5G Saw ব্যাস 10mm একক ক্রিস্টাল AlN সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট

সিলিকন-ভিত্তিক সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি তার সীমাতে পৌঁছেছে এবং ভবিষ্যতের প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করতে পারেনি

বৈদ্যুতিক যন্ত্র.একটি সাধারণ ধরণের 3য়/4র্থ-প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) আছে

উচ্চতর ভৌত এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য যেমন প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ভাঙ্গন দায়ের করা,

উচ্চ ইলেকট্রনিক গতিশীলতা এবং জারা/বিকিরণ প্রতিরোধের, এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য একটি নিখুঁত স্তর,

রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) ডিভাইস, হাই-পাওয়ার/হাই-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস ইত্যাদি। বিশেষ করে, AlN সাবস্ট্রেট হল

UV-LED, UV ডিটেক্টর, UV লেজার, 5G হাই-পাওয়ার/হাই-ফ্রিকোয়েন্সি RF ডিভাইস এবং 5G SAW/BAW-এর জন্য সেরা প্রার্থী

ডিভাইসগুলি, যা পরিবেশগত সুরক্ষা, ইলেকট্রনিক্স, বেতার যোগাযোগ, মুদ্রণে ব্যাপকভাবে ব্যবহার করা যেতে পারে,

জীববিদ্যা, স্বাস্থ্যসেবা, সামরিক এবং অন্যান্য ক্ষেত্র, যেমন UV পরিশোধন/জীবাণুমুক্তকরণ, UV নিরাময়, ফটোক্যাটালাইসিস, দেশ?

জাল সনাক্তকরণ, উচ্চ-ঘনত্বের স্টোরেজ, মেডিকেল ফটোথেরাপি, ওষুধ আবিষ্কার, বেতার এবং নিরাপদ যোগাযোগ,

মহাকাশ/গভীর স্থান সনাক্তকরণ এবং অন্যান্য ক্ষেত্র।

আমরা বানোয়াট করার জন্য মালিকানাধীন প্রক্রিয়া এবং প্রযুক্তির একটি সিরিয়াল তৈরি করেছি

উচ্চ মানের AlN টেমপ্লেট।বর্তমানে, আমাদের OEM বিশ্বব্যাপী একমাত্র কোম্পানি যারা 2-6 ইঞ্চি AlN উত্পাদন করতে পারে

2020 সালে বিস্ফোরক মেটাতে 300,000 টুকরা ক্ষমতা সহ বড় আকারের শিল্প উত্পাদন ক্ষমতার টেমপ্লেটগুলি

UVC-LED, 5G ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন, UV ডিটেক্টর এবং সেন্সর ইত্যাদি থেকে বাজারের চাহিদা

 

আমরা বর্তমানে গ্রাহকদের মানসম্মত 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm উচ্চ মানের নাইট্রোজেন প্রদান করি
অ্যালুমিনিয়াম একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট পণ্য, এবং এছাড়াও গ্রাহকদের 10-20 মিমি অ-পোলার প্রদান করতে পারে
এম-প্লেন অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট, অথবা গ্রাহকদের জন্য অ-মানক 5mm-50.8mm কাস্টমাইজ করুন
পালিশ অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট।এই পণ্যটি একটি উচ্চ-শেষ স্তর উপাদান হিসাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়
ইউভিসি-এলইডি চিপস, ইউভি ডিটেক্টর, ইউভি লেজার এবং বিভিন্ন উচ্চ শক্তিতে ব্যবহৃত হয়
/উচ্চ তাপমাত্রা/উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস ক্ষেত্র।

 

 

• মডেলUTI-AlN-10x10B-একক ক্রিস্টাল
• ব্যাস 10x10±0.5 মিমি;
• সাবস্ট্রেট বেধ (µm) 400± 50
• ওরিয়েন্টেশনসি-অক্ষ [0001] +/- 0.5°

কোয়ালিটি গ্রেড এস-গ্রেড (সুপার) পি-গ্রেড (উৎপাদন) আর-গ্রেড (গবেষণা)

• ফাটলকোনটি না <3 মিমি
• FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
• FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
• পৃষ্ঠের রুক্ষতা [5×5µm] (nm)আল-ফেস CMP <0.5nm;এন-ফেস (পিছন পৃষ্ঠ) এমপি <1.2um;
• ব্যবহারযোগ্য এলাকা 90%
• শোষণ <50 ； <70 ； <100；
• দৈর্ঘ্যের অভিযোজন {10-10} ±5°；
• TTV (µm)≤30
• নম (µm)≤30
• ওয়ার্প (µm)-30~30
• দ্রষ্টব্য: এই বৈশিষ্ট্যের ফলাফলগুলি নিযুক্ত সরঞ্জাম এবং/অথবা সফ্টওয়্যারের উপর নির্ভর করে সামান্য পরিবর্তিত হতে পারে