সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জামগুলির "কোর ফোর্স"

সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জামগুলির "কোর ফোর্স"

সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) একটি উচ্চ-কার্যকারিতা কাঠামোগত সিরামিক উপাদান। সিলিকন কার্বাইড উপাদান, যা প্রধানত সিআইসি এবং এর যৌগিক উপকরণ থেকে তৈরি সরঞ্জাম অংশ,উচ্চ ঘনত্বের মতো বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ নমন শক্তি, এবং বড় নমনীয় মডিউল।এই বৈশিষ্ট্যগুলি তাদের চরম ক্ষয় এবং ওয়েফার ইপিট্যাক্সিতে দেখা অতি উচ্চ তাপমাত্রার কঠোর প্রতিক্রিয়া পরিবেশে প্রতিরোধ করতে সক্ষম করে, খোদাই, এবং অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়া। ফলস্বরূপ, তারা ব্যাপকভাবে প্রধান অর্ধপরিবাহী সরঞ্জাম, epitaxial বৃদ্ধি সিস্টেম, খোদাই সরঞ্জাম,এবং অক্সিডেশন/ডিফিউশন/অ্যানিলিং সিস্টেম.

স্ফটিক কাঠামোর উপর ভিত্তি করে, সিআইসি অসংখ্য পলিটাইপগুলিতে বিদ্যমান। আজ সর্বাধিক সাধারণ 3 সি, 4 এইচ এবং 6 এইচ, প্রতিটি পৃথক অ্যাপ্লিকেশন পরিবেশন করে। এর মধ্যে3C-SiC (এছাড়াও β-SiC নামেও পরিচিত) পাতলা ফিল্ম এবং লেপ উপাদান হিসাবে এর ব্যবহারের জন্য বিশেষভাবে উল্লেখযোগ্যবর্তমানে, β-SiC অর্ধপরিবাহী উত্পাদনে গ্রাফাইট সংবেদনশীলদের জন্য প্রাথমিক আবরণ উপাদান হিসাবে কাজ করে।

প্রস্তুতির পদ্ধতির উপর ভিত্তি করে, সিলিকন কার্বাইড উপাদানগুলিকে নিম্নলিখিত শ্রেণীতে শ্রেণীবদ্ধ করা যেতে পারেঃরাসায়নিক বাষ্প অবক্ষয় সিলিকন কার্বাইড (সিভিডি সিআইসি)、প্রতিক্রিয়া সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড、পুনরায় স্ফটিকযুক্ত সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড、চাপহীন সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড、হট প্রেসড সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড、হট আইসোস্ট্যাটিক প্রেসড সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড ইত্যাদি

সিলিকন কার্বাইড উপকরণ প্রস্তুত করার বিভিন্ন পদ্ধতির মধ্যে, রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধাই (সিভিডি) দ্বারা উত্পাদিত পণ্যগুলি উচ্চতর অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতা প্রদর্শন করে,চমৎকার প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণযোগ্যতার সাথে. সিভিডি সিলিকন কার্বাইড উপাদানগুলি তাদের ব্যতিক্রমী তাপীয়, বৈদ্যুতিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যগুলির অনন্য সংমিশ্রণের কারণে অর্ধপরিবাহী শিল্পে অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত,বিশেষ করে যেখানে উচ্চ পারফরম্যান্স উপাদান সমালোচনামূলক.

সিলিকন কার্বাইড উপাদান বাজার আকার

সিভিডি সিআইসি উপাদান

সিভিডি সিআইসি উপাদানগুলি ব্যাপকভাবে খোদাই সরঞ্জাম, এমওসিভিডি সরঞ্জাম, সিআইসি এপিট্যাক্সিয়াল সরঞ্জাম, দ্রুত তাপীয় প্রক্রিয়াকরণ (আরটিপি) সরঞ্জাম এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়।

