|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| Material: | Optical Grade LiNbO3 wafes | Diameter/size: | 2”/3”/4”/6“/8” |
|---|---|---|---|
| Cutting Angle: | X/Y/Z etc | TTV: | <3μm |
| Bow: | -30| Warp: |
<40μm |
|
পণ্যের বর্ণনা
ভূমিকা
LiNbO3 ক্রিস্টালগুলি 1um এর বেশি তরঙ্গদৈর্ঘ্যের জন্য ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণকারী এবং 1064 nm-এ পাম্প করা অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর (OPOs) সেইসাথে কোয়াসি-ফেজ-ম্যাচড (QPM) ডিভাইসগুলির জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর বৃহৎ ইলেক্ট্রন-অপটিক (E-O) এবং অ্যাকোস্টো-অপটিক (A-O) সহগগুলির কারণে, LiNbO3 ক্রিস্টাল হল পকেল সেল, Q-সুইচ এবং ফেজ মডুলেটর, ওয়েভগাইড সাবস্ট্রেট এবং সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (SAW) ওয়েফার ইত্যাদির জন্য সবচেয়ে বেশি ব্যবহৃত উপাদান।
অপটিক্যাল গ্রেড লিথিয়াম নিওবেটের জন্য আমাদের প্রচুর অভিজ্ঞতা রয়েছে এবং উভয় বাউলে এবং ওয়েফারে ব্যাপক উৎপাদন হয়। আমরা ক্রিস্টাল গ্রোইং, স্লাইসিং, ওয়েফার ল্যাপিং, পলিশিং এবং চেকিং-এর উন্নত সুবিধা দিয়ে সজ্জিত, সমস্ত তৈরি পণ্যগুলি কুরি টেম্প এবং QC ইন্সপেকশনের পরীক্ষায় উত্তীর্ণ হয়েছে। সমস্ত ওয়েফার কঠোর মান নিয়ন্ত্রণের অধীনে এবং পরীক্ষিত। এছাড়াও কঠোর সারফেস ক্লিনিং এবং ফ্ল্যাটনেস কন্ট্রোলের অধীনেও রয়েছে।
স্পেসিফিকেশন
| উপাদান | অপটিক্যাল গ্রেড LiNbO3 ওয়েফার (সাদা বা কালো) | |
| কুরি টেম্প | 1142±0.7℃ | |
| কাটিং এঙ্গেল | X/Y/Z ইত্যাদি | |
| ব্যাস/আকার | 2”/3”/4”/6"/8” | |
| সহনশীলতা(±) | <0.20 মিমি ±0.005মিমি | |
| বেধ | 0.18～0.5মিমি বা তার বেশি | |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট | 16মিমি/22মিমি/32মিমি | |
| TTV | <3μm | |
| বো | -30 | |
| ওয়ার্প | <40μm | |
| ওরিয়েন্টেশন ফ্ল্যাট | সব উপলব্ধ | |
| সারফেস টাইপ | একক পার্শ্বযুক্ত পলিশ করা (SSP)/ডাবল সাইড পলিশ করা (DSP) | |
| পালিশ করা পার্শ্ব Ra | <0.5nm | |
| S/D | 20/10 | |
| এজ ক্রাইটেরিয়া | R=0.2mm C-টাইপ বা বুলনোজ | |
| গুণমান | ফাটল (বুদবুদ এবং অন্তর্ভুক্তি) মুক্ত | |
| অপটিক্যাল ডোপড | Mg/Fe/Zn/MgO ইত্যাদি অপটিক্যাল গ্রেড LN-এর জন্য< অনুরোধ করা প্রতি ওয়েফার | |
| ওয়েফার সারফেস ক্রাইটেরিয়া | প্রতিসরাঙ্ক | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য/প্রিজম কাপলার পদ্ধতি। |
| দূষণ, | কিছুই না | |
| কণা c>0.3μ m | <=30 | |
| স্ক্র্যাচ, চিপিং | কিছুই না | |
| ত্রুটি | কোন প্রান্তের ফাটল, স্ক্র্যাচ, করাতের চিহ্ন, দাগ নেই | |
| প্যাকেজিং | প্রতি ওয়েফার বক্সে পরিমাণ | প্রতি বাক্সে 25 পিসি |
বৈশিষ্ট্য
ইনসুলেটর (LNOI) ওয়েফারে লিথিয়াম নিওবেটের তৈরি একটি অত্যাধুনিক সিরিজের পদক্ষেপ জড়িত যা উপাদান বিজ্ঞান এবং উন্নত তৈরির কৌশলগুলিকে একত্রিত করে। প্রক্রিয়াটির লক্ষ্য হল একটি পাতলা, উচ্চ-মানের লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO₃) ফিল্ম তৈরি করা যা একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ, যেমন সিলিকন বা লিথিয়াম নিওবেট নিজেই। নিম্নলিখিতটি প্রক্রিয়ার একটি বিস্তারিত ব্যাখ্যা:
ধাপ 1: আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন
