনরুমের পুরো সুবিধা জুড়ে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের প্রয়োজন হয় না। শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা নির্ধারণ করা উচিত:
যখন সাবস্ট্রেটগুলি সিল করা ওয়েফার ক্যারিয়ারের ভিতরে থাকে, তখন ক্যারিয়ারগুলি নিজেরাই একটি নির্দিষ্ট স্তরের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সুরক্ষা প্রদান করে।
ওয়েফার ক্যারিয়ার ব্যবহার করতে পারে:
ক্যারিয়ার হাউজিং বৈদ্যুতিকভাবে গ্রাউন্ডেড হওয়া উচিত।
তবে, একবার সাবস্ট্রেটগুলি ক্যারিয়ার থেকে সরানো হলে এবং সরাসরি ক্লিনরুম পরিবেশের সংস্পর্শে এলে, ক্লিনরুম শিল্ডিং কাঠামো দ্বারা ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সুরক্ষা প্রদান করতে হবে।
নিম্নলিখিত এলাকাগুলিতে অগ্রাধিকার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং প্রয়োজন:
ফটোরিসিস্ট কোটিংয়ের পরে, সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠ বৈদ্যুতিক সম্ভাবনার ভিন্নতার প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল হয়ে ওঠে। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কোটিংয়ের অভিন্নতা এবং লিথোগ্রাফির নির্ভুলতা বজায় রাখতে সহায়তা করে।
স্থির স্লারি আচরণ এবং পলিশিংয়ের ধারাবাহিকতা বজায় রাখার জন্য পৃষ্ঠের সম্ভাবনার নিয়ন্ত্রণ গুরুত্বপূর্ণ।
ইলেকট্রন-বিম এবং আয়ন-বিম পরিদর্শন সরঞ্জামগুলি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপের প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল। স্বাধীন শিল্ডিং সুরক্ষা সুপারিশ করা হয়।
তুলনায়, সাবস্ট্রেট স্টোরেজ এলাকা এবং স্থানান্তর করিডোরগুলিতে সাধারণত কম শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা থাকে কারণ সাবস্ট্রেটগুলি পরিবহন এবং স্টোরেজের সময় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক-শিল্ডেড ক্যারিয়ারের ভিতরে থাকে।
ক্লিনরুম ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কাঠামো সাধারণত ব্যবহার করে:
দেয়াল, সিলিং এবং মেঝেগুলির ভিতরে ইনস্টল করা।
সাধারণ শিল্ডিং উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডিং উপাদানের পুরুত্ব এবং কাঠামো প্রয়োজনীয় শিল্ডিং কার্যকারিতা অনুসারে নির্ধারিত হয়।
শিল্ডিং কর্মক্ষমতা বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি পরিসরের জন্য নির্দিষ্ট করা উচিত:
| ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা | লক্ষ্য শিল্ডিং কার্যকারিতা |
|---|---|
| পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি ম্যাগনেটিক ফিল্ড | ≥20 dB |
| RF বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (1 MHz–1 GHz) | ≥40 dB |
| মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি (>1 GHz) | ≥30 dB |
লক্ষ্য মানগুলি এই তথ্যের উপর ভিত্তি করে নির্ধারিত হয় যে নির্দিষ্ট ফ্রিকোয়েন্সিগুলিতে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক এক্সপোজার প্রক্রিয়া ফলনকে প্রভাবিত করার জন্য পর্যাপ্ত প্ররোচিত চার্জ তৈরি করতে পারে কিনা।
শিল্ডিং কাঠামোকে অবশ্যই অবিচ্ছিন্ন বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বজায় রাখতে হবে।
প্রয়োজনীয়তাগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডিং স্তর গ্রহণ করা উচিত একক-বিন্দু গ্রাউন্ডিং।
প্রস্তাবিত গ্রাউন্ডিং শর্তাবলী:
একাধিক গ্রাউন্ডিং পয়েন্ট গ্রাউন্ড লুপ তৈরি করতে পারে। গ্রাউন্ড লুপের মধ্যে প্ররোচিত কারেন্টগুলি গৌণ চৌম্বক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে, সামগ্রিক শিল্ডিং কার্যকারিতা হ্রাস করে।
ক্লিনরুমের ভিতরে বৈদ্যুতিক সরঞ্জামগুলি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপের একটি প্রধান উৎস।
সম্ভাব্য EMI উৎসগুলির মধ্যে রয়েছে:
শিল্ডেড এলাকার ভিতরে ইনস্টল করা সরঞ্জামগুলির ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নির্গমন মূল্যায়ন করা উচিত।
প্রস্তাবিত সরঞ্জাম নির্বাচন:
ব্যবহার করুন ব্রাশবিহীন ডিসি মোটরAC মোটরগুলির পরিবর্তে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নির্গমন কমাতে।
পালসড এসি আয়োনাইজারগুলির পরিবর্তে স্থিতিশীল ডিসি আয়োনাইজার ব্যবহার করুন, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক নয়েজ তৈরি করতে পারে।
