 |
6 ইঞ্চি ডায়া153 মিমি 0.5 মিমি মনোক্রিস্টালাইন SiC সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক বীজ ওয়েফার বা ইনগট
পণ্যের বিবরণ:
| উৎপত্তি স্থল: | চীন |
| পরিচিতিমুলক নাম: | ZMKJ |
| মডেল নম্বার: | 6 ইঞ্চি সিক বীজ স্ফটিক ইনগট |
প্রদান:
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: | 1pcs |
|---|---|
| মূল্য: | by case |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | 100-গ্রেড পরিষ্কারের রুমে একক ওয়েফার প্যাকেজ |
| ডেলিভারি সময়: | 1-6weeks |
| পরিশোধের শর্ত: | টি / টি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম |
| যোগানের ক্ষমতা: | 1-50pcs / মাস |
|
বিস্তারিত তথ্য |
|||
| উপাদান: | SiC একক স্ফটিক | কঠোরতা: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| আকৃতি: | কাস্টমাইজড | সহনশীলতা: | ±0.1 মিমি |
| আবেদন: | বীজ ওয়েফার | টাইপ: | 4h-n |
| ব্যাস: | 150-155 মিমি ঠিক আছে | পুরুত্ব: | 10-15 মিমি ঠিক আছে |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা: | 0.015~0.025Ω.cm | ||
| লক্ষণীয় করা: | সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,6 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার,সিসি একক স্ফটিক বীজ ওয়েফার |
||
পণ্যের বর্ণনা
2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingots/উচ্চ বিশুদ্ধতা 4H-N 4ইঞ্চি 6ইঞ্চি ডায়া 150mm সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল (sic) সাবস্ট্রেট ওয়েফার,
sic ক্রিস্টাল ingots sic সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট,সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল ওয়েফার/6 ইঞ্চি ডায়া153 মিমি SiC সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ক্রিস্টাল সিড ইনগট সিড ওয়েফার
সিলিকন কার্বাইড (SiC) ক্রিস্টাল সম্পর্কে
সিলিকন কার্বাইড (SiC), কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, রাসায়নিক সূত্র SiC সহ সিলিকন এবং কার্বন ধারণকারী একটি অর্ধপরিবাহী।SiC সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসে ব্যবহৃত হয় যেগুলি উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ ভোল্টেজ বা উভয়েই কাজ করে। SiC হল একটি গুরুত্বপূর্ণ LED উপাদান, এটি ক্রমবর্ধমান GaN ডিভাইসের জন্য একটি জনপ্রিয় সাবস্ট্রেট, এবং এটি উচ্চ তাপমাত্রায় তাপ স্প্রেডার হিসাবেও কাজ করে। পাওয়ার LEDs।
| সম্পত্তি | 4H-SiC, একক ক্রিস্টাল | 6H-SiC, একক ক্রিস্টাল |
| জালি পরামিতি | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| স্ট্যাকিং সিকোয়েন্স | এবিসিবি | ABCACB |
| Mohs কঠোরতা | ≈9.2 | ≈9.2 |
| ঘনত্ব | 3.21 গ্রাম/সেমি3 | 3.21 গ্রাম/সেমি3 |
| থার্ম।সম্প্রসারণ সহগ | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| প্রতিসরণ সূচক @750nm |
সংখ্যা = 2.61 ne = 2.66 |
সংখ্যা = 2.60 ne = 2.65 |
| ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক | c~9.66 | c~9.66 |
| তাপ পরিবাহিতা (N-টাইপ, 0.02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| তাপ পরিবাহিতা (আধা-অন্তরক) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| ব্যান্ড-গ্যাপ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| ব্রেক-ডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র | 3-5×106V/সেমি | 3-5×106V/সেমি |