ইটচিং সরঞ্জামঃ সিভিডি সিআইসি উপাদানগুলির জন্য বৃহত্তম বিভাগটি ইটচিং সরঞ্জামগুলিতে রয়েছে। ইটচিং সরঞ্জামগুলিতে ব্যবহৃত সিভিডি সিআইসি উপাদানগুলির মধ্যে ফোকাস রিং, গ্যাস শাওয়ারহেড, সংবেদনশীল এবং প্রান্ত রিং অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।ক্লোরিন এবং ফ্লোরিনযুক্ত ইটিং গ্যাসের সাথে তাদের কম প্রতিক্রিয়াশীলতা এবং দুর্দান্ত বৈদ্যুতিক পরিবাহিততার কারণে, সিভিডি সিআইসি প্লাজমা ইটচিং ফোকাস রিংয়ের মতো সমালোচনামূলক উপাদানগুলির জন্য একটি আদর্শ উপাদান।

গ্রাফাইট সুসেপ্টর লেপঃ কম চাপে রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধাই (সিভিডি) বর্তমানে ঘন সিআইসি লেপ উত্পাদন করার জন্য সবচেয়ে কার্যকর প্রক্রিয়া,নিয়ন্ত্রণযোগ্য বেধ এবং অভিন্নতার মতো সুবিধা প্রদান করেসিআইসি-লেপযুক্ত গ্রাফাইট সংবেদনশীলগুলি ধাতব-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধার (এমওসিভিডি) সরঞ্জামগুলির সমালোচনামূলক উপাদান, যা ইপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির সময় একক-ক্রিস্টাল সাবস্ট্র্যাটগুলিকে সমর্থন এবং গরম করার জন্য ব্যবহৃত হয়।

কিউওয়াই রিসার্চের মতে, ২০২২ সালে বিশ্বব্যাপী সিভিডি সিআইসি উপাদান বাজার ৮১৩ মিলিয়ন মার্কিন ডলার আয় করেছে এবং ২০২৮ সালের মধ্যে এটি ১.৪৩২ বিলিয়ন মার্কিন ডলার হবে বলে আশা করা হচ্ছে।১০ শতাংশের কমপাউন্ড বার্ষিক বৃদ্ধির হার (সিএজিআর).৬১%

রিঅ্যাকশন সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড (আরএস-সিসি) উপাদান

প্রতিক্রিয়া সিন্টারড (প্রতিক্রিয়া অনুপ্রবেশ বা প্রতিক্রিয়া বন্ডড) সিআইসি উপকরণগুলি তুলনামূলকভাবে কম সিন্টারিং তাপমাত্রার সাথে 1% এর নিচে নিয়ন্ত্রিত একটি রৈখিক সিন্টারিং সংকোচনের হার প্রদর্শন করে।এই বৈশিষ্ট্যগুলি উল্লেখযোগ্যভাবে বিকৃতি নিয়ন্ত্রণ এবং sintering সরঞ্জাম জন্য প্রয়োজনীয়তা কমাতে, যার ফলে বড় আকারের উপাদান তৈরি করা সম্ভব হয়েছে, যা একটি সুবিধা যা অপটিক্যাল এবং যথার্থ কাঠামোগত উত্পাদনে তাদের ব্যাপক গ্রহণকে চালিত করেছে।

সমালোচনামূলক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আইসি) উত্পাদন সরঞ্জাম যেমন লিথোগ্রাফি মেশিন, কিছু উচ্চ-কার্যকারিতা অপটিক্যাল উপাদান অত্যন্ত কঠোর উপাদান স্পেসিফিকেশন প্রয়োজন। উদাহরণস্বরূপ,হাই পারফরম্যান্স মিররগুলি রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধন সিলিকন কার্বাইড (সিভিডি সিআইসি) লেপগুলির সাথে প্রতিক্রিয়া-সিন্টারযুক্ত সিআইসি সাবস্ট্রেটগুলিকে একত্রিত করে তৈরি করা যেতে পারে. মূল প্রক্রিয়া পরামিতিগুলি যেমনঃপূর্বসূচক প্রকারগুলিকে অপ্টিমাইজ করেঃঅবতরণ তাপমাত্রা এবং চাপ,প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস অনুপাত,গ্যাস প্রবাহ ক্ষেত্র,তাপমাত্রা বিতরণ,

এই পদ্ধতির সাহায্যে এই ধরনের আয়নাগুলির পৃষ্ঠের নির্ভুলতা আন্তর্জাতিক প্রতিপক্ষের পারফরম্যান্সের তুলনায় কম।