গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) শিল্প চেইন এবং প্রযুক্তির বিশ্বব্যাপী রোডম্যাপ

আমি.​গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)​
গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) একটি অজৈব রাসায়নিক যৌগ যার সূত্র গ্যান , গ্যালিয়াম (Ga) এবং নাইট্রোজেন (N) থেকে গঠিত।তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উপাদান , এটি সাধারণত একটি সাদা বা সামান্য হলুদ কঠিন গুঁড়া হিসাবে বিদ্যমান। মূল উপাদান বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছেঃ

• ​কাঠামোগত স্থিতিশীলতা চরম পরিস্থিতিতে
• ​উচ্চ গলনাঙ্ক (১৭০০°সি)
• ​উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধের (বিভাজন ক্ষেত্র ~ ৩.৩ এমভি/সেমি)
• ​বিকিরণ সহনশীলতা(মহাকাশ এবং পারমাণবিক পরিবেশের জন্য কার্যকর)

এই প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরটি ঐতিহ্যগত সিলিকন ভিত্তিক উপকরণগুলির তুলনায় কঠোর অপারেটিং পরিবেশে উচ্চতর পারফরম্যান্স প্রদর্শন করে, যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য এটি গুরুত্বপূর্ণ করে তোলে,রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ) সিস্টেম এবং অপটোইলেকট্রনিক্স।

II. বাজারের আকার এবং বৃদ্ধির প্রবণতা
গ্রাহক ইলেকট্রনিক্স থেকে বৈদ্যুতিক যানবাহন (ইভি), ফোটোভোলটাইক শক্তি সঞ্চয়স্থান এবং ডেটা সেন্টারগুলির মতো উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (গাএন) প্রযুক্তির অবিচ্ছিন্ন সম্প্রসারণের সাথে,গ্লোবাল গ্যান পাওয়ার ডিভাইস মার্কেট দ্রুত বৃদ্ধি পাচ্ছে:
​বাজার তথ্য :

• ২০২২ সালে, বাজারের আকার ১৮০ মিলিয়ন মার্কিন ডলারে পৌঁছেছে, ২০২৬ সালের মধ্যে এটি ১.৩৩ বিলিয়ন মার্কিন ডলারে পৌঁছবে বলে অনুমান করা হচ্ছে, যার যৌগিক বার্ষিক বৃদ্ধির হার (সিএজিআর) ৬৫% ।
• ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স বাজারের আধিপত্য বজায় রেখেছে, যা ২০২২ সালে প্রায় ১৪৬ মিলিয়ন মার্কিন ডলার, যা ২০২৮ সালের মধ্যে ১.৩০৭ বিলিয়ন মার্কিন ডলারে উন্নীত হবে বলে আশা করা হচ্ছে (ইওল ডেভেলপমেন্ট) ।

​অ্যাপ্লিকেশন সম্প্রসারণ :

প্রচলিত স্মার্টফোনের দ্রুত চার্জিং এবং পাওয়ার অ্যাডাপ্টার থেকে নতুন শক্তি গাড়ির বোর্ড চার্জার (ওবিসি) সহ মাঝারি থেকে উচ্চ-ক্ষমতার দৃশ্যকল্পগুলিতে অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্রটি প্রসারিত হয়েছে।টেলিযোগাযোগের বেস স্টেশন, ফোটোভোলটাইক ইনভার্টার, ডেটা সেন্টার সার্ভার, শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ এবং শক্তি সঞ্চয় ব্যবস্থা।

III. প্রযুক্তিগত উন্নয়নের প্রবণতা এবং অ্যাপ্লিকেশন বিবর্তন

​১. প্রযুক্তিগত প্রবণতা ​

• ​উচ্চ সমন্বয় : পেরিফেরিয়াল উপাদান হ্রাস করার জন্য GaN পাওয়ার ডিভাইসগুলির সাথে ড্রাইভারগুলির কো-প্যাকেজিং
• ​উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা : বিকিরণ কঠোরতা এবং উত্তাপ প্রতিরোধের উন্নতি
• ​উচ্চ দক্ষতা : কম প্রতিরোধ, উচ্চ সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি, উন্নত শক্তি ঘনত্ব এবং সিস্টেম রূপান্তর দক্ষতা

​​2. অ্যাপ্লিকেশন সম্প্রসারণের দৃশ্যকল্প ​

IV. সংক্ষিপ্ত বিবরণ এবং দৃষ্টিভঙ্গি
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টরগুলির মূল প্রতিনিধি হিসাবে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (গান) শক্তি রূপান্তর, দ্রুত চার্জিং,এবং অটোমোবাইল বৈদ্যুতিক নিয়ন্ত্রণ সিস্টেম, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ দক্ষতা, এবং উচ্চ ইন্টিগ্রেশন এর সুবিধার leveraging।

​আগামী পাঁচ বছরের জন্য পূর্বাভাস :

1. বাজারের আকার দ্বিগুণ হতে থাকবে। যদিও GaN ডিভাইসগুলি ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সের ধারাবাহিক বৃদ্ধি বজায় রাখে,তারা ধীরে ধীরে অটোমোবাইল পাওয়ার ট্রেন সিস্টেম সহ উচ্চ মূল্যের দৃশ্যকল্প অনুপ্রবেশ করবে, এআই সার্ভার, এবং ফোটোভোলটাইক ইনভার্টার।
2. প্রযুক্তিগত বাস্তুতন্ত্র "ডিভাইস-চালিত" থেকে "সিস্টেম-সিনার্জিযুক্ত" হয়ে যাবে। সমন্বিত মডিউল, ড্রাইভার অ্যালগরিদম,এবং অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট অপ্টিমাইজেশান মূল প্রতিযোগিতামূলক পার্থক্যকারী হয়ে উঠবে.