| স্যাচুরেশন ড্রিফ্ট বেগ | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
পাওয়ার ডিভাইস শিল্পে SiC এর প্রয়োগ
সিলিকন ডিভাইসের সাথে তুলনা করে, সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার ডিভাইসগুলি কার্যকরভাবে উচ্চ দক্ষতা, ক্ষুদ্রকরণ এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমের হালকা ওজন অর্জন করতে পারে।SiC পাওয়ার ডিভাইসের শক্তির ক্ষতি Si ডিভাইসের মাত্র 50%, এবং তাপ উৎপাদন সিলিকন ডিভাইসের মাত্র 50%, SiC-এর বর্তমান ঘনত্বও বেশি।একই পাওয়ার স্তরে, SiC পাওয়ার মডিউলগুলির আয়তন সিলিকন পাওয়ার মডিউলগুলির তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে ছোট।একটি উদাহরণ হিসাবে বুদ্ধিমান পাওয়ার মডিউল IPM গ্রহণ করে, SiC পাওয়ার ডিভাইসগুলি ব্যবহার করে, মডিউল ভলিউম সিলিকন পাওয়ার মডিউলগুলির 1/3 থেকে 2/3 পর্যন্ত হ্রাস করা যেতে পারে।
তিন ধরনের SiC পাওয়ার ডায়োড রয়েছে: Schottky ডায়োড (SBD), PIN ডায়োড এবং জংশন ব্যারিয়ার নিয়ন্ত্রিত Schottky ডায়োড (JBS)।Schottky বাধার কারণে, SBD এর জংশন বাধার উচ্চতা কম, তাই SBD-এর কম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজের সুবিধা রয়েছে।SiC SBD-এর আবির্ভাব SBD-এর প্রয়োগের পরিসরকে 250V থেকে 1200V পর্যন্ত বাড়িয়ে দিয়েছে।উপরন্তু, উচ্চ তাপমাত্রায় এর বৈশিষ্ট্যগুলি ভাল, বিপরীত লিকেজ কারেন্ট ঘরের তাপমাত্রা থেকে 175 ডিগ্রি সেলসিয়াসে বাড়ে না। 3kV এর উপরে রেকটিফায়ার প্রয়োগের ক্ষেত্রে, SiC PiN এবং SiC JBS ডায়োডগুলি তাদের উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজের কারণে অনেক মনোযোগ পেয়েছে। , দ্রুত স্যুইচিং গতি, ছোট আকার এবং সিলিকন রেকটিফায়ারের তুলনায় হালকা ওজন।
SiC পাওয়ার MOSFET ডিভাইসগুলির আদর্শ গেট প্রতিরোধ, উচ্চ-গতির সুইচিং কর্মক্ষমতা, কম অন-প্রতিরোধ এবং উচ্চ স্থিতিশীলতা রয়েছে।এটি 300V এর নিচে পাওয়ার ডিভাইসের ক্ষেত্রে পছন্দের ডিভাইস।রিপোর্ট আছে যে 10kV এর ব্লকিং ভোল্টেজ সহ একটি সিলিকন কার্বাইড MOSFET সফলভাবে বিকশিত হয়েছে৷গবেষকরা বিশ্বাস করেন যে SiC MOSFETs 3kV - 5kV ক্ষেত্রে একটি সুবিধাজনক অবস্থান দখল করবে।
SiC ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (SiC BJT, SiC IGBT) এবং SiC Thyristor (SiC Thyristor), 12 kV ব্লকিং ভোল্টেজ সহ SiC P-টাইপ IGBT ডিভাইসগুলির ভালো ফরওয়ার্ড কারেন্ট ক্ষমতা রয়েছে।Si বাইপোলার ট্রানজিস্টরের সাথে তুলনা করে, SiC বাইপোলার ট্রানজিস্টরের 20-50 গুণ কম সুইচিং লস এবং কম টার্ন-অন ভোল্টেজ ড্রপ হয়।SiC BJT প্রধানত এপিটাক্সিয়াল ইমিটার BJT এবং আয়ন ইমপ্লান্টেশন ইমিটার BJT-তে বিভক্ত, সাধারণ বর্তমান লাভ 10-50 এর মধ্যে।
| বৈশিষ্ট্য | ইউনিট | সিলিকন | SiC | GaN |
| ব্যান্ডগ্যাপ প্রস্থ | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| ভাঙ্গন ক্ষেত্র | এমভি/সেমি | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| ইলেক্ট্রন গতিশীলতা | সেমি^2/বনাম | 1400 | 950 | 1500 |
| প্রবাহ গতিবেগ | 10^7 সেমি/সেকেন্ড | 1 | 2.7 | 2.5 |
| তাপ পরিবাহিতা | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
LED শিল্পে SiC এর প্রয়োগ