LNOI ওয়েফার তৈরির প্রথম ধাপ হল আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন। একটি বাল্ক লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টালকে উচ্চ-শক্তির হিলিয়াম (He) আয়ন দ্বারা এর পৃষ্ঠে প্রবেশ করানো হয়। আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন মেশিন হিলিয়াম আয়নকে ত্বরান্বিত করে, যা একটি নির্দিষ্ট গভীরতায় লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টালে প্রবেশ করে।
হিলিয়াম আয়নগুলির শক্তি সাবধানে নিয়ন্ত্রণ করা হয় যাতে ক্রিস্টালে পছন্দসই গভীরতা অর্জন করা যায়। আয়নগুলি ক্রিস্টালের মধ্য দিয়ে যাওয়ার সাথে সাথে, তারা উপাদানের ল্যাটিস কাঠামোর সাথে যোগাযোগ করে, যার ফলে পারমাণবিক ব্যাঘাত ঘটে যা একটি দুর্বল প্লেনের সৃষ্টি করে, যা "ইমপ্ল্যান্টেশন লেয়ার" নামে পরিচিত। এই স্তরটি অবশেষে ক্রিস্টালটিকে দুটি স্বতন্ত্র স্তরে বিভক্ত করতে দেয়, যেখানে উপরের স্তরটি (লেয়ার A হিসাবে উল্লেখ করা হয়) LNOI-এর জন্য প্রয়োজনীয় পাতলা লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম হয়ে যায়।
এই পাতলা ফিল্মের পুরুত্ব সরাসরি ইমপ্ল্যান্টেশন গভীরতা দ্বারা প্রভাবিত হয়, যা হিলিয়াম আয়নগুলির শক্তি দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। আয়নগুলি ইন্টারফেসে একটি গসিয়ান বিতরণ তৈরি করে, যা চূড়ান্ত ফিল্মে অভিন্নতা নিশ্চিত করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
ধাপ 2: সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি
আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন প্রক্রিয়া সম্পন্ন হওয়ার পরে, পরবর্তী ধাপ হল সেই সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করা যা পাতলা লিথিয়াম নিওবেট ফিল্মকে সমর্থন করবে। LNOI ওয়েফারের জন্য, সাধারণ সাবস্ট্রেট উপাদানগুলির মধ্যে রয়েছে সিলিকন (Si) বা লিথিয়াম নিওবেট (LN) নিজেই। সাবস্ট্রেটকে পাতলা ফিল্মের জন্য যান্ত্রিক সহায়তা প্রদান করতে হবে এবং পরবর্তী প্রক্রিয়াকরণের সময় দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করতে হবে।
সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করার জন্য, একটি SiO₂ (সিলিকন ডাই অক্সাইড) ইনসুলেটিং স্তর সাধারণত তাপীয় জারণ বা PECVD (প্লাজমা-এনহ্যান্সড কেমিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন)-এর মতো কৌশল ব্যবহার করে সিলিকন সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠের উপর জমা করা হয়। এই স্তরটি লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম এবং সিলিকন সাবস্ট্রেটের মধ্যে ইনসুলেটিং মাধ্যম হিসাবে কাজ করে। কিছু ক্ষেত্রে, যদি SiO₂ স্তরটি যথেষ্ট মসৃণ না হয়, তবে একটি কেমিক্যাল মেকানিক্যাল পলিশিং (CMP) প্রক্রিয়া প্রয়োগ করা হয় যাতে পৃষ্ঠটি অভিন্ন হয় এবং বন্ধনের জন্য প্রস্তুত থাকে।
ধাপ 3: পাতলা-ফিল্ম বন্ধন
সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করার পরে, পরবর্তী ধাপ হল পাতলা লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম (লেয়ার A) সাবস্ট্রেটের সাথে বন্ধন করা। আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশনের পরে, লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টালটি 180 ডিগ্রি ঘোরানো হয় এবং প্রস্তুত সাবস্ট্রেটের উপর স্থাপন করা হয়। বন্ধন প্রক্রিয়াটি সাধারণত একটি ওয়েফার বন্ধন কৌশল ব্যবহার করে করা হয়।