ফ্লুরোসেন্ট ল্যাম্প ব্যালাস্ট দ্বারা উত্পন্ন পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি চৌম্বক ক্ষেত্রগুলি কমাতে ডিসি ড্রাইভার সহ এলইডি আলো ব্যবহার করুন।
সরঞ্জাম ধাতব ঘের অবশ্যই গ্রাউন্ডেড হতে হবে।
সঠিক গ্রাউন্ডিং:
প্রস্তাবিত কেবল ব্যবস্থাপনা:
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটে ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের সাথে ঘনিষ্ঠভাবে যুক্ত।
পৃষ্ঠের ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চার্জগুলি স্থানীয় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে। বাহ্যিক ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ক্ষেত্রগুলির সাথে মিলিত হলে, এই প্রভাবগুলি পৃষ্ঠের সম্ভাবনার অসমতা বাড়াতে পারে।
শিল্ডেড এলাকার ভিতরে আয়োনাইজারগুলি অবশ্যই শিল্ডিং গ্রাউন্ডিং সিস্টেমের সাথে একসাথে ডিজাইন করতে হবে।
আয়োনাইজারগুলি আয়ন জোড়া তৈরি করে যা পৃষ্ঠের চার্জকে নিরপেক্ষ করে। এই প্রক্রিয়ার সময়, শিল্ডিং কাঠামোর দিকে আয়নের চলাচল ছোট কারেন্ট তৈরি করতে পারে।
যদিও এই কারেন্টগুলি সাধারণত গ্রাউন্ডিং সিস্টেমে পরিমাপযোগ্য ভোল্টেজ ড্রপ তৈরি করে না, আয়োনাইজার স্থাপন নিশ্চিত করা উচিত:
নিম্নলিখিত গ্রাউন্ডিং সিস্টেমগুলি একটি সাধারণ গ্রাউন্ডিং নেটওয়ার্ক ভাগ করা উচিত:
স্বাধীন গ্রাউন্ডিং সিস্টেমের মধ্যে সম্ভাব্য পার্থক্য গ্রাউন্ড কারেন্ট তৈরি করতে পারে। এই কারেন্টগুলি শিল্ডিং কাঠামোর ভিতরে চৌম্বক ক্ষেত্র তৈরি করতে পারে এবং শিল্ডিং কর্মক্ষমতা হ্রাস করতে পারে।
ইনস্টলেশনের পরে, শিল্ডিং সিস্টেমকে অবশ্যই ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কার্যকারিতা পরীক্ষা করতে হবে।
পরীক্ষার ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা অন্তর্ভুক্ত করা উচিত:
পরিমাপ পয়েন্টগুলিতে অন্তর্ভুক্ত করা উচিত:
শিল্ডিং কার্যকারিতা পরীক্ষার মান অনুযায়ী:
শিল্ডিং কার্যকারিতা সময়ের সাথে সাথে হ্রাস পায়:
পুনঃপরীক্ষার চক্র নির্ধারণ করা উচিত:
সাধারণ ফ্রিকোয়েন্সি:
প্রতি 1-2 বছরে একবার
| প্রক্রিয়া এলাকা | পরিচ্ছন্নতার স্তর | শিল্ডিং প্রয়োজনীয়তা | লক্ষ্য শিল্ডিং কার্যকারিতা |
|---|---|---|---|
| সাবস্ট্রেট স্টোরেজ এলাকা | ISO 5 | কেবল ওয়েফার ক্যারিয়ার শিল্ডিং | — |
| ফটোলিথোগ্রাফি এলাকা | ISO 5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB |
| CMP এলাকা | ISO 5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB |
| পরিদর্শন এলাকা | ISO 4–5 | বিল্ডিং-স্তরের শিল্ডিং স্তর | পাওয়ার ফ্রিকোয়েন্সি ≥20 dB, RF ≥40 dB, মাইক্রোওয়েভ ≥30 dB |
| স্থানান্তর করিডোর | ISO 5 | ওয়েফার ক্যারিয়ার শিল্ডিং | — |
আধা-পরিবাহী SiC সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা তাদের ক্লিনরুম পরিবেশে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সঞ্চয়ের প্রতি আরও সংবেদনশীল করে তোলে।
সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের সম্ভাবনার ভিন্নতা প্রভাবিত করতে পারে:
অতএব, ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিংয়ের প্রয়োজনীয়তা প্রক্রিয়া সংবেদনশীলতা অনুসারে সংজ্ঞায়িত করা উচিত।
গুরুত্বপূর্ণ এলাকা যেমন:
বিল্ডিং-স্তরের ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং কাঠামো অন্তর্ভুক্ত করা উচিত।
শিল্ডিং কার্যকারিতা লক্ষ্যগুলি পাওয়ার-ফ্রিকোয়েন্সি, আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ পরিসরের জন্য পৃথকভাবে নির্দিষ্ট করা উচিত। শিল্ডিং কাঠামোকে অবশ্যই বৈদ্যুতিক ধারাবাহিকতা বজায় রাখতে হবে এবং একক-বিন্দু গ্রাউন্ডিং গ্রহণ করতে হবে।
অভ্যন্তরীণ ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক দূষণ উৎসগুলি সরঞ্জাম নির্বাচন, গ্রাউন্ডিং নকশা এবং কেবল শিল্ডিং ব্যবস্থাপনার মাধ্যমে নিয়ন্ত্রণ করা উচিত।
ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক শিল্ডিং এবং ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক সুরক্ষা একটি সমন্বিত ব্যবস্থা হিসাবে ডিজাইন করতে হবে একটি সাধারণ গ্রাউন্ডিং নেটওয়ার্ক সহ। নির্মাণের পরে, শিল্ডিং কার্যকারিতা যাচাই করতে হবে এবং দীর্ঘমেয়াদী প্রক্রিয়া স্থিতিশীলতা এবং সেমিকন্ডাক্টর ফলন কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার জন্য পর্যায়ক্রমে পুনরায় পরীক্ষা করতে হবে।