বর্তমানে, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস শিল্পে ব্যবহৃত সাবস্ট্রেট উপাদানের জন্য স্যাফায়ার ক্রিস্টাল হল প্রথম পছন্দ, কিন্তু নীলকান্তমণির কিছু ঘাটতি রয়েছে যা কাটিয়ে ওঠা যায় না, যেমন জালির অমিল, তাপীয় চাপের অমিল, একটি অন্তরক হিসাবে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং দুর্বল তাপ পরিবাহিতা। .অতএব, এসআইসি সাবস্ট্রেটের চমৎকার বৈশিষ্ট্যগুলি অনেক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-ভিত্তিক আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড (LEDs) এবং লেজার ডায়োড (LDs) এর জন্য সাবস্ট্রেট উপকরণ হিসাবে আরও উপযুক্ত।ক্রি থেকে ডেটা দেখায় যে সিলিকন কার্বাইডের ব্যবহার সাবস্ট্রেট এলইডি ডিভাইসটি 50,000 ঘন্টা পর্যন্ত 70% আলো রক্ষণাবেক্ষণের হার অর্জন করতে পারে।LED সাবস্ট্রেট হিসাবে SiC এর সুবিধা:
* SiC এবং GaN এপিটাক্সিয়াল স্তরের জালি ধ্রুবক মিলে যায়, এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যগুলি সামঞ্জস্যপূর্ণ;
* SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা রয়েছে (স্যাফায়ারের চেয়ে 10 গুণ বেশি) এবং GaN এপিটাক্সিয়াল স্তরের তাপীয় সম্প্রসারণ সহগের কাছাকাছি;
* SiC হল একটি পরিবাহী অর্ধপরিবাহী, যা উল্লম্ব কাঠামোর ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।ডিভাইসের পৃষ্ঠ এবং নীচে দুটি ইলেক্ট্রোড বিতরণ করা হয়, এটি নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটের অনুভূমিক কাঠামোর কারণে সৃষ্ট বিভিন্ন ত্রুটিগুলি সমাধান করতে পারে;
* SiC একটি বর্তমান প্রসারণ স্তর প্রয়োজন হয় না, আলো বর্তমান প্রসারণ স্তর উপাদান দ্বারা শোষিত হবে না, যা আলো নিষ্কাশন দক্ষতা উন্নত.
উচ্চ বিশুদ্ধতা 4 ইঞ্চি ব্যাস সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেট স্পেসিফিকেশন
সিলিকন পৃষ্ঠ: প্রধান অবস্থানের প্রান্তের দিকে ঘড়ির কাঁটার দিকে ঘুরুন ঘূর্ণন: 90°±5°
কার্বন পৃষ্ঠ: প্রধান অবস্থানের প্রান্তের দিকে ঘড়ির কাঁটার বিপরীত দিকে ঘুরুন ঘূর্ণন: 90°±5°
ZMKJ কোম্পানি সম্পর্কে
ZMKJ ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক শিল্পে উচ্চ মানের একক ক্রিস্টাল SiC ওয়েফার (সিলিকন কার্বাইড) সরবরাহ করতে পারে।সিলিকন ওয়েফার এবং GaAs ওয়েফারের তুলনায় SiC ওয়েফার একটি পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, অনন্য বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং চমৎকার তাপীয় বৈশিষ্ট্য সহ, SiC ওয়েফার উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ শক্তি ডিভাইস প্রয়োগের জন্য আরও উপযুক্ত।SiC ওয়েফার 2-6 ইঞ্চি ব্যাসের মধ্যে সরবরাহ করা যেতে পারে, উভয় 4H এবং 6H SiC, N-টাইপ, নাইট্রোজেন ডোপড, এবং আধা-অন্তরক টাইপ উপলব্ধ।আরো পণ্য তথ্যের জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন.
FAQ:
প্রশ্নঃ শিপিং এবং খরচের উপায় কি?
A:(1) আমরা DHL, Fedex, EMS ইত্যাদি গ্রহণ করি।
(2) আপনার নিজের এক্সপ্রেস অ্যাকাউন্ট থাকলে এটি ঠিক আছে, যদি না থাকে, আমরা আপনাকে সেগুলি পাঠাতে সাহায্য করতে পারি এবং
মালবাহী হল in প্রকৃত বন্দোবস্ত অনুযায়ী।
প্রশ্নঃ কিভাবে পরিশোধ করবেন?
A: ডেলিভারির আগে T/T 100% ডিপোজিট।
প্রশ্ন: আপনার MOQ কি?
A: (1) তালিকার জন্য, MOQ হল 1pcs।2-5 পিসি হলে ভালো।
(2) কাস্টমাইজড কমেন পণ্যের জন্য, MOQ 10pcs আপ।
প্রশ্ন: প্রসবের সময় কি?
A: (1) মানক পণ্যের জন্য
ইনভেন্টরির জন্য: আপনি অর্ডার দেওয়ার পরে ডেলিভারি 5 কার্যদিবস।
কাস্টমাইজড পণ্যগুলির জন্য: আপনি যোগাযোগের অর্ডার দেওয়ার 2 -4 সপ্তাহ পরে ডেলিভারি হয়।
প্রশ্ন: আপনার কি মানক পণ্য আছে?
একটি: স্টক আমাদের মান পণ্য.সাবস্ট্রেটের মতো 4 ইঞ্চি 0.35 মিমি।