ওয়েফার বন্ধনে, লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টাল এবং সাবস্ট্রেট উভয়কেই উচ্চ চাপ এবং তাপমাত্রার মধ্যে রাখা হয়, যার ফলে দুটি পৃষ্ঠ দৃঢ়ভাবে লেগে থাকে। প্রত্যক্ষ বন্ধন প্রক্রিয়ার জন্য সাধারণত কোনো আঠালো উপাদানের প্রয়োজন হয় না এবং পৃষ্ঠগুলি আণবিক স্তরে আবদ্ধ হয়। গবেষণার উদ্দেশ্যে, অতিরিক্ত সমর্থন প্রদানের জন্য বেনজোসাইক্লোবিউটেন (BCB) একটি মধ্যবর্তী বন্ধন উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে, যদিও এর সীমিত দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতার কারণে এটি সাধারণত বাণিজ্যিক উৎপাদনে ব্যবহৃত হয় না।
ধাপ 4: অ্যানিলিং এবং লেয়ার বিভাজন
বন্ধন প্রক্রিয়ার পরে, বন্ধনযুক্ত ওয়েফার একটি অ্যানিলিং চিকিত্সা করে। অ্যানিলিং লিথিয়াম নিওবেট স্তর এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে বন্ধনের শক্তি উন্নত করার পাশাপাশি আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন প্রক্রিয়ার কারণে সৃষ্ট কোনো ক্ষতি মেরামতের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
অ্যানিলিংয়ের সময়, বন্ধনযুক্ত ওয়েফার একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয় এবং একটি নির্দিষ্ট সময়ের জন্য সেই তাপমাত্রায় রাখা হয়। এই প্রক্রিয়াটি কেবল ইন্টারফেসিয়াল বন্ধনগুলিকে শক্তিশালী করে না বরং আয়ন-ইমপ্ল্যান্টেড স্তরে মাইক্রোবাবলগুলির গঠনকে প্ররোচিত করে। এই বুদবুদগুলি ধীরে ধীরে মূল বাল্ক লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টাল (লেয়ার B) থেকে লিথিয়াম নিওবেট স্তর (লেয়ার A) আলাদা করে দেয়।
একবার বিভাজন ঘটলে, দুটি স্তরকে আলাদা করতে যান্ত্রিক সরঞ্জাম ব্যবহার করা হয়, যার ফলে সাবস্ট্রেটের উপর একটি পাতলা, উচ্চ-মানের লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম (লেয়ার A) অবশিষ্ট থাকে। তাপমাত্রা ধীরে ধীরে ঘরের তাপমাত্রায় হ্রাস করা হয়, অ্যানিলিং এবং স্তর বিভাজন প্রক্রিয়া সম্পন্ন করে।
ধাপ 5: CMP প্ল্যানারাইজেশন
লিথিয়াম নিওবেট স্তর আলাদা করার পরে, LNOI ওয়েফারের পৃষ্ঠটি সাধারণত রুক্ষ এবং অসম হয়। প্রয়োজনীয় পৃষ্ঠের গুণমান অর্জনের জন্য, ওয়েফারটি একটি চূড়ান্ত কেমিক্যাল মেকানিক্যাল পলিশিং (CMP) প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়। CMP ওয়েফারের পৃষ্ঠকে মসৃণ করে, অবশিষ্ট রুক্ষতা দূর করে এবং নিশ্চিত করে যে পাতলা ফিল্মটি প্ল্যানার।
CMP প্রক্রিয়াটি ওয়েফারে একটি উচ্চ-মানের ফিনিশ পাওয়ার জন্য অপরিহার্য, যা পরবর্তী ডিভাইস তৈরির জন্য গুরুত্বপূর্ণ। পৃষ্ঠটি একটি খুব সূক্ষ্ম স্তরে পালিশ করা হয়, প্রায়শই অ্যাটমিক ফোর্স মাইক্রোস্কোপি (AFM) দ্বারা পরিমাপ করা 0.5 nm-এর কম রুক্ষতা (Rq) সহ।
LNOI ওয়েফারের অ্যাপ্লিকেশন
LNOI (ইনসুলেটরের উপর লিথিয়াম নিওবেট) ওয়েফারগুলি তাদের ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উন্নত অ্যাপ্লিকেশনগুলির বিস্তৃত পরিসরে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ ননলাইনার অপটিক্যাল সহগ এবং শক্তিশালী যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য। ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্সে, LNOI ওয়েফারগুলি ফোটোনিক ডিভাইস যেমন মডুলেটর, ওয়েভগাইড এবং রেজোনেটর তৈরি করার জন্য অপরিহার্য, যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে আলো ম্যানিপুলেট করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ। টেলিকমিউনিকেশনে, LNOI ওয়েফারগুলি অপটিক্যাল মডুলেটরগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা ফাইবার-অপটিক নেটওয়ার্কে উচ্চ-গতির ডেটা ট্রান্সমিশন সক্ষম করে। কোয়ান্টাম কম্পিউটিং-এর ক্ষেত্রে, LNOI ওয়েফারগুলি জড়িত ফোটন জোড়া তৈরি করতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা কোয়ান্টাম কী বিতরণ (QKD) এবং সুরক্ষিত যোগাযোগের জন্য মৌলিক। এছাড়াও, LNOI ওয়েফারগুলি বিভিন্ন সেন্সর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যেখানে এগুলি পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ, চিকিৎসা রোগ নির্ণয় এবং শিল্প প্রক্রিয়ার জন্য অত্যন্ত সংবেদনশীল অপটিক্যাল এবং অ্যাকোস্টিক সেন্সর তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। এই বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলি LNOI ওয়েফারগুলিকে একাধিক ক্ষেত্রে পরবর্তী প্রজন্মের প্রযুক্তির বিকাশে একটি মূল উপাদান করে তোলে।
FAQ
প্রশ্ন: LNOI কি?
উত্তর: LNOI মানে ইনসুলেটরের উপর লিথিয়াম নিওবেট। এটি এক প্রকার ওয়েফারকে বোঝায় যা সিলিকন বা অন্য কোনো ইনসুলেটিং উপাদানের মতো একটি ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেটের সাথে আবদ্ধ লিথিয়াম নিওবেটের (LiNbO₃) একটি পাতলা স্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত। LNOI ওয়েফারগুলি লিথিয়াম নিওবেটের চমৎকার অপটিক্যাল, পাইজোইলেকট্রিক এবং পাইরোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি বজায় রাখে, যা তাদের বিভিন্ন ফোটোনিক, টেলিকমিউনিকেশন এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তিতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে।
প্রশ্ন: LNOI ওয়েফারের প্রধান অ্যাপ্লিকেশনগুলি কী কী?
উত্তর: LNOI ওয়েফারগুলি বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে রয়েছে ফোটোনিক ডিভাইসের জন্য ইন্টিগ্রেটেড অপটিক্স, টেলিকমিউনিকেশনে অপটিক্যাল মডুলেটর, কোয়ান্টাম কম্পিউটিংয়ে জড়িত ফোটন জেনারেশন এবং পরিবেশগত পর্যবেক্ষণ, চিকিৎসা রোগ নির্ণয় এবং শিল্প পরীক্ষার জন্য অপটিক্যাল এবং অ্যাকোস্টিক পরিমাপের জন্য সেন্সরগুলিতে।
প্রশ্ন: LNOI ওয়েফারগুলি কীভাবে তৈরি করা হয়?
উত্তর: LNOI ওয়েফারের উৎপাদনে বেশ কয়েকটি পদক্ষেপ জড়িত, যার মধ্যে রয়েছে আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন, একটি সাবস্ট্রেটের সাথে লিথিয়াম নিওবেট স্তরের বন্ধন (সাধারণত সিলিকন), পৃথকীকরণের জন্য অ্যানিলিং এবং একটি মসৃণ, উচ্চ-মানের পৃষ্ঠ অর্জনের জন্য রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (CMP)। আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন একটি পাতলা, ভঙ্গুর স্তর তৈরি করে যা বাল্ক লিথিয়াম নিওবেট ক্রিস্টাল থেকে আলাদা করা যেতে পারে, সাবস্ট্রেটের উপর একটি পাতলা, উচ্চ-মানের লিথিয়াম নিওবেট ফিল্ম রেখে যায়।
সম্পর্কিত পণ্য
লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO3) ক্রিস্টাল EO/PO উপাদান টেলিকম ডিফেন্স উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি SAW
ইনসুলেটরের উপর SiC-on-Insulator SiCOI সাবস্ট্রেট উচ্চ তাপ পরিবাহিতা